يتم دراسة بلورات أحادية البلورة من نوع (GaSb) من خلال قياس تأثير القاعة ، وأطقم الأشعة تحت الحمراء (IR) ، والأطياف الضوئية (PL). وجد أنه يمكن الحصول على GaSb من النوع n مع نفاذية IR بنسبة تصل إلى 60٪ بواسطة التحكم الحرج في تركيز Te-doping والتعويض الكهربائي. يبدو أن تركيز العيوب المرتبطة بالمستقبل المحلي منخفض في الـ Te-doped GaSb مقارنة مع تلك في GaSb غير المحبوب و بشدة. يتم تحليل آلية النفاذية العالية للأشعة تحت الحمراء من خلال الأخذ بعين الاعتبار عملية الامتصاص الضوئي المعيبة.
المصدر: IOPscience
لمزيد من المعلومات حول منتجاتنا مثل بنية الكريستال نيتريد السيليكون ، رقائق المنطقة العائمة ، كربيد السيليكون رقاقة يرجى زيارة موقعنا على شبكة الانترنت:www.semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
