لتحقيق كربيد السيليكون عالية الأداء ( كربيد ) يجب تطوير أجهزة الطاقة ، والاتصالات الأومنية منخفضة المقاومة إلى كربيد نوع سين. للحد من مقاومة التلامس الأومية ، هناك حاجة إلى خفض ارتفاع الحاجز في الواجهات المعدنية / كربيد أو زيادة تركيز المنشطات في ركائز كربيد السيليكون. بما أن الحد من ارتفاع الحاجز صعب للغاية ، فإن الزيادة في تركيز المنشطات في 4H-كربيد من قبل تقنية زرع ايون تم الطعن. تم ترسيب المعادن Ti / Al و Ni / Ti / Al (حيث تشير علامة القطع "/" تشير إلى تسلسل الترسيب) على ركائز SiC المزروعة بالأيونات. بمقارنة مقاومة التلامس التجريبية والنظرية ، تم الانتهاء من آلية النقل الحالية من خلال الواجهات المعدنية / SiC لتكون انبعاثات حقل حرارية ، وتم تحديد ارتفاع الحاجز ليكون 0.4 ~ eV. على الرغم من أن تركيز الثقب زاد بزيادة تركيز المنشطات في 4H-SiC ، فإن ارتفاع الحاجز عند السطوح البينية للمعادن / SiC يرجع إلى الكثافة العالية من حلقات التفكك الملاحظة في طبقات SiC المزروعة بواسطة المجهر الإلكتروني النافذ. تشير التجارب الحالية إلى أن الاتصالات الأومنية منخفضة المقاومة ستتشكل عند استخدام تقنية للقضاء على عيوب البلورة المتكونة في ركائز 4H-SiC بعد زرع أيونات.

المصدر: IOPscience

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت:www.semiconductorwafers.ne ر،

أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com