شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).
شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).
فوسفيد الإنديوم (إنب) هو أشباه الموصلات ثنائي يتألف من الإنديوم والفوسفور. فإنه يحتوي على وجهه مكعب مكعب ("الزنك بليند") هيكل الكريستال، مماثلة لتلك التي من غاس ومعظم من أشباه الموصلات إي-V- الفوسفات الثالث يمكن إعداد من رد فعل الفوسفور الأبيض و يوديد الإنديوم [التوضيح اللازمة] في 400 درجة مئوية، [5] أيضا عن طريق الجمع المباشر بين العناصر المنقى في درجات الحرارة العالية والضغط، أو عن طريق التحلل الحراري لمزيج من مركب الإنديوم ثلاثي الألكيل والفوسفيد. إنب يستخدم في الالكترونيات عالية الطاقة وعالية التردد [بحاجة لمصدر] بسبب سرعة الإلكترون متفوقة فيما يتعلق السيليكون أشباه الموصلات وأكثر شيوعا زرنيخيد الغاليوم.
| مواصفات رقاقة | |
| بند | مواصفات |
| قطر الرقاقة | 50.5 ± 0.4MM |
| الكريستال التوجه | (100) ± 0.1 درجة |
| سماكة | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| طول شقة الابتدائي | 16 ± 2mm في |
| الثانوية طول شقة | 8 ± 1MM |
| صقل الأسطح | p / e، p / p |
| صفقة | إيبي جاهزة، حاوية واحدة رقاقة أو سف كاسيت |
| الكهربائية و المنشطات المواصفات | ||||||
| نوع التوصيل | نوع ن | نوع ن | نوع ن | نوع ن | نوع ف | نوع ف |
| إشابة | undoped | حديد | قصدير | كبريت | زنك | انخفاض الزنك |
| e.d.p سم -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| التنقل cm² v -1 الصورة -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | غير محدد | غير محدد |
| الناقل تركيز سم -3 | ≤ 10 16 | شبه العازلة | ( 7-40 ) * 10 17 | ( 1-10 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 1 |
شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100)
FZ-السيليكون يتم إنتاج السيليكون أحادية البلورية مع خصائص المحتوى المنخفض المواد الأجنبية، وانخفاض كثافة العيب والهيكل الكريستال الكمال مع عملية تعويم منطقة، لا يتم إدخال أي مواد أجنبية خلال نمو الكريستال. الموصلية F- السيليكون هو عادة فوق 1000 Ω-سم، و F- السيليكون يستخدم أساسا لإنتاج العناصر العكسي الجهد العالي والأجهزة الضوئية.10
و الحفر رقاقة لديه خصائص خشونة منخفضة، لمعان جيدة وتكلفة منخفضة نسبيا، وبدائل مباشرة رقاقة مصقولة أو رقاقة الفوقي التي لديها تكلفة عالية نسبيا لإنتاج العناصر الإلكترونية في بعض المجالات، للحد من التكاليف. هناك خشونة منخفضة، وانعكاسية منخفضة، وعكسة النقش عالية الانعكاسية.10
بام شيامن العروض الأقنعة قناع الصورة هو طلاء رقيقة من المواد اخفاء بدعم من الركيزة سمكا، والمواد امتصاص يمتص الضوء بدرجات متفاوتة ويمكن أن تكون منقوشة مع تصميم مخصص. يتم استخدام نمط لتعديل الضوء ونقل نمط من خلال عملية الضوئية التي هي العملية الأساسية المستخدمة لبناء تقريبا كل من الأجهزة الرقمية اليوم.10
شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
