وقد تم تقييم طبقة الجرافيت متوجا لحماية سطح زرع الفوقي 4H-سيك منقوشة بشكل انتقائي خلال عملية ما بعد الزرع الصلب. تم نسج آز-5214e مقاومة للضوء و خبز في فراغ في درجات حرارة تتراوح بين 750 إلى 850 درجة مئوية لتشكيل طلاء مستمر على حد سواء مستو و ميسا محفورا سيك السطوح مع ميزات تصل إلى 2 ميكرون في الارتفاع. والتحويل الكامل للالمهدرجة فيلم البوليمر مثل في طبقة الجرافيت نانوكريستالين تم التحقق من قبل الط...
(zr0.2ti0.8) نانوديسس o3 و نانورينغز تم تصنيعها على كامل المنطقة (10 مم × 10 مم) من القطب السفلي srroo3 على الركيزة واحدة الكريستال الكريستال srtio3 باستخدام الليزر الطباعة الحجرية التدخل (ليل) جنبا إلى جنب مع ترسب الليزر نابض. تم التحكم في شكل وحجم النانو من قبل كمية من بيزت المودعة من خلال ثقوب منقوشة ودرجة حرارة خطوات ما بعد التبلور. وأظهرت حيود الأشعة السينية والمجهر الإلكتروني انتقال أن نانو ...
www.semiconductorwafers.net تقنية الربط المباشر لرقاقة الويفر قادرة على دمج رقاقتين سلستين ، وبالتالي يمكن استخدامها في تصنيع الخلايا الشمسية متعددة الوصلات من النوع i – v مع عدم تطابق شعرية. من أجل الربط المترابط بين subp / gpas و ingaas / ingaas subcells ، يجب أن يكون gaas / inp heterojunction تقاطع أومية عالية التوصيل أو تقاطع نفق. تم تصميم ثلاثة أنواع من واجهات الترابط عن طريق ضبط نوع التوصيل ...
يتم استعراض التقدم الأخير في نمو الأفلام الفوق صوتي si على si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو الأفلام السينمائية ويتم استكشاف مزاياها وعيوبها. يتم إعطاء الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتوليف أفلام sic الفوقي على si. سيتبين أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافاً كبيراً عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة....
ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
نمت شرائح inas على قمة جزر gaas ، التي تم إنشاؤها في البداية عن طريق epitaxy قطيرات على الركيزة السيليكون. قمنا بشكل منهجي باستكشاف مساحة معلمات النمو لترسب الأسماء ، وتحديد شروط النمو الانتقائي الغاليوم ونمو محوري بحت. تم تشكيل شرائح inas axial مع جوانبها التي تم تدويرها بـ 30 $ ^ {{} ^ circ} $ مقارنة بجزر gaas الأساسية أسفلها. أوضح تجارب انعراج أشعة إكس سنكروترون أن إيناس تزرع شرائح الاسترخاء عل...
يقترح هذا الورقة ثلاثية الأبعاد الجديدة (3D) الليثوغرافيا الضوئية التكنولوجيا لعملية micropatterning عالية الدقة على ركيزة الألياف. كما تم تقديم استعراض موجز لتكنولوجيا الطباعة الحجرية للسطح غير المستوي. تشتمل التقنية المقترحة بشكل أساسي على التصنيع الدقيق لوحدة التعرض ثلاثية الأبعاد وترسيب الأفلام الرقيقة المقاومة على الألياف. يتم إعداد وحدة التعرض 3D بنجاح من خلال النقش الرطب لركيزة الكوارتز وطر...
يتم دراسة بلورات أحادية البلورة من نوع (GaSb) من خلال قياس تأثير القاعة ، وأطقم الأشعة تحت الحمراء (IR) ، والأطياف الضوئية (PL). وجد أنه يمكن الحصول على GaSb من النوع n مع نفاذية IR بنسبة تصل إلى 60٪ بواسطة التحكم الحرج في تركيز Te-doping والتعويض الكهربائي. يبدو أن تركيز العيوب المرتبطة بالمستقبل المحلي منخفض في الـ Te-doped GaSb مقارنة مع تلك في GaSb غير المحبوب و بشدة. يتم تحليل آلية النفاذية ا...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
