نقدم عملية جديدة لدمجها الجرمانيوم مع رقائق السيليكون على العوازل (صوا). يزرع الجرمانيوم في صوا وهو مؤكسد ثم يحصر الجرمانيوم بين طبقتين من الأكسيد (أكسيد النواة والأكسيد المدفون). مع التحكم الدقيق في ظروف الزرع والأكسدة هذه العملية يخلق طبقة رقيقة (التجارب الحالية تشير إلى 20-30nm) من الجرمانيوم النقي تقريبا. يمكن استخدام الطبقة على الأرجح لتصنيع كشافات ضوئية متكاملة حساسة للأطوال الموجية للأشعة ت...
يتم استعراض التقدم الأخير في نمو الأفلام الفوق صوتي si على si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو الأفلام السينمائية ويتم استكشاف مزاياها وعيوبها. يتم إعطاء الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتوليف أفلام sic الفوقي على si. سيتبين أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافاً كبيراً عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة....
فحص التصوير الطبوغرافي و الكيميائي بالأشعة السينية لـ Si: Ge single crystal يحتوي على 1.2 في٪ و 3.0 عند٪ Ge ، مع قياسات معلمة لشبكة شعرية دقيقة. وقد لوحظت تباينات الانعراج في شكل "دوائر شبه مركزية" متراكزة (ربما بسبب التوزع غير المنتظم لذرات القشرة الأرضية) في طبوغرافية الإسقاط. كشفت أنماط النقش العصابات المقابلة للتضيقات والاختلالات مثل حفر الحفر. عرضت المنطقة المركزية "المركزية&qu...
باستخدام ترسيب البخار الكيميائي المحسّن البلازما (PECVD) عند 13.56 ميجاهيرتز ، يتم تصنيع طبقة البذور في مرحلة النمو الأولي من الجريزوفولفين المهدرج الجرمانيوم السيليكون (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. آثار عمليات البذر على نمو μc-Si1 − xGex: H i-layers وأداء μc-Si1 − xGex: H p — i— n خلايا شمسية مفصلية واحدة يتم التحقيق. من خلال تطبيق طريقة البذر هذه ، تظهر الخلية الشمسية μc-Si1 − xGex: H تحسناً كبيرا...
تجارب متعامدة لنمو أفلام GaSb على الركيزة GaAs وقد تم تصميمها وتنفيذها باستخدام نظام ترسيب بالبخار الكيميائي الفلزي العضوي منخفض الضغط (LP-MOCVD). تم تحليل البلورات والبنى الدقيقة للأغشية المنتجة بشكل نسبي لتحقيق معايير النمو المثلى. لقد تم إثبات أن الغشاء الرفيع GaSb المُحسَّن لديه عرض كامل ضيق عند نصف الحد الأقصى (358 arc sec) لمنحنى هزاز (004) and ، وسطح أملس ذو خشونة منخفضة متوسطة الجذور تبلغ ...
يتم استعراض التطورات الحديثة في نمو أفلام SiC فوق المحور على Si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو أفلام SiC واستكشاف مزاياها وعيوبها. الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتركيب أفلام SiC الفوقيةيتم إعطاء على سي. سيظهر أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافًا كبيرًا عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة. تعتمد الطري...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
