لقد قمنا بالتحقيق في الخصائص الهيكلية والكهربائية لطبقات إزالة InAsxSb1 − x المزروعة على ركائز GaAs (0 0 1) بواسطة epitaxy الجدار الساخن . تمت زراعة آلات إزالة الشعر على طبقة InAsSb متدرجة وطبقة عازلة InSb . تم حساب تركيبة الزرنيخ (x) لطبقة إزالة الشعر InAsxSb1 − x باستخدام حيود الأشعة السينية ووجد أنها 0.5. نمت الطبقات المتدرجة مع تدرجات درجة حرارة 2 و 0.5 درجة مئوية دقيقة -1. لوحظ نمو الجزيرة ثلاثي الأبعاد (3D) بسبب عدم تطابق الشبكة الكبيرة بين InAsSb و GaAs عن طريق مسح المجهر الإلكتروني. كسمك للطبقة المتدرجة InAsSbويتم زيادة الطبقة العازلة InSb ، ويلاحظ الانتقال من نمو الجزيرة ثلاثية الأبعاد إلى نمو ثنائي الأبعاد يشبه الهضبة. تشير قياسات منحنى هزاز الأشعة السينية إلى أن العرض الكامل بنصف القيم القصوى لآلات إزالة الشعر قد انخفض باستخدام الطبقات المتدرجة والعازلة. لوحظ تحسن كبير في تنقل الإلكترون للطبقات المزروعة من خلال قياسات تأثير هول.
المصدر: IOPscience
لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
