غالباً ما يكون استخراج الحرارة ضرورياً لضمان الأداء الفعال لأدوات أشباه الموصلات ويتطلب التقليل من المقاومة الحرارية بين طبقات أشباه الموصلات الوظيفية وأي بالوعة حرارية. هذه الورقة تقارير نمو الفوق من ن القطبية أفلام gan على ركائز الماس الكريستالات من الموصلية الحرارية العالية مع epitaxy مرحلة بخار العضوية المعدنية ، وذلك باستخدام طبقة si x ج شكلت خلال ترسيب الماس الكريستالات على ركيزة السيليكون. تعمل طبقة si x c على توفير معلومات ترتيب الهيكل اللازمة لتشكيل فيلم بلوري واحد على مقياس الويفر. يتبين أن عملية نمو ثلاثية الأبعاد للجزيرة (ثلاثية الأبعاد) تزيل العيوب السداسية التي يسببها الطبيعة البلورية غير المفردة لطبقة si x c. كما يتبين أنه يمكن نشر نمو ثلاثي الأبعاد مكثف وإدخال انحناء محدب للركيزة لتقليل إجهاد الشد في النواة gan لتمكين نمو طبقة خالية من التشقق حتى سمك 1.1µm. يمكن أن يكون اللف والإمالة منخفضين بقدر 0.65 و 0.39 ° على التوالي ، وهي قيم قابلة للمقارنة على نطاق واسع مع gan نمت على ركائز si مع بنية مشابهة.
مصدر: iopscience
لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت:http://www.semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
