الصفحة الرئيسية / منتجات / مجمع أشباه الموصلات /

غاسب ويفر

منتجات

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

غاسب ويفر غاسب ويفر

غاسب ويفر

شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100)

  • تفاصيل المنتج

شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).


أنثيمونيد الغاليوم (غاسب) هو مركب شبه موصل من الغاليوم والأنتيمون من الأسرة إي-V. لديها ثابت شعرية من حوالي 0.61 نانومتر. غاسب يمكن استخدامها للكشف عن الأشعة تحت الحمراء، ومصابيح الأشعة تحت الحمراء والليزر والترانزستورات، وأنظمة ثيرموفتوفولتايك.


مواصفات رقاقة
بند مواصفات
قطر الرقاقة 2 "50.5 ± 0.5mm و
3 "76.2 ± 0.4MM
(4) "1000.0 ± 0.5mm و
الكريستال التوجه (100) ± 0.1 درجة
سماكة 2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4 "25um 1000 ±
طول شقة الابتدائي 2 "16 ± 2mm في
3 "22 ± 2mm في
4 "32.5 ± 2.5MM
الثانوية طول شقة 2 "8 ± 1MM
3 "11 ± 1MM
4 "18 ± 1MM
صقل الأسطح p / e، p / p
صفقة إيبي جاهزة، حاوية واحدة رقاقة أو سف كاسيت


الكهربائية و المنشطات المواصفات
نوع التوصيل نوع ف نوع ف نوع ن نوع ن نوع ن
إشابة undoped زنك معدن لامع ذو صفائح منخفض التيلوريوم عالية التيلوريوم
e.d.p سم -2 2 " 2000
3 "
5000
2 " 2000
3 "
5000
2 "، 3" 1000
4 "
2000
2 " 1000
3 "، 4"
2000
2 "، 3"، 4 " 500
التنقل cm² v -1 الصورة -1 ≥500 450-200 3500-2000 3500-2000 3500-2000
الناقل تركيز سم -3 2 * 10 17 1 * 10 18 ( 91-900 ) * 10 17 2 * 10 17 5 * 10 17




اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
موضوع : غاسب ويفر

منتجات ذات صله

الركيزة إنسب

إنزب الويفر

شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

إنب الركيزة

إنب رقاقة

شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10

إيناس الركيزة

إيناس ويفر

شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

الفجوة الركيزة

الفجوة رقاقة

شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

CZT

دزنت (كت) رقاقة

الكادميوم الزنك تيلوريد (سدنت أو تشت) هو أشباه الموصلات الجديدة، والتي تمكن من تحويل الإشعاع إلى الإلكترون على نحو فعال، وهي تستخدم أساسا في الركيزة الأشعة تحت الحمراء الرقيقة الركيزة تنكس، وأجهزة الكشف بالأشعة السينية وأجهزة الكشف عن أشعة غاما، والخلايا الشمسية الأداء وغيرها من المجالات ذات التقنية العالية.10

رقاقة السيليكون

تعويم منطقة واحدة البلورية السيليكون

FZ-السيليكون يتم إنتاج السيليكون أحادية البلورية مع خصائص المحتوى المنخفض المواد الأجنبية، وانخفاض كثافة العيب والهيكل الكريستال الكمال مع عملية تعويم منطقة، لا يتم إدخال أي مواد أجنبية خلال نمو الكريستال. الموصلية F- السيليكون هو عادة فوق 1000 Ω-سم، و F- السيليكون يستخدم أساسا لإنتاج العناصر العكسي الجهد العالي والأجهزة الضوئية.10

سيك كريستال

سيك إبيتاكسي

ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10

غاس الكريستال

غاس إبيوافر

ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما و p نمت من قبل مبي أو موكفد. نحن توريد الهياكل المخصصة لتلبية مواصفات العملاء. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.10

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.