www.semiconductorwafers.net تقنية الربط المباشر لرقاقة الويفر قادرة على دمج رقاقتين سلستين ، وبالتالي يمكن استخدامها في تصنيع الخلايا الشمسية متعددة الوصلات من النوع i – v مع عدم تطابق شعرية. من أجل الربط المترابط بين subp / gpas و ingaas / ingaas subcells ، يجب أن يكون gaas / inp heterojunction تقاطع أومية عالية التوصيل أو تقاطع نفق. تم تصميم ثلاثة أنواع من واجهات الترابط عن طريق ضبط نوع التوصيل ...
ديود ليزر مباشر لديها بعض من أكثر الميزات الجذابة من أي الليزر. فهي فعالة للغاية ، مدمجة ، الطول الموجي متعددة الاستخدامات ، منخفضة التكلفة ، وموثوق بها للغاية. ومع ذلك ، فإن الاستخدام الكامل لليزر الصمام الثنائي المباشر لم تتحقق بعد. سوء نوعية ليزر ديود الشعاع نفسه ، تؤثر مباشرة على نطاقات تطبيقه ، من أجل تحسين استخدام مكدس الليزر ديود ، تحتاج إلى تصحيح سليم للنظام البصري ، الأمر الذي يتطلب فهم د...
نحن تقرير عن توليد microdischarges في الأجهزة التي تتألف من microcrystallineالماس. تم إنشاء تصريفات في هياكل الجهاز مع هندسي microhollow تصريف الكاثود. تألفت بنية واحدة من رقاقة عازلة من الألماس المغطاة بطبقات من الماس المشبع بالبورون على كلا الجانبين. يتكون الهيكل الثاني من رقاقة عازلة من الماس مغلفة بطبقات معدنية على كلا الجانبين. في كل حالة ، تم تشكيل ثقب واحد من الملليمتر الفرعي من خلال هيكل ا...
عملية لخفض كثافة خلع في 3 بوصة f-doped رقائق الويفر لقد تم وصفه. عملية نمو البلورة هي czochralsky مغلفة السائل التقليدي (lec) ولكن تم إضافة الدروع الحرارية من أجل تقليل التدرج الحراري في الكريستال المتزايد. وقد تم تحسين شكل هذه الدروع بمساعدة محاكاة عددية لنقل الحرارة والضغط الحراري الحراري. تم تنفيذ هذه العملية خطوة بخطوة مع ردود الفعل المستمر بين الحسابات والتجارب. تم الحصول على تخفيض 50 ٪ من ال...
وقد تم فحص إشعاع الحزم الأيوني كطريقة لإنشاء دعامة أشباه الموصلات النانوية وبُنى مخروطية ، ولكن له عيب في وضع البنية النانوية غير الدقيقة. نحن تقرير عن طريقة لإنشاء و teman nanoscale إيناس المسامير من خلال التركيز شعاع الأيونات (FIB) تشعيع كلا من الأفلام Inaepitaxial InAs و InAs heteroepitaxial على ركائز InP. يتم إنشاء هذه "nanospikes" كما في قطرات ، شكلت بسبب تشعيع FIB ، بمثابة أقنعة حف...
خصائص lasing التي تعتمد على درجة الترابط - درجة الحرارة لـ 1.5 ميكرومتر دايود ليزر GaInAsP (LD) نمت على ارتباط مباشر InP الركيزة أو سي الركيزة تم الحصول عليها بنجاح. لدينا ملفقة البرنامج النووي العراقي المادة المتفاعلة أو ركيزة Si باستخدام تقنية ربط رقاقة الويدروفسك المباشر في درجات الترابط 350 و 400 و 450 درجة مئوية ، وتراكمت GaInAsP أو InP طبقات heterostructure مزدوجة على هذا الركيزة InP / Si. ت...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
