يتم استخدام algainp في تصنيع الثنائيات الباعثة للضوء ذات اللون الأحمر والبرتقالي والأخضر والأصفر العالي السطوع ، لتشكيل الضوء البيني غير المتجانس. يتم استخدامه أيضا لصنع ليزر ديود.
غالبًا ما تزرع طبقة algainp بواسطة heteroepitaxy على زرنيخيد ال gallاليوم أو فوسفيد الغاليوم من أجل تكوين بنية بئر كمومية.
مواصفات رقائق الجيناب على الرقائق
algainp أدى رقاقة للرقاقة
item no.:pam-cayg1101
أبعاد:
تقنية النمو - mocvd
المواد الركيزة: زرنيخيد الغاليوم
توصيل الركيزة: ن نوع
قطر: 2 \"
● أبعاد الشريحة:
1) حجم الشريحة: حجم الجبهة: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)
الجانب الخلفي: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)
2) سمك رقاقة: 7mil (± 1mil)
3) حجم لوحة: 4mil (± 0.5mil)
4) هيكل: انظر 1-1
● الخصائص الكهروضوئية
|
معامل |
شرط |
دقيقة. |
الطباع. |
كحد أقصى. |
وحدة |
|
التيار المتجه للامام ( vf1 ) |
إذا = 10μa |
1.35 |
﹎ |
﹎ |
الخامس |
|
التيار المتجه للامام ( VF2 ) |
إذا = 20MA |
﹎ |
﹎ |
2.2 |
الخامس |
|
الجهد العكسي ( LR ) |
VR = 10V |
﹎ |
﹎ |
2 |
أمبير |
|
مهيمن الطول الموجي ( λ د) |
إذا = 20MA |
565 |
﹎ |
575 |
نانومتر |
|
FWHM ( Δλ ) |
إذا = 20MA |
﹎ |
10 |
﹎ |
نانومتر |
● كثافة مضيئة:
|
الشفرة |
قانون العمل |
دينار |
لو |
LF |
إل جي |
LH |
لى |
|
د (المجتمعيه) |
20-30 |
25-35 |
30-35 |
35-50 |
40-60 |
50-70 |
60-80 |
ثغرة عصابية متوترة من الجينب على غااس الركيزة
في هذا البرنامج التعليمي ، نرغب في دراسة الفجوات في النطاق من alxgayin1-x-yp المتوتر على ركيزة gaas.
يتم أخذ المعلمات المادية من
معلمات النطاق لأشباه الموصلات المركبة من النوع iii-v وسبائكها
أنا. vurgaftman ، j.r. ماير ، ل. ر. رام موهان
ي. تطبيق ورقة. فيز. 89 (11) و 5815 (2001)
لفهم تأثير الإجهاد على فجوة النطاق على المكونات الفردية لهذه الرباعية ، ندرس التأثيرات أولاً
|
1) ألب |
متكلف tensilely |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
2) الفجوة |
متكلف tensilely |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
3) الشرطة الوطنية العراقية |
متكلف compressively |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
4) آل س الجا 1-س ص |
متكلف tensilely |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
5) الجا س في 1-س ص |
متكلف |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
6) آل س في 1-س ص |
متكلف |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
7) آل 0.4 الجا 0.6 ص |
متكلف tensilely |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
8) الجا 0.4 في 0.6 ص |
متكلف compressively |
بالنسبة إلى الغاليوم |
|
9) آل 0.4 في 0.6 ص |
متكلف compressively |
بالنسبة إلى الغاليوم |
كل طبقة من المواد لديها طول 10 نانومتر في المحاكاة.
تختلف طبقات المواد 4) و 5) و 6) محتويات سبيكة الخاصة بها بشكل خطي:
|
4) آل س الجا 1-س ص من 10 نانومتر إلى 20 نانومتر من س = 0.0 إلى س = 1.0 |
|
5) الجا س في 1-س ص من 30 نانومتر إلى 40 نانومتر من س = 0.0 إلى س = 1.0 |
|
6) آل س في 1-س ص من 50 نانومتر إلى 60 نانومتر من س = 1.0 إلى س = 0.0 |
معامل الانكسار للالجين
المصدر: بام - شيامن
لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ،
الصورة قم بإنهاء البريد الإلكتروني الخاص بنا على luna@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com .
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
