الصفحة الرئيسية / منتجات / غاس رقاقة /

غاس إبيوافر

منتجات

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

غاس إبيوافر

غاس إبيوافر


ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما و p نمت من قبل مبي أو موكفد. نحن توريد الهياكل المخصصة لتلبية مواصفات العملاء. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.


  • تفاصيل المنتج

غاس إبيوافر


ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما و p نمت من قبل مبي أو موكفد. نحن توريد الهياكل المخصصة لتلبية مواصفات العملاء. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.

لدينا أرقام من الولايات المتحدة فيكو's gen2000، gen200 الإنتاج على نطاق واسع من خط إنتاج المعدات الفوقي، مجموعة كاملة من شرد؛ رر رسم الخرائط. سورفاسكان، وغيرها من الطراز العالمي تحليل واختبار المعدات. والشركة لديها أكثر من 12،000 متر مربع من مصنع دعم، بما في ذلك على مستوى عالمي أشباه الموصلات فائقة نظيفة والبحوث ذات الصلة والتنمية من جيل الشباب من مرافق المختبرات النظيفة


مواصفات لجميع المنتجات الجديدة والمميزة من مبي إي-V مجمع أشباه الموصلات إيبي رقاقة:


المواد الركيزة

القدرة المادية

الوضعية

الغاليوم

انخفاض درجة الحرارة غاس

THZ

الغاليوم

الغاليوم / gaalas / الغاليوم / الغاليوم

شوتكي الصمام الثنائي

الشرطة الوطنية العراقية

ingaas

دبوس كاشف

الشرطة الوطنية العراقية

الشرطة الوطنية العراقية / الشرطة الوطنية العراقية / ingaasp / الشرطة الوطنية العراقية / ingaas

الليزر

الغاليوم

الغاليوم / للأسف / الغاليوم

وEMSP.

الشرطة الوطنية العراقية

الشرطة الوطنية العراقية / inasp / ingaas / inasp

وEMSP.

الغاليوم

الغاليوم / ingaasn / algaas

وEMSP.

/ الغاليوم / algaas

الشرطة الوطنية العراقية

الشرطة الوطنية العراقية / ingaas / الشرطة الوطنية العراقية

الاستشعار البصرية

الشرطة الوطنية العراقية

الشرطة الوطنية العراقية / ingaas / الشرطة الوطنية العراقية

وEMSP.

الشرطة الوطنية العراقية

الشرطة الوطنية العراقية / ingaas

وEMSP.

الغاليوم

الغاليوم / ingap / الغاليوم / alinp

الخلايا الشمسية

/ ingap / alinp / ingap / alinp

الغاليوم

الغاليوم / gainp / غايناس / الغاليوم / algaas / galnp / galnas

الخلايا الشمسية

/ galnp / الغاليوم / algaas / allnp / galnp / allnp / galnas

الشرطة الوطنية العراقية

الشرطة الوطنية العراقية / gainp

وEMSP.

الغاليوم

الغاليوم / alinp

وEMSP.

الغاليوم

الغاليوم / algaas / galnp / algaas / الغاليوم

703nm الليزر

الغاليوم

الغاليوم / algaas / الغاليوم

وEMSP.

الغاليوم

الغاليوم / algaas / الغاليوم / algaas / الغاليوم

HEMT

الغاليوم

الغاليوم / للأسف / الغاليوم / للأسف / الغاليوم

mhemt

الغاليوم

الغاليوم / طلاسم / algainp / mqw / algainp / الفجوة

رقاقة ليد، إضاءة الحالة الصلبة

الغاليوم

الغاليوم / galnp / algainp / gainp

635nm، 660nm، 808nm، 780nm، 785nm،

/ غاسب / غاس / غاس الركيزة

950nm، 1300nm، 1550nm الليزر

gasb

alsb / gainsb / إيناس

إر كاشف، دبوس، الاستشعار، إر سيميرا

السيليكون

إنب أو غاس على السيليكون

عالية السرعة إيك / المعالجات

INSB

البريليوم مخدر إنسب

وEMSP.

/ أوندوبيد إنسب / تي مخدر إنسب /



لمزيد من التفاصيل المواصفات، يرجى مراجعة ما يلي:


لوت-غاس طبقة إيبي على غاس الركيزة


غاس شوتكي ديود رقائق الفوقي


إنغا / إنب إيبي رقاقة للسكك الحديدية


إنغاغ / إنغاس على ركائز إنب

غاس / ألاس ويفر

إنغاسن، إبيتاكسيالي، عن، غاس، أو، إنب، وافيرس


هيكل ل إنغاس فوتوديتكتورس

إنب / إنغاس / إنب إيبي ويفر


إنغااس بنية الهيكل

ألغاب / غاس إيبي رقاقة للخلية الشمسية

ثلاثي-- تقاطع الخلايا الشمسية

غاس إبيتاكسي

غينب / إنب إيبي ويفر

ألينب / غاس إيبي ويفر


طبقة من 703nm الليزر

808nm رقائق الليزر

780nm رقائق الليزر

غاس دبوس إيبي رقاقة

غاس / ألغاس / غاس إيبي ويفر

غاس مقرها الفوقي رقاقة ليد و لد، يرجى الاطلاع أدناه ديسك.

الجينب إيبي رقاقة

أصفر-أخضر ألغينب / غاس ليد رقاقة: 565-575nm


غاس هيمت إيبي ويفر

غاس فيمت إيبي وافر (غاس، ألغاس، إنغاس)، بليس سي بيلو ديسك.

غاس مهمت إيبي ويفر (مهمت: المتحولة عالية الإلكترون الترانزستور التنقل)

غاس هبت إيبي ويفر (غاس هبت هو الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، والتي تتكون من اثنين على الأقل من أشباه الموصلات المختلفة، والتي هي من قبل التكنولوجيا غاس مقرها.) معدن أشباه الموصلات تأثير حقل الترانزستور (مسفيت)


متغير المجال تأثير الترانزستور (هفيت)

الترانزستور التنقل الإلكترون عالية (هيمت)

الكاذبة عالية الترانزستور التنقل الإلكترون (فيمت)

نفق ديود الرنين (رتد)

دبوس الصمام الثنائي

قاعة تأثير الأجهزة

متغير السعة الثنائي (فد)

الآن نحن قائمة بعض المواصفات:


غاس هيمت إيبي رقاقة، حجم: 2 ~ 6inch

بند

مواصفات

تعليق

معامل

الله  تكوين / في تكوين / ورقة المقاومة

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

صالة  التنقل / تركيز 2deg

قياس التكنولوجيا

أشعة سينية  الحيود / الدوامة الحالية

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

قاعة الاتصال

صمام نموذجي

struture  يعتمد

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

5000 ~ 6500cm 2 /الخامس  · s / 0.5 ~ 1.0x 10 12 سم -2

اساسي  تفاوت

± 0.01 / ± 3٪ / لا شيء

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا


غاس (الزرنيخ الغاليوم) فيمت إيبي رقاقة ، حجم: 2 ~ 6INCH

بند

مواصفات

تعليق

معامل

الله  تكوين / في تكوين / ورقة المقاومة

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

صالة  التنقل / تركيز 2deg

قياس التكنولوجيا

أشعة سينية  الحيود / الدوامة الحالية

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

قاعة الاتصال

صمام نموذجي

struture  يعتمد

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

5000 ~ 6800cm 2 /v.s/2.0~3.4x10 12 سم -2

اساسي  tolaerance

± 0.01 / ± 3٪ لا شيء

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

ملاحظة: غاس فيمت: مقارنة مع غاس هيمت، غاس فيمت يتضمن أيضا inxga1-زاس، حيث إنكساس مقيدة x u0026 لوت؛ 0.3 للأجهزة المستندة إلى غاس. هياكل نمت مع نفس شعرية ثابتة كما همت، ولكن فجوات الفرقة المختلفة هي ببساطة يشار إلى هيمس شعرية المتطابقة.


غاس مهمت إيبي رقاقة، حجم: 2 ~ 6inch

بند

مواصفات

تعليق

معامل

في  تكوين / ورقة المقاومة

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

صالة  التنقل / تركيز 2deg

قياس التكنولوجيا

أشعة سينية  الحيود / الدوامة الحالية

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

قاعة الاتصال

صمام نموذجي

struture  يعتمد

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا

8000 ~ 10000cm 2 /الخامس  · s / 2.0 ~ 3.6x 10 12 سم -2

اساسي  تفاوت

± 3٪ / لا شيء

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا


إنب هيمت إيبي رقاقة، حجم: 2 ~ 4inch

بند

مواصفات

تعليق

معامل

في  تكوين / ورقة المقاومة / قاعة التنقل

الرجاء التواصل  لدينا قسم التكنولوجيا


ملاحظة: غاس (غاليوم الزرنيخ) هو مادة أشباه الموصلات مركب، وهو مزيج من عنصرين، الغاليوم (غا) والزرنيخ (كما). وتتنوع استخدامات زرنيخيد الغاليوم وتشمل استخدامها في الصمام / لد، الترانزستورات تأثير الحقل (فيتس)، والدوائر المتكاملة (إكس)


تطبيقات الجهاز

رف التبديل

الطاقة ومضخمات منخفضة الضوضاء

قاعة الاستشعار

المغير البصري

اللاسلكية: الهاتف الخليوي أو محطات القاعدة

رادار السيارات

MMIC، RFIC

الألياف البصرية الاتصالات


غاس إيبي رقاقة ل ليد / إر سيري:


1. الوصف العام:

1.1 طريقة النمو: موكفد

1.2 غاس إيبي رقاقة للشبكات اللاسلكية

1.3 غاس إيبي رقاقة ل ليد / إر و لد / بد


مواصفات رقاقة 2.epi:

2.1 حجم رقاقة: 2 "القطر

2.2epi هيكل رقاقة (من أعلى إلى أسفل):

ص + الغاليوم

ف الفجوة

ف algainp

mqw-algainp

ن algainp

دبر n-ألغاس / ألاس

متعادل

غاس الركيزة


3. رقاقة سيبسيفيكاتيون (قاعدة على رقائق 9mil * 9mil)


3.1 المعلمة

رقاقة حجم 9mil * 9mil

سمك 190 ± 10um

القطب قطر 90um ± 5um


3.2 الأحرف البصرية-إلكتريك (إر = 20ma، 22 ℃)

الطول الموجي 620 ~ 625nm

الجهد إلى الأمام 1.9 ~ 2.2v

عكس الجهد ≥10v

عكس الحالي 0-1ua


3.3 أحرف شدة الضوء (إر = 20ma، 22 ℃)

4 (مسد) 80-140


3.4 إيبي رقاقة الطول الموجي

بند

وحدة

أحمر

الأصفر

الأخضر الأصفر

وصف

طول الموجة (λ د )

نانومتر

585،615،620 ~  630

587 ~ 592

568 ~ 573

أنا F = 20MA


أساليب النمو: موكفد، مبي

= نمو الفيلم مع علاقة بلورية بين الفيلم والركيزة هوموبيتاكسي (أوتوبيتاكسي، إيزوبيتاكسي) = الفيلم والركيزة هي نفس المادة هيتيروبيتاكسي = الفيلم والركيزة هي ماتريالبليس مختلفة مزيد من المعلومات من أساليب النمو، يرجى النقر على ما يلي: هتب: // ووو .powerwaywafer.com / رقاقة technology.html

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.

منتجات ذات صله

غاس الكريستال

غاس (الغاليوم الزرنيخ) رقائق

بوام تطوير وتصنيع ركائز مركب أشباه الموصلات-الكريستال الغاليوم زرنيخيد وافر.لقد استخدمت التكنولوجيا المتقدمة النمو الكريستال، وتجميد التدرج الرأسي (فغف) وتكنولوجيا معالجة غاس رقاقة، أنشأت خط إنتاج من نمو الكريستال، وقطع، وطحن لتلميع تجهيز وبناء غرفة نظيفة 100 درجة لتنظيف ويفر والتعبئة والتغليف. لدينا غاس رقاقة تشمل 2 ~ 6 بوصة سبيكة / رقائق ل ليد، ل10

رقاقة سيك

تطبيق سيك

ويرجع ذلك إلى الخصائص الفيزيائية والالكترونية سيك، كربيد السيليكون الجهاز القائم هي مناسبة بشكل جيد لالكهروضوئية الطول الموجي قصيرة، ارتفاع في درجة الحرارة، مقاومة للإشعاع، وعالية الطاقة / عالية التردد الأجهزة الإلكترونية، مقارنة مع سي و غاس الجهاز القائم.10

غان إكسيتاكسي

غان مقرها ليد الفوقي رقاقة

غم (نيتريد الغاليوم) القائم على بام-شيامن لرقاقة الفوقي الصمام هو سطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الباعثة للضوء الثنائيات (ليد) وثنائيات الليزر (لد) التطبيق.

nanofabrication

قناع الصورة

بام شيامن العروض الأقنعة قناع الصورة هو طلاء رقيقة من المواد اخفاء بدعم من الركيزة سمكا، والمواد امتصاص يمتص الضوء بدرجات متفاوتة ويمكن أن تكون منقوشة مع تصميم مخصص. يتم استخدام نمط لتعديل الضوء ونقل نمط من خلال عملية الضوئية التي هي العملية الأساسية المستخدمة لبناء تقريبا كل من الأجهزة الرقمية اليوم.10

الركيزة إنسب

إنزب الويفر

شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

سيك كريستال

سيك إبيتاكسي

ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10

الجرمانيوم الركيزة

غي (الجرمانيوم) بلورات واحدة والرقائق

بام يقدم مواد أشباه الموصلات، الكريستال واحد (غي) الجرمانيوم رقاقة نمت بواسطة فغف / ليك

رقاقة السيليكون

رقاقة مصقولة

ف)، أساسا لإنتاج مقوم السيليكون (سر)، مقوم السيليكون المحكم (سر)، الترانزستور العملاق (غر)، الثايرستور (غرو)

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.