الصفحة الرئيسية / منتجات / مجمع أشباه الموصلات /

غاسب ويفر

منتجات

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

غاسب ويفر غاسب ويفر

غاسب ويفر

شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100)

  • تفاصيل المنتج

شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).


أنثيمونيد الغاليوم (غاسب) هو مركب شبه موصل من الغاليوم والأنتيمون من الأسرة إي-V. لديها ثابت شعرية من حوالي 0.61 نانومتر. غاسب يمكن استخدامها للكشف عن الأشعة تحت الحمراء، ومصابيح الأشعة تحت الحمراء والليزر والترانزستورات، وأنظمة ثيرموفتوفولتايك.


مواصفات رقاقة
بند مواصفات
قطر الرقاقة 2 "50.5 ± 0.5mm و
3 "76.2 ± 0.4MM
(4) "1000.0 ± 0.5mm و
الكريستال التوجه (100) ± 0.1 درجة
سماكة 2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4 "25um 1000 ±
طول شقة الابتدائي 2 "16 ± 2mm في
3 "22 ± 2mm في
4 "32.5 ± 2.5MM
الثانوية طول شقة 2 "8 ± 1MM
3 "11 ± 1MM
4 "18 ± 1MM
صقل الأسطح p / e، p / p
صفقة إيبي جاهزة، حاوية واحدة رقاقة أو سف كاسيت


الكهربائية و المنشطات المواصفات
نوع التوصيل نوع ف نوع ف نوع ن نوع ن نوع ن
إشابة undoped زنك معدن لامع ذو صفائح منخفض التيلوريوم عالية التيلوريوم
e.d.p سم -2 2 " 2000
3 "
5000
2 " 2000
3 "
5000
2 "، 3" 1000
4 "
2000
2 " 1000
3 "، 4"
2000
2 "، 3"، 4 " 500
التنقل cm² v -1 الصورة -1 ≥500 450-200 3500-2000 3500-2000 3500-2000
الناقل تركيز سم -3 2 * 10 17 1 * 10 18 ( 91-900 ) * 10 17 2 * 10 17 5 * 10 17




اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
موضوع : غاسب ويفر

منتجات ذات صله

الركيزة إنسب

إنزب الويفر

شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

إنب الركيزة

إنب رقاقة

شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10

إيناس الركيزة

إيناس ويفر

شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

الفجوة الركيزة

الفجوة رقاقة

شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

سيك كريستال

سيك إبيتاكسي

ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10

رقاقة السيليكون

تش البلورية أحادية البلورية

تشيكوسلوفاكيا السليكون فإن السيليكون أحادي البلورية أحادي اللون / المخدر خفيفا مناسب لإنتاج مختلف الدوائر المتكاملة، الثنائيات، الثلاجات، الألواح الشمسية للطاقة الشمسية. يمكن إضافة العناصر الخاصة (مثل غا، غي) لإنتاج مواد الخلايا الشمسية ذات الكفاءة العالية والإشعاع والمقاومة للتجدد لمكونات خاصة.10

سيك كريستال

الركيزة سيك

بام شيامن تقدم رقائق أشباه الموصلات كربيد السيليكون، 6H سيك و 4 H سيك في درجات الجودة المختلفة للباحث والمصنعين الصناعة. قمنا بتطوير تكنولوجيا النمو الكريستالية الكريستال الكريستالي وكذا الكريستال رقاقة تكنولوجيا معالجة، أنشأت خط الإنتاج إلى الصانع الركيزة سيك، والذي يتم تطبيقه في الجهاز غان نبتاكسي، وأجهزة السلطة، جهاز درجة الحرارة العالية والأجهز10

إنب الركيزة

إنب رقاقة

شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.