من نحن

كشركة رائدة في مجال تصنيع مواد أشباه الموصلات المركبة في الصين. بام-شيامن تطور النمو البلوري المتقدم وتكنولوجيات النضج، وتتراوح بين الجيل الأول من رقاقة الجرمانيوم والجيل الثاني من زرنيخيد الغاليوم مع نمو الركيزة والتجسس على إي-V السيليكون مخدر ن من نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما10
اقرأ أكثر
بعد أكثر من 20 سنوات من تراكم والتنمية، شركتنا لديها ميزة واضحة في الابتكار التكنولوجي والمواهب تجمع. في المستقبل، نحن بحاجة إلى تسريع وتيرة العمل الفعلي لتزويد العملاء مع أفضل المنتجات والخدمات
الطبيب تشان -سيو من شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة

منتجاتنا

الليزر الأزرق

قوالب غان

تتكون منتجات قوالب بام-شيامن من طبقات بلورية من نيتريد الغاليوم (غان)، نيتريد الألومنيوم (ألن)، نيتريد الغاليوم الألومنيوم (ألغان)، نيتريد الغاليوم الإنديوم (إنغان)، التي تودع على ركائز الياقوت، كربيد السيليكون أو منتجات قالب السيليكون. بام-شيامن تمكن 20-50٪ أقصر دورة دورة مرات وأعلى جودة الفوقي طبقات الجهاز، مع أفضل جودة الهيكلية والموصلية الحراري10

غان على السيليكون

قائما بذاته غان الركيزة

بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة رقاقة، وهو ل أوب بقيادة و لد. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة النضج (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان ديه كثافة عيب منخفضة.10

غاس الكريستال

غاس (الغاليوم الزرنيخ) رقائق

بوام تطوير وتصنيع ركائز مركب أشباه الموصلات-الكريستال الغاليوم زرنيخيد وافر.لقد استخدمت التكنولوجيا المتقدمة النمو الكريستال، وتجميد التدرج الرأسي (فغف) وتكنولوجيا معالجة غاس رقاقة، أنشأت خط إنتاج من نمو الكريستال، وقطع، وطحن لتلميع تجهيز وبناء غرفة نظيفة 100 درجة لتنظيف ويفر والتعبئة والتغليف. لدينا غاس رقاقة تشمل 2 ~ 6 بوصة سبيكة / رقائق ل ليد، ل10

سيك كريستال

سيك إبيتاكسي

ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10

سيك كريستال

الركيزة سيك

بام شيامن تقدم رقائق أشباه الموصلات كربيد السيليكون، 6H سيك و 4 H سيك في درجات الجودة المختلفة للباحث والمصنعين الصناعة. قمنا بتطوير تكنولوجيا النمو الكريستالية الكريستال الكريستالي وكذا الكريستال رقاقة تكنولوجيا معالجة، أنشأت خط الإنتاج إلى الصانع الركيزة سيك، والذي يتم تطبيقه في الجهاز غان نبتاكسي، وأجهزة السلطة، جهاز درجة الحرارة العالية والأجهز10

غان إكسيتاكسي

غان مقرها ليد الفوقي رقاقة

غم (نيتريد الغاليوم) القائم على بام-شيامن لرقاقة الفوقي الصمام هو سطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الباعثة للضوء الثنائيات (ليد) وثنائيات الليزر (لد) التطبيق.

غان هيمت

غان هيمت الفوقي رقاقة

(غان) نيتريد (غان) هيمتس (عالية الترانزستورات التنقل الإلكترون) هي الجيل القادم من الترددات اللاسلكية التكنولوجيا الترانزستور السلطة. شكرا لتكنولوجيا غان، بام شيامن الآن تقدم ألغان / غان هيمت إيبي رقاقة على الياقوت أو السيليكون، و ألغان / غان على قالب الياقوت .10

سيك كريستال

سيك رقاقة استصلاح

بام-شيامن قادرة على تقديم خدمات استرداد رقاقة سيك التالية.

لماذا أخترتنا

  • دعم التكنولوجيا الحرة والمهنية

    يمكنك الحصول على خدمة التكنولوجيا المجانية من التحقيق إلى بعد الخدمة على أساس لدينا 25+ الخبرات في خط أشباه الموصلات.

  • خدمة جيدة المبيعات

    هدفنا هو تلبية جميع الاحتياجات الخاصة بك، مهما كانت أوامر الصغيرة و كيف الأسئلة الصعبة قد تكون، للحفاظ على نمو مستدام ومربح لكل عميل من خلال منتجاتنا المؤهلة وخدمة مرضية.10

  • 25+ سنوات الخبرات

    مع أكثر من 25 + سنوات خبرة في مجمع مجال أشباه الموصلات المواد والتصدير الأعمال، فريقنا يمكن أن أؤكد لكم أننا يمكن أن نفهم الاحتياجات الخاصة بك والتعامل مع مشروعك مهنيا.10

  • نوعية موثوق بها

    الجودة هي الأولوية الأولى لدينا. كان بام-شيامن ISO9001: 2008 ، تمتلك وتشارك أربعة الأوعية الحديثة التي يمكن أن توفر مجموعة كبيرة جدا من المنتجات المؤهلة لتلبية الاحتياجات المختلفة لعملائنا، وكل أمر يجب أن يتم التعامل معها من خلال نظام الجودة الصارم لدينا. يتم توفير تقرير الاختبار لكل شحنة، وكل رقاقة10

"لقد تم استخدام رقائق إيبي الطريق السريع لبعض من عملنا. نحن معجبون جدا مع نوعية برنامج التحصين الموسع"
جيمس s.speck، قسم المواد جامعة كاليفورنيا
2018-01-25
"عزيزي بام-شيامن فرق، أشكركم على مهنتكم الرأي، تم حل المشكلة، نحن سعداء جدا ليكون شريك حياتك"
رامان k. تشوهان، الضوئيات سيرين
2018-01-25
"أشكركم على الرد السريع من أسئلتي وبأسعار تنافسية، فمن المفيد جدا بالنسبة لنا، ونحن سوف تأمر مرة أخرى قريبا"
ماركوس سيجر، جامعة أولم
2018-01-25
"لقد وصلت رقاقات كربيد السيليكون اليوم ، ونحن سعداء بها حقًا! يصل إلى طاقم الإنتاج!"
دينيس ، جامعة اكستر
2018-01-25

في العالم الأكثر شهرة الجامعات والشركات تثق بنا

أحدث الأخبار

Epitaxial growth of Bi2Se3 layers on InP substrates by hot wall epitaxy

2019-10-21

The a-axis lattice parameter of Bi2Se3 is almost identical to the lattice periodicity of the InP (1 1 1) surface. We consequently obtain remarkably smooth Bi2Se3 (0 0 0 1) layers in hot-wall-epitaxy growth on InP (1 1 1)B substrates. The lattice-matched periodicity is preserved in the [1 1 0] and [] directions of the (0 0 1) surface. The Bi2Se3 layers grown on InP (0 0 1) substrates exhibit 12-fold in-plane symmetry as the [] direction of Bi2Se3 is aligned to either of the two directions. When the (1 1 1)-oriented InP substrates are inclined, the Bi2Se3 (0 0 0 1) layers are found to develop steps having a height of ~50 nm. The tilting of the Bi2Se3 [0 0 0 1] axis with respect to the growth surface is responsible for the creation of the steps. Epitaxial growth is thus evidenced to take place rather than van der Waals growth. We point out its implications on the surface states of topological insulators. Source:IOPscience For more information, please vis...

اقرأ أكثر

Mid-infrared InAs/GaSb strained layer superlattice detectors with nBn design grown on a GaAs substrate

2019-09-29

We report on a type-II InAs/GaSb strained layer superlattice (SLS) photodetector (λ_{\rm cut\hbox{-}off}  ~4.3 µm at 77 K) with nBn design grown on a GaAs substrate using interfacial misfit dislocation arrays to minimize threading dislocations in the active region. At 77 K and 0.1 V of the applied bias, the dark current density was equal to 6 × 10−4 A cm−2 and the maximum specific detectivity D* was estimated to 1.2 × 1011 Jones (at 0 V). At 293 K, the zero-bias D* was found to be ~109 Jones which is comparable to the nBn InAs/GaSb SLS detector grown on the GaSb substrate. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

اقرأ أكثر

Overview of recent direct wafer bonding advances and applications

2019-09-18

Direct wafer bonding processes are being increasingly used to achieve innovative stacking structures. Many of them have already been implemented in industrial applications. This article looks at direct bonding mechanisms, processes developed recently and trends. Homogeneous and heterogeneous bonded structures have been successfully achieved with various materials. Active, insulating or conductive materials have been widely investigated. This article gives an overview of Si and SiO2 direct wafer bonding processes and mechanisms, silicon-on-insulator type bonding, diverse material stacking and the transfer of devices. Direct bonding clearly enables the emergence and development of new applications, such as for microelectronics, microtechnologies, sensors, MEMs, optical devices, biotechnologies and 3D integration. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@g...

اقرأ أكثر

Japanese Journal of Applied Physics logo A Novel Diffusion Resistant P-Base Region Implantation for Accumulation Mode 4H–SiC Epi-Channel Field Effect Transistor

2019-09-11

A novel implantation technique using the carbon (C) and boron (B) sequential implantation is employed to control the B lateral and vertical diffusion from the p-base region of the planar silicon carbide (SiC) epi-channel field effect transistor (ECFET). The current deep level transient spectroscopy measurements were performed to establish the inter-correlation between the B enhanced diffusion and the electrically active defects introduced by the C and B sequential implantation. It was found that the formation of deep defect level is completely suppressed for the same ratio (C:B=10:1) as that for the B diffusion in 4H–SiC. A diffusion mechanism which is correlated to the formation of D center was proposed to account for the experimentally observed B enhanced diffusion. The effectiveness of C and B implantation technique in suppressing the junction field effect transistor (JFET) pinch effect is clearly visible from the 3–4 fold increase in drain current of fabricated 4H–SiC ECFET for p-b...

اقرأ أكثر

Adding a Bit of Artificiality Makes Graphene Real for Electronics

2019-08-28

 We believes that one of the electronic capabilities for this device could be selecting the strength of the spin-orbit coupling in a p-type GaAs quantum well. This could lead to the creation of a topological insulator, which is an insulator on the inside but a conductor on the outside. Such an insulator could in turn enable so-called topological quantum computation, which is a theoretical approach to quantum computing that could be far more robust than current methods. This capability does not exist in natural graphene or other artificial graphene systems. Source:.ieee For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

اقرأ أكثر

Two inch GaN substrates fabricated by the near equilibrium ammonothermal (NEAT) method

2019-08-19

This paper reports two inch gallium nitride (GaN) substrates fabricated from bulk GaN crystals grown in the near equilibrium ammonothermal method. 2'' GaN wafers sliced from bulk GaN crystals have a full width half maximum of the 002 X-ray rocking curve of 50 arcsec or less, a dislocation density of mid-105 cm−2 or less, and an electron density of about 2 × 1019 cm−3. The high electron density is attributed to an oxygen impurity in the crystal. Through extensive surface preparation, the Ga surface of the wafer shows an atomic step structure. Additionally, removal of subsurface damage was confirmed with grazing angle X-ray rocking curve measurements from the 114 diffraction. High-power p–n diode structures were grown with metalorganic chemical vapor deposition. The fabricated devices showed a breakdown voltage of over 1200 V with sufficiently low series resistance. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at s...

اقرأ أكثر

Enhancement of the quality of InAsSb epilayers using InAsSb graded and InSb buffer layers grown by hot wall epitaxy

2019-08-12

We have investigated the structural and electrical properties of InAsxSb1−x epilayers grown on GaAs(0 0 1) substrates by hot wall epitaxy. The epilayers were grown on an InAsSb graded layer and an InSb buffer layer. The arsenic composition (x) of the InAsxSb1−x epilayer was calculated using x-ray diffraction and found to be 0.5. The graded layers were grown with As temperature gradients of 2 and 0.5 °C min−1. The three-dimensional (3D) island growth due to the large lattice mismatch between InAsSb and GaAs was observed by scanning electron microscopy. As the thicknesses of the InAsSb graded layer and the InSb buffer layer are increased, a transition from 3D island growth to two-dimensional plateau-like growth is observed. The x-ray rocking curve measurements indicate that full-width at half-maximum values of the epilayers were decreased by using the graded and buffer layers. A dramatic enhancement of the electron mobility of the grown layers was observed by Hall effect measurements. So...

اقرأ أكثر

Quality Variation of ZnSe Heteroepitaxial Layers Correlated with Nonuniformity in the GaAs Substrate Wafer

2019-08-06

ZnSe layers are grown heteroepitaxially on substrates cut from a LEC-grown, undoped semi-insulating GaAs(100) wafer along the diameter parallel to the [001] axis. The intensities of free-exciton photoluminescence and X-ray diffraction from the ZnSe layers show an M-shaped profile along the GaAs wafer diameter, and are inversely correlated with the etch-pit-density distribution of the GaAs wafer. This observation gives, for the first time, experimental evidence that the quality of ZnSe heteroepitaxial layers grown by recent epitaxial techniques can be limited by the quality of GaAs substrates. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

اقرأ أكثر

Highly boron-doped germanium layers on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy

2019-07-29

Smooth and fully relaxed highly boron-doped germanium layers were grown directly on Si(001) substrates using carbon-mediated epitaxy. A doping level of  was measured by several methods. Using high-resolution x-ray diffraction we observed different lattice parameters for intrinsic and highly boron-doped samples. A lattice parameter of a Ge:B = 5.653 Å was calculated using the results obtained by reciprocal space mapping around the (113) reflection and the model of tetragonal distortion. The observed lattice contraction was adapted and brought in accordance with a theoretical model developed for ultra-highly boron-doped silicon. Raman spectroscopy was performed on the intrinsic and doped samples. A shift in the first order phonon scattering peak was observed and attributed to the high doping level. A doping level of  was calculated by comparison with literature. We also observed a difference between the intrinsic and doped sample in the range of second order phonon scattering. ...

اقرأ أكثر

Epitaxial CdS Layers Deposited on InP Substrates

2019-07-22

The CdS layers were deposited on InP substrates by using the (H2–CdS) vapor growth technique. The single crystal layers of hexagonal CdS were obtained on InP (111), (110) and (100) with the following heteroepitaxial relationships; (0001) CdS//(111) InP and [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP, (01bar 13) CdS//(110) InP and [bar 2110] CdS//[bar 110] InP, (30bar 34) CdS//(100) InP and [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP. The CdS layers deposited on InP (bar 1bar 1bar 1) were identfied in terms of the twinned hexagonal crystals, twin planes of which were nearly parallel to (30bar 3bar 4) and its crystallographic equivalents. The compositional gradients were observed at the interface of the deposits and the substrates. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

اقرأ أكثر

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.