انحناء الركيزة في طبقة الركيزة القائمة بذاتها انخفض بشكل ملحوظ تقريبًا من 0.67 إلى 0.056 متر مربع (1 (أي أن نصف قطر الانحناء زاد من 1.5 إلى 17.8 متر) مع زيادة زمن تنميش البلازما المقترن بالحرارة (ICP) على الوجه n القطبي ، وفي النهاية غيرت اتجاه الركوع من محدب إلى مقعرة. علاوة على ذلك ، تم استنتاج تأثيرات انحناء الانحناء على العرض الكامل المقاس عند نصف الحد الأقصى (fwhm) لحيود الأشعة السينية عالية الاستبانة (hrxrd) في الانعكاس (0 0 2) ، والذي انخفض من 176.8 إلى 88.8 قوس قزح مع زيادة في وقت النقش ICP. الانخفاض في التوزيع غير المتجانس لخلل التشابك وعيوب النقطة بالإضافة إلى العيوب المعقدة على إزالة طبقة الغان من الوجه القطبي ، الذي أزال كمية كبيرة من العيوب ، كان أحد الأسباب التي أدت إلى تحسين انحناء يقف gan الركيزة. سبب آخر هو ارتفاع نسبة الجانب من جان تشبه الإبرة التي ظهرت في الوجه ن القطبية بعد التنميش آي سي بي ، والتي أفرجت سلالة الانضغاط من الركيزة جان القائمة الحرة. من خلال القيام بذلك ، يمكن الحصول على ركائز خالية من الكراك خالية من التشقق و مسطحة للغاية مع دائرة نصف قطرها bow.8 من 17.8 متر.

الكلمات الدالة

A1. النقش. A1. gan substrate؛ A3. hyditide بخار مرحلة epitaxy؛ B1. نتريدات. B2. قان

المصدر: موقع ScienceDirect

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: www.powerwaywafer.com ، أرسل لنا البريد الإلكتروني في sales@powerwaywafer.com .