تجارب متعامدة لنمو أفلام GaSb على الركيزة GaAs وقد تم تصميمها وتنفيذها باستخدام نظام ترسيب بالبخار الكيميائي الفلزي العضوي منخفض الضغط (LP-MOCVD). تم تحليل البلورات والبنى الدقيقة للأغشية المنتجة بشكل نسبي لتحقيق معايير النمو المثلى.

لقد تم إثبات أن الغشاء الرفيع GaSb المُحسَّن لديه عرض كامل ضيق عند نصف الحد الأقصى (358 arc sec) لمنحنى هزاز (004) and ، وسطح أملس ذو خشونة منخفضة متوسطة الجذور تبلغ حوالي 6 نانومتر ، وهو أمر نموذجي في حالة الأفلام أحادية البلورة غير المتجانسة. بالإضافة إلى ذلك ، قمنا بدراسة تأثير سماكة طبقة الغشاء الرفيع GaSb على كثافة الاضطرابات من قبل أطياف رامان. ويعتقد أن بحثنا يمكن أن يوفر معلومات قيمة لتصنيع أفلام GaSb عالية البلورية ويمكن تعزيز احتمال تكامل أجهزة الأشعة تحت الحمراء المصنعة على الأجهزة الإلكترونية ذات الأداء السائد.

مصدر: iopscience

لمزيد من المعلومات أو أكثر عن منتجاتنا عالية الجودة مثل GaSb ويفر ، الركيزة GaSb يرجى زيارة موقعنا على شبكة الانترنت:semiconductorwafers.net ،

أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com .