يتم استعراض التقدم الأخير في نمو الأفلام الفوق صوتي si على si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو الأفلام السينمائية ويتم استكشاف مزاياها وعيوبها. يتم إعطاء الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتوليف أفلام sic الفوقي على si. سيتبين أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافاً كبيراً عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة....
ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
عملية لخفض كثافة خلع في 3 بوصة f-doped رقائق الويفر لقد تم وصفه. عملية نمو البلورة هي czochralsky مغلفة السائل التقليدي (lec) ولكن تم إضافة الدروع الحرارية من أجل تقليل التدرج الحراري في الكريستال المتزايد. وقد تم تحسين شكل هذه الدروع بمساعدة محاكاة عددية لنقل الحرارة والضغط الحراري الحراري. تم تنفيذ هذه العملية خطوة بخطوة مع ردود الفعل المستمر بين الحسابات والتجارب. تم الحصول على تخفيض 50 ٪ من ال...
كثافة وتشتت الضوء كثافة الأكسجين تترسب في cz السيليكون يتم قياس بلورات بواسطة الأشعة المقطعية الأشعة نثر الضوء. وتناقش البيانات العددية الموضحة من خلال القياسات فيما يتعلق كمية الأوكسجين المترسب. تتوافق النتائج التي تم الحصول عليها هنا مع التحليل النظري لأن رواسب الأكسجين تسبب تشتت الضوء. تشرح المعلومات التي تم الحصول عليها عن طريق الأشعة المقطعية ir تشتت الضوء بشكل جيد جدا عملية الترسيب من الأكسج...
يتم دراسة بلورات أحادية البلورة من نوع (GaSb) من خلال قياس تأثير القاعة ، وأطقم الأشعة تحت الحمراء (IR) ، والأطياف الضوئية (PL). وجد أنه يمكن الحصول على GaSb من النوع n مع نفاذية IR بنسبة تصل إلى 60٪ بواسطة التحكم الحرج في تركيز Te-doping والتعويض الكهربائي. يبدو أن تركيز العيوب المرتبطة بالمستقبل المحلي منخفض في الـ Te-doped GaSb مقارنة مع تلك في GaSb غير المحبوب و بشدة. يتم تحليل آلية النفاذية ا...
في هذه الورقة ، باستخدام محاكي جهاز حراري إليكتروني ثلاثي الأبعاد بالكامل ، ندرس آلية تدهور الكفاءة عند التشغيل المرتفع الحالي في المستو G ا الصمامات التي ينبعث منها ضوء ينبعث منها (يؤدى). على وجه الخصوص ، وقد ثبت تحسين تدهور الكفاءة باستخدام ركائز GaN موصل سمكا. أولا ، تم العثور على أن تسخين جول المحلي داخل ركائز غاينوميكية موصلة رقيقة يحط من كفاءة الكم الداخلية (IQE) ويزيد من مقاومة السلسلة. ثم ...
فحص التصوير الطبوغرافي و الكيميائي بالأشعة السينية لـ Si: Ge single crystal يحتوي على 1.2 في٪ و 3.0 عند٪ Ge ، مع قياسات معلمة لشبكة شعرية دقيقة. وقد لوحظت تباينات الانعراج في شكل "دوائر شبه مركزية" متراكزة (ربما بسبب التوزع غير المنتظم لذرات القشرة الأرضية) في طبوغرافية الإسقاط. كشفت أنماط النقش العصابات المقابلة للتضيقات والاختلالات مثل حفر الحفر. عرضت المنطقة المركزية "المركزية&qu...
تجارب متعامدة لنمو أفلام GaSb على الركيزة GaAs وقد تم تصميمها وتنفيذها باستخدام نظام ترسيب بالبخار الكيميائي الفلزي العضوي منخفض الضغط (LP-MOCVD). تم تحليل البلورات والبنى الدقيقة للأغشية المنتجة بشكل نسبي لتحقيق معايير النمو المثلى. لقد تم إثبات أن الغشاء الرفيع GaSb المُحسَّن لديه عرض كامل ضيق عند نصف الحد الأقصى (358 arc sec) لمنحنى هزاز (004) and ، وسطح أملس ذو خشونة منخفضة متوسطة الجذور تبلغ ...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
