حالة النمو من رقيقة بشكل كبير ملغ قان تم دراسة الطبقة السدودة وتأثيرها على تكوين الأوم الأيوني من النوع p. من المؤكد أن تناول المنشطات بشكل مفرط يمكن أن يعزز بفعالية الاتصال بـ ni / au إلى P- قان بعد التلدين عند 550 درجة مئوية. عندما تكون نسبة معدل التدفق بين مصادر الغاز mg و ga 6.4٪ وعرض الطبقة 25 nm ، فإن طبقة التغطية التي تنمو عند 850 ° c تعرض أفضل خصائص اتصال أومية فيما يتعلق بالمقاومة النوعية...
نحن تقرير عن توليد microdischarges في الأجهزة التي تتألف من microcrystallineالماس. تم إنشاء تصريفات في هياكل الجهاز مع هندسي microhollow تصريف الكاثود. تألفت بنية واحدة من رقاقة عازلة من الألماس المغطاة بطبقات من الماس المشبع بالبورون على كلا الجانبين. يتكون الهيكل الثاني من رقاقة عازلة من الماس مغلفة بطبقات معدنية على كلا الجانبين. في كل حالة ، تم تشكيل ثقب واحد من الملليمتر الفرعي من خلال هيكل ا...
نحن الإبلاغ عن نمو شعاعي الكيميائية بمساعدة من الاتحاد الافريقي من الأسلاك nincowires zincblende insect خالية من العيوب. نمت INSB الأجزاء هي المقاطع العليا من inters / insb heterostructures على inas (111) b basstrates. نبين ، من خلال تحليل hrtem ، أن زنكبلايند إن بيب يمكن أن ينمو بدون أي عيوب بلورية مثل تراص الصدوع أو طائرات توأمة. يوضح تحليل سلالة الخريطة أن الجزء المتعلق بالأداة يكون مسترخياً تق...
ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
عملية لخفض كثافة خلع في 3 بوصة f-doped رقائق الويفر لقد تم وصفه. عملية نمو البلورة هي czochralsky مغلفة السائل التقليدي (lec) ولكن تم إضافة الدروع الحرارية من أجل تقليل التدرج الحراري في الكريستال المتزايد. وقد تم تحسين شكل هذه الدروع بمساعدة محاكاة عددية لنقل الحرارة والضغط الحراري الحراري. تم تنفيذ هذه العملية خطوة بخطوة مع ردود الفعل المستمر بين الحسابات والتجارب. تم الحصول على تخفيض 50 ٪ من ال...
نمت شرائح inas على قمة جزر gaas ، التي تم إنشاؤها في البداية عن طريق epitaxy قطيرات على الركيزة السيليكون. قمنا بشكل منهجي باستكشاف مساحة معلمات النمو لترسب الأسماء ، وتحديد شروط النمو الانتقائي الغاليوم ونمو محوري بحت. تم تشكيل شرائح inas axial مع جوانبها التي تم تدويرها بـ 30 $ ^ {{} ^ circ} $ مقارنة بجزر gaas الأساسية أسفلها. أوضح تجارب انعراج أشعة إكس سنكروترون أن إيناس تزرع شرائح الاسترخاء عل...
يقترح هذا الورقة ثلاثية الأبعاد الجديدة (3D) الليثوغرافيا الضوئية التكنولوجيا لعملية micropatterning عالية الدقة على ركيزة الألياف. كما تم تقديم استعراض موجز لتكنولوجيا الطباعة الحجرية للسطح غير المستوي. تشتمل التقنية المقترحة بشكل أساسي على التصنيع الدقيق لوحدة التعرض ثلاثية الأبعاد وترسيب الأفلام الرقيقة المقاومة على الألياف. يتم إعداد وحدة التعرض 3D بنجاح من خلال النقش الرطب لركيزة الكوارتز وطر...
كثافة وتشتت الضوء كثافة الأكسجين تترسب في cz السيليكون يتم قياس بلورات بواسطة الأشعة المقطعية الأشعة نثر الضوء. وتناقش البيانات العددية الموضحة من خلال القياسات فيما يتعلق كمية الأوكسجين المترسب. تتوافق النتائج التي تم الحصول عليها هنا مع التحليل النظري لأن رواسب الأكسجين تسبب تشتت الضوء. تشرح المعلومات التي تم الحصول عليها عن طريق الأشعة المقطعية ir تشتت الضوء بشكل جيد جدا عملية الترسيب من الأكسج...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
