عما تبحث?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

الصفحة الرئيسية /

إنغاسن، إبيتاكسيالي، عن، غاس، أو، إنب، وافيرس

إنغاسن، إبيتاكسيالي، عن، غاس، أو، إنب، وافيرس

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

  • InGaAsN epitaxially on GaAs or InP wafers

    PAM-XIAMEN provides InGaAsN epitaxially on GaAs or InP wafers as follows: Layer Doping Thickness (um)                        Remark GaAs   undoped ~500   <001> wafer substrate   InGaAsN*   undoped                  0.150                   band gap <1 eV     Al(0.3)Ga(0.7)As  undoped 0.5         GaAs   undoped 2         Al(0.3)Ga(0.7)As   undoped  0.5           ITEM x/y Doping carrier conc.(cm3) Thickness（um） wave length(um) Lattice mismatch InAs(y)P 0.25 none 5.0*10^16 1.0 -   In(x)GaAs 0.63 none 1.0*10^17 3.0 1.9 600<>600 InAs(y)P 0.25 S 1.0*10^18 205.0 -   InAs(y)P 0.05->0.25 S 1.0*10^18 4.0 -   InP - S 1.0*10^18 0.3 -  

    تحميل
أول الاخير
[  ما مجموعه  1  صفحات]

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
#

الصفحة الرئيسية

#

منتجات

#

أخبار

#

   
الدردشة الآن اتصل بنا & نبسب؛
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.