www.semiconductorwafers.net

تقنية الربط المباشر لرقاقة الويفر قادرة على دمج رقاقتين سلستين ، وبالتالي يمكن استخدامها في تصنيع الخلايا الشمسية متعددة الوصلات من النوع i – v مع عدم تطابق شعرية. من أجل الربط المترابط بين subp / gpas و ingaas / ingaas subcells ، يجب أن يكون gaas / inp heterojunction تقاطع أومية عالية التوصيل أو تقاطع نفق.

تم تصميم ثلاثة أنواع من واجهات الترابط عن طريق ضبط نوع التوصيل وعناصر تعاطي المنشطات الغاليوم و الشرطة الوطنية العراقية . الخواص الكهربائية لـ p-gaas (zn doped) / n-inp (si doped) ، p-gaas (c doped) / n-inp (si doped) و n-gaas (si doped) / n-inp (si doped ) تم تحليل heterojunctions المستعبدين من خصائص i-v. تم دراسة عملية ربط الرقاقة من خلال تحسين جودة سطح العينة وتحسين بارامترات الترابط مثل درجة حرارة الترابط وضغط الترابط ووقت الترابط وهلم جرا. وأخيراً ، تم تحضير الخلايا الشمسية رباعية الوصلات / الكسب / ingaasp / ingaas بواسطة تقنية الربط المباشر لرقاقة الويفر بكفاءة عالية بنسبة 34.14٪ في حالة am0 (1 شمس).

مصدر: iopscience

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: www.semiconductorwafers.net ،

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com