تم فحص النمو فوق المحور الجزيئي لشعاع مصدر الغاز من GaSb . وجد أن Sb (CH 3 ) 3 يتحلل بشكل فعال عندما تكون درجة حرارة فرن التكسير أعلى من 800 درجة مئوية. يظهر أنه يمكن الحصول على طبقة GaSb epi تشبه المرآة باستخدام Sb (CH 3 ) 3 ومصدر Ga صلب لأول مرة.
المصدر: IOPscience
لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
