يتم استعراض التطورات الحديثة في نمو أفلام SiC فوق المحور على Si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو أفلام SiC واستكشاف مزاياها وعيوبها. الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتركيب أفلام SiC الفوقيةيتم إعطاء على سي. سيظهر أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافًا كبيرًا عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة. تعتمد الطريقة الجديدة على استبدال بعض الذرات في مصفوفة السيليكون بذرات الكربون لتكوين جزيئات كربيد السيليكون. سيظهر أن العملية التالية لتكوين SiC تحدث تدريجيًا دون تدمير البنية البلورية لمصفوفة السيليكون ، ويتم فرض اتجاه الفيلم الناضج بواسطة الهيكل البلوري الأصلي لمصفوفة السيليكون (ليس فقط بواسطة سطح الركيزة كما في الطرق التقليدية لنمو الفيلم). سيتم إجراء مقارنة بين الطريقة الجديدة مع تقنيات epitaxy الأخرى.

الطريقة الجديدة للتضخم في المرحلة الصلبة القائمة على استبدال الذرات وعلى تكوين ثنائيات أقطاب تمدد تحل واحدة من المشاكل الرئيسية في التكاثر المتغاير. إنه يوفر توليف أغشية فوقية غير مقيدة منخفضة العيوب مع اختلاف كبير بين المعلمات الشبكية للفيلم والركيزة دون استخدام أي طبقات عازلة إضافية. تتميز هذه الطريقة بميزة فريدة أخرى تميزها عن التقنيات الكلاسيكية لنمو أفلام SiC - فهي تسمح بتنمية أغشية SiC ذات الأشكال المتعددة السداسية. سيتم وصف نوع جديد من تحول الطور في المواد الصلبة بسبب التحول الكيميائي لمادة إلى أخرى نظريًا وكشفه تجريبياً. هذا النوع من تحويل الطور ، وآلية فئة واسعة من التفاعلات الكيميائية غير المتجانسة بين المراحل الغازية والصلبة ،طبقات SiC فوق المحورية بسبب التفاعل الكيميائي لغاز ثاني أكسيد الكربون مع مصفوفة السيليكون أحادي البلورية. ينتج عن اكتشاف هذه الآلية نوع جديد من القوالب: ركائز ذات طبقات انتقالية عازلة لنمو أشباه الموصلات ذات الفجوة العريضة على السيليكون. سيتم الإبلاغ عن خصائص مجموعة متنوعة من الأفلام غير المتجانسة المحورية لأشباه الموصلات ذات الفجوة الواسعة (SiC و AlN و GaN و AlGaN) المزروعة على ركيزة SiC / Si بواسطة epitaxy في المرحلة الصلبة. لا تحتوي الأفلام المزروعة على شقوق وتتميز بجودة كافية لتصنيع الأجهزة الإلكترونية الدقيقة والبصرية. كما سيتم عرض القدرات الجديدة في تركيب أغشية SiC كبيرة (قطرها 150 مم) منخفضة العيوب على ركائز Si.