الصفحة الرئيسية / منتجات / غاس رقاقة /

غاس (الغاليوم الزرنيخ) رقائق

منتجات

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

غاس (الغاليوم الزرنيخ) رقائق

غاس (الغاليوم الزرنيخ) رقائق

بوام تطوير وتصنيع ركائز مركب أشباه الموصلات-الكريستال الغاليوم زرنيخيد وافر.لقد استخدمت التكنولوجيا المتقدمة النمو الكريستال، وتجميد التدرج الرأسي (فغف) وتكنولوجيا معالجة غاس رقاقة، أنشأت خط إنتاج من نمو الكريستال، وقطع، وطحن لتلميع تجهيز وبناء غرفة نظيفة 100 درجة لتنظيف ويفر والتعبئة والتغليف. لدينا غاس رقاقة تشمل 2 ~ 6 بوصة سبيكة / رقائق ل ليد، لد والالكترونيات الدقيقة التطبيقات. نحن دائما مخصصة لتحسين نوعية فرعية حاليا وتطوير ركائز كبيرة الحجم.

  • موك :

    1
  • تفاصيل المنتج

(غاس) الغاليوم رقائق الزرنيخ


بوام تطوير وتصنيع ركائز مركب أشباه الموصلات-الكريستال الغاليوم زرنيخيد وافر.لقد استخدمت التكنولوجيا المتقدمة النمو الكريستال، وتجميد التدرج الرأسي (فغف) وتكنولوجيا معالجة غاس رقاقة، أنشأت خط إنتاج من نمو الكريستال، وقطع، وطحن لتلميع تجهيز وبناء غرفة نظيفة 100 درجة لتنظيف ويفر والتعبئة والتغليف. لدينا غاس رقاقة تشمل 2 ~ 6 بوصة سبيكة / رقائق ل ليد، لد والالكترونيات الدقيقة التطبيقات. نحن دائما مخصصة لتحسين نوعية فرعية حاليا وتطوير ركائز كبيرة الحجم.


(غاس) الغاليوم رقائق الغرنيد لتطبيقات ليد


بند

مواصفات

ملاحظات

نوع التوصيل

الشوري / ن من نوع

سك / p- نوع مع  زن مخدر المتاحة

طريقة النمو

VGF

وEMSP.

إشابة

السيليكون

زن المتاحة

رقاقة ديامتر

2، 3 u0026 أمب؛ 4  بوصة

سبيكة أو كما قطع  availalbe

كريستال  اتجاه

(100) 2 / 6 /15 إيقاف  (110)

آخر  ميسورينتاتيون المتاحة

من

إج أو لنا

وEMSP.

الناقل  تركيز

(0.4 ~ 2.5) E18 / سم 3

وEMSP.

المقاومة في  غ

(1.5 ~ 9) ه-3  ohm.cm

وEMSP.

إمكانية التنقل

1500 ~ 3000cm 2 /v.sec

وEMSP.

حفر حفرة الكثافة

العلامة u0026 lt؛ 5000 / سم 2

وEMSP.

الليزر وسم

عند الطلب

وEMSP.

صقل الأسطح

p / e أو p / p

وEMSP.

سماكة

220 ~ 450um

وEMSP.

إبيتاكسي جاهزة

نعم فعلا

وEMSP.

صفقة

رقاقة واحدة  حاوية أو كاسيت

وEMSP.


(غاس) الغاليوم رقائق الزرنيخ للتطبيقات لد


بند

مواصفات

ملاحظات

نوع التوصيل

الشوري / ن من نوع

وEMSP.

طريقة النمو

VGF

وEMSP.

إشابة

السيليكون

وEMSP.

رقاقة ديامتر

2، 3 u0026 أمب؛ 4  بوصة

سبيكة أو كما قطع  متاح

كريستال  اتجاه

(100) 2 / 6 /15 إيقاف  (110)

آخر  ميسورينتاتيون المتاحة

من

إج أو لنا

وEMSP.

الناقل  تركيز

(0.4 ~ 2.5) E18 / سم 3

وEMSP.

المقاومة في  غ

(1.5 ~ 9) ه-3  ohm.cm

وEMSP.

إمكانية التنقل

1500 ~ 3000 سم 2 /v.sec

وEMSP.

حفر حفرة الكثافة

العلامة u0026 lt؛ 500 / سم 2

وEMSP.

الليزر وسم

عند الطلب

وEMSP.

صقل الأسطح

p / e أو p / p

وEMSP.

سماكة

220 ~ 350um

وEMSP.

إبيتاكسي جاهزة

نعم فعلا

وEMSP.

صفقة

رقاقة واحدة  حاوية أو كاسيت

وEMSP.


(غاس) الغاليوم رقائق الزرنيخ، شبه العازلة لتطبيقات الالكترونيات الدقيقة


بند

مواصفات

ملاحظات

نوع التوصيل

العازلة

وEMSP.

طريقة النمو

VGF

وEMSP.

إشابة

undoped

وEMSP.

رقاقة ديامتر

2، 3 u0026 أمب؛ 4  بوصة

قالب لصب المعادن  متاح

كريستال  اتجاه

(100) +/- 0.5

وEMSP.

من

إج، لنا أو الشق

وEMSP.

الناقل  تركيز

ن / أ

وEMSP.

المقاومة في  غ

u0026 غ؛ 1e7 ohm.cm

وEMSP.

إمكانية التنقل

u0026 غ؛ 5000 سم 2 /v.sec

وEMSP.

حفر حفرة الكثافة

u0026 لوت؛ 8000 / سم 2

وEMSP.

الليزر وسم

عند الطلب

وEMSP.

صقل الأسطح

ع / ع

وEMSP.

سماكة

350 ~ 675um

وEMSP.

إبيتاكسي جاهزة

نعم فعلا

وEMSP.

صفقة

رقاقة واحدة  حاوية أو كاسيت

وEMSP.


6 "(غاس) الغاليوم رقائق الزرنيخ، شبه العازلة لتطبيقات الالكترونيات الدقيقة


بند

مواصفات

ملاحظات

نوع التوصيل

شبه العازلة

وEMSP.

تنمو الطريقة

VGF

وEMSP.

إشابة

undoped

وEMSP.

اكتب

ن

وEMSP.

diamater (مم)

150 ± 0.25

وEMSP.

اتجاه

(100) 0 ± 3.0

وEMSP.

حز  اتجاه

010 ± 2

وEMSP.

الشق العميق (مم)

(1-1.25) مم 89 -95

وEMSP.

الناقل  تركيز

ن / أ

وEMSP.

المقاومة (ohm.cm)

u003e 1.0 × 10 7 أو 0.8-9 × 10 -3

وEMSP.

التنقل (CM2 / v.s)

ن / أ

وEMSP.

انخلاع

ن / أ

وEMSP.

سمك (ميكرون)

675 ± 25

وEMSP.

استبعاد الحافة  ل القوس و الاعوجاج (مم)

ن / أ

وEMSP.

القوس (ميكرون)

ن / أ

وEMSP.

السدى (ميكرون)

≤20.0

وEMSP.

TTV (ميكرون)

10.0

وEMSP.

النقل البري الدولي (ميكرون)

≤10.0

وEMSP.

lfpd (ميكرون)

ن / أ

وEMSP.

تلميع

p / p إيبي-ريدي

وEMSP.


2 "لوت-غاس (منخفضة درجة الحرارة نمت زرنيخ الغاليوم) مواصفات رقاقة


بند

مواصفات

ملاحظات

diamater (مم)

Ф 50.8mm ± 1mm

وEMSP.

سماكة

1-2um أو 2-3um

وEMSP.

ماركو، عيب  كثافة

5 سم -2

وEMSP.

المقاومة (300K)

وGT (10)؛ 8 أوم سم

وEMSP.

الناقل

u003c 0.5ps

وEMSP.

انخلاع  كثافة

العلامة u0026 lt؛ 1X10 6 سم -2

وEMSP.

سطح قابل للاستخدام  منطقة

80٪

وEMSP.

تلميع

جانب واحد  مصقول

وEMSP.

المادة المتفاعلة

غاس الركيزة

وEMSP.


* نحن أيضا يمكن توفير بولي غاس الكريستال بار، 99.9999٪ (6n).

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.

منتجات ذات صله

غاس الكريستال

غاس إبيوافر

ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما و p نمت من قبل مبي أو موكفد. نحن توريد الهياكل المخصصة لتلبية مواصفات العملاء. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.10

الفجوة الركيزة

الفجوة رقاقة

شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

سيك كريستال

الركيزة سيك

بام شيامن تقدم رقائق أشباه الموصلات كربيد السيليكون، 6H سيك و 4 H سيك في درجات الجودة المختلفة للباحث والمصنعين الصناعة. قمنا بتطوير تكنولوجيا النمو الكريستالية الكريستال الكريستالي وكذا الكريستال رقاقة تكنولوجيا معالجة، أنشأت خط الإنتاج إلى الصانع الركيزة سيك، والذي يتم تطبيقه في الجهاز غان نبتاكسي، وأجهزة السلطة، جهاز درجة الحرارة العالية والأجهز10

CZT

كاشف كاشف

يوفر بام-شيامن كاشفات تستند تشت من قبل التكنولوجيا كاشف الحالة الصلبة للأشعة السينية أو أشعة غاما، والتي لديها أفضل قرار الطاقة مقارنة مع التلألؤ الكريستال الكاشف القائم، بما في ذلك كاشف مستو كت، كشت بيكسيلاتد كاشف، تشت شارك في مستو غري10

الجرمانيوم الركيزة

غي (الجرمانيوم) بلورات واحدة والرقائق

بام يقدم مواد أشباه الموصلات، الكريستال واحد (غي) الجرمانيوم رقاقة نمت بواسطة فغف / ليك

رقاقة السيليكون

رقاقة مصقولة

ف)، أساسا لإنتاج مقوم السيليكون (سر)، مقوم السيليكون المحكم (سر)، الترانزستور العملاق (غر)، الثايرستور (غرو)

سيك كريستال

سيك إبيتاكسي

ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10

إنب الركيزة

إنب رقاقة

شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.