لتحقيق كربيد السيليكون عالية الأداء ( كربيد ) يجب تطوير أجهزة الطاقة ، والاتصالات الأومنية منخفضة المقاومة إلى كربيد نوع سين. للحد من مقاومة التلامس الأومية ، هناك حاجة إلى خفض ارتفاع الحاجز في الواجهات المعدنية / كربيد أو زيادة تركيز المنشطات في ركائز كربيد السيليكون. بما أن الحد من ارتفاع الحاجز صعب للغاية ، فإن الزيادة في تركيز المنشطات في 4H-كربيد من قبل تقنية زرع ايون تم الطعن. تم ترسيب المعا...
ال تطوير سوق SiC و GaN الطاقة أشباه الموصلات الحالة الراهنة لسوق التكنولوجيا والسوق ، و اتجاه التنمية في السنوات القليلة المقبلة. سوق جهاز كربيد واعدة. مبيعات حاجز شوتكي تنضج الثنائيات ومن المتوقع أن تزداد شحنات MOSFET إلى حد كبير على مدى السنوات الثلاث المقبلة. وفقا لمحللي Yole Développement ، كربيد هو ناضجة جدا من حيث الثنائيات ، و GaN لا يوجد لديه أي تحد على الإطلاق لدوائر كربيد السيليكون مع ال...
في هذه الورقة ، باستخدام محاكي جهاز حراري إليكتروني ثلاثي الأبعاد بالكامل ، ندرس آلية تدهور الكفاءة عند التشغيل المرتفع الحالي في المستو G ا الصمامات التي ينبعث منها ضوء ينبعث منها (يؤدى). على وجه الخصوص ، وقد ثبت تحسين تدهور الكفاءة باستخدام ركائز GaN موصل سمكا. أولا ، تم العثور على أن تسخين جول المحلي داخل ركائز غاينوميكية موصلة رقيقة يحط من كفاءة الكم الداخلية (IQE) ويزيد من مقاومة السلسلة. ثم ...
بالنسبة للمواد المتجانسة ، فإن طريقة الغمر بالموجات فوق الصوتية ، المرتبطة بعملية تحسين عددية تعتمد في الغالب على خوارزمية نيوتن ، تسمح بتحديد الثوابت المرنة لمختلف المواد المركبة الاصطناعية والطبيعية. ومع ذلك ، يحدث تقييد رئيسي لإجراءات التحسين الحالية عندما تكون المادة المدروسة في حدود الفرضية المتجانسة. هذه هي حالة مصفوفة كربيد المنسوجة ثنائية الاتجاه و ألياف SiC مادة مركبة. في هذه الدراسة ، قم...
وقد تم تطوير مفاعل epi ذي جدران عمودية يجعل من الممكن تحقيق معدل نمو مرتفع وتوحيد مساحة كبيرة في نفس الوقت. يتم تحقيق أقصى معدل نمو 250 ميكرومتر / ساعة مع مورفولوجيا تشبه مرآة في 1650 درجة مئوية. تحت المعدل برنامج التحصين الموسع مفاعل إعداد ، تماثل سمك 1.1 ٪ وتوحيد المنشطات من 6.7 ٪ لمساحة نصف قطرها 65 ملم مع الحفاظ على معدل نمو مرتفع من 79 ميكرومتر / ساعة. يتم الحصول على تركيز منشط منخفض قدره 1 ×...
يتم استعراض التطورات الحديثة في نمو أفلام SiC فوق المحور على Si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو أفلام SiC واستكشاف مزاياها وعيوبها. الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتركيب أفلام SiC الفوقيةيتم إعطاء على سي. سيظهر أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافًا كبيرًا عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة. تعتمد الطري...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
