ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
عملية لخفض كثافة خلع في 3 بوصة f-doped رقائق الويفر لقد تم وصفه. عملية نمو البلورة هي czochralsky مغلفة السائل التقليدي (lec) ولكن تم إضافة الدروع الحرارية من أجل تقليل التدرج الحراري في الكريستال المتزايد. وقد تم تحسين شكل هذه الدروع بمساعدة محاكاة عددية لنقل الحرارة والضغط الحراري الحراري. تم تنفيذ هذه العملية خطوة بخطوة مع ردود الفعل المستمر بين الحسابات والتجارب. تم الحصول على تخفيض 50 ٪ من ال...
نمت شرائح inas على قمة جزر gaas ، التي تم إنشاؤها في البداية عن طريق epitaxy قطيرات على الركيزة السيليكون. قمنا بشكل منهجي باستكشاف مساحة معلمات النمو لترسب الأسماء ، وتحديد شروط النمو الانتقائي الغاليوم ونمو محوري بحت. تم تشكيل شرائح inas axial مع جوانبها التي تم تدويرها بـ 30 $ ^ {{} ^ circ} $ مقارنة بجزر gaas الأساسية أسفلها. أوضح تجارب انعراج أشعة إكس سنكروترون أن إيناس تزرع شرائح الاسترخاء عل...
يقترح هذا الورقة ثلاثية الأبعاد الجديدة (3D) الليثوغرافيا الضوئية التكنولوجيا لعملية micropatterning عالية الدقة على ركيزة الألياف. كما تم تقديم استعراض موجز لتكنولوجيا الطباعة الحجرية للسطح غير المستوي. تشتمل التقنية المقترحة بشكل أساسي على التصنيع الدقيق لوحدة التعرض ثلاثية الأبعاد وترسيب الأفلام الرقيقة المقاومة على الألياف. يتم إعداد وحدة التعرض 3D بنجاح من خلال النقش الرطب لركيزة الكوارتز وطر...
كثافة وتشتت الضوء كثافة الأكسجين تترسب في cz السيليكون يتم قياس بلورات بواسطة الأشعة المقطعية الأشعة نثر الضوء. وتناقش البيانات العددية الموضحة من خلال القياسات فيما يتعلق كمية الأوكسجين المترسب. تتوافق النتائج التي تم الحصول عليها هنا مع التحليل النظري لأن رواسب الأكسجين تسبب تشتت الضوء. تشرح المعلومات التي تم الحصول عليها عن طريق الأشعة المقطعية ir تشتت الضوء بشكل جيد جدا عملية الترسيب من الأكسج...
يتم دراسة بلورات أحادية البلورة من نوع (GaSb) من خلال قياس تأثير القاعة ، وأطقم الأشعة تحت الحمراء (IR) ، والأطياف الضوئية (PL). وجد أنه يمكن الحصول على GaSb من النوع n مع نفاذية IR بنسبة تصل إلى 60٪ بواسطة التحكم الحرج في تركيز Te-doping والتعويض الكهربائي. يبدو أن تركيز العيوب المرتبطة بالمستقبل المحلي منخفض في الـ Te-doped GaSb مقارنة مع تلك في GaSb غير المحبوب و بشدة. يتم تحليل آلية النفاذية ا...
ال تطوير سوق SiC و GaN الطاقة أشباه الموصلات الحالة الراهنة لسوق التكنولوجيا والسوق ، و اتجاه التنمية في السنوات القليلة المقبلة. سوق جهاز كربيد واعدة. مبيعات حاجز شوتكي تنضج الثنائيات ومن المتوقع أن تزداد شحنات MOSFET إلى حد كبير على مدى السنوات الثلاث المقبلة. وفقا لمحللي Yole Développement ، كربيد هو ناضجة جدا من حيث الثنائيات ، و GaN لا يوجد لديه أي تحد على الإطلاق لدوائر كربيد السيليكون مع ال...
في هذه الورقة ، باستخدام محاكي جهاز حراري إليكتروني ثلاثي الأبعاد بالكامل ، ندرس آلية تدهور الكفاءة عند التشغيل المرتفع الحالي في المستو G ا الصمامات التي ينبعث منها ضوء ينبعث منها (يؤدى). على وجه الخصوص ، وقد ثبت تحسين تدهور الكفاءة باستخدام ركائز GaN موصل سمكا. أولا ، تم العثور على أن تسخين جول المحلي داخل ركائز غاينوميكية موصلة رقيقة يحط من كفاءة الكم الداخلية (IQE) ويزيد من مقاومة السلسلة. ثم ...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
