باستخدام ترسيب البخار الكيميائي المحسّن البلازما (PECVD) عند 13.56 ميجاهيرتز ، يتم تصنيع طبقة البذور في مرحلة النمو الأولي من الجريزوفولفين المهدرج الجرمانيوم السيليكون (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. آثار عمليات البذر على نمو μc-Si1 − xGex: H i-layers وأداء μc-Si1 − xGex: H p — i— n خلايا شمسية مفصلية واحدة يتم التحقيق. من خلال تطبيق طريقة البذر هذه ، تظهر الخلية الشمسية μc-Si1 − xGex: H تحسناً كبيراً في كثافة تيار الدائرة القصيرة (Jsc) وعامل التعبئة (FF) مع أداء مقبول للاستجابة الزرقاء كخلية شمسية μc-Si: H حتى عندما يزيد حجم محتوى X إلى 0.3. وأخيرًا ، تم تحقيق كفاءة محسنة بنسبة 7.05٪ للخلية الشمسية μc-Si0.7Ge0.3: H.
مصدر: iopscience
لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت:semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com .
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
