التخطيطي لبنية dinn / gan dbr ذات 10-si doped من أجل الحقن الرأسي الحالي و (b) ملف تعريف si-doping في زوج من طبقات alinn / gan. الائتمان: اليابان مجتمع الفيزياء التطبيقية (jsap)

الباحثين في جامعة meijo وجامعة ناجويا في اليابان أظهرت تصميم قان جزيئات الليزر التي تجويف السطح العمودي (vcsels) والتي توفر التوصيل الكهربائي الجيد وتزرع بسهولة. يتم الإبلاغ عن النتائج في الفيزياء التطبيقية صريحة.

يظهر هذا البحث في إصدار نوفمبر 2016 من نشرة Jsap على الإنترنت.

\"من المتوقع أن يتم اعتماد الليزر القائم على التجويف الرأسي ذو التجويف العمودي (vcsels) في تطبيقات متنوعة ، مثل شاشات المسح الشبكي ، والمصابيح الأمامية التكيفية ، وأنظمة الاتصال بالضوء المرئي عالي السرعة\" ، يشرح tetsuya takeuchi وزملائه في meijo جامعة وجامعة ناجويا في اليابان في تقريرهم الأخير. ومع ذلك ، حتى الآن ، فإن الهياكل المصممة لتسويق هذه الأجهزة لها خصائص موصلة ضعيفة ، والنهج الحالية لتحسين التوصيلية تؤدي إلى تعقيدات تصنيع في حين يتم منع الأداء. وقد أظهر تقرير من قبل takeuchi وزملاؤه الآن التصميم الذي يوفر التوصيل الجيد ويزرع بسهولة.

تستخدم vcsels عمومًا الهياكل المسماة عاكسات bragg الموزعة لتوفير الانعكاسية اللازمة لتجويف فعال يسمح للجهاز بالليز. هذه العاكسات هي عبارة عن طبقات متناوبة من المواد ذات مؤشرات انكسار مختلفة ، مما ينتج عنه انعكاسية عالية جدًا. الاتصالات بين الأجناس يمكن أن تساعد في تحسين الموصلية الفقيرة لل قان vcsels ، ولكنها تزيد حجم التجويف مما يؤدي إلى ضعف الحصر البصري ، وعمليات التصنيع المعقدة ، وكثافات تيار عتبة عالية ، وكفاءة طاقة منخفضة مقارنة بالمخرجات (أي كفاءة المنحدرات).

الموصلية المنخفضة في هياكل dbr هي نتيجة رسوم الاستقطاب بين طبقات المواد المختلفة - alinn و gan. للتغلب على آثار رسوم الاستقطاب ، استخدم تاكيوتشي وزملاؤه نتريدات مخضبة للسيليكون وأدخل \"تشوير التحوير\" في طبقات الهيكل. تساعد زيادة تركيزات السيليكون في السطح البيني على تحييد تأثيرات الاستقطاب.

كما ابتكر باحثو meijo و nagoya طريقة لتسريع معدل نمو alinn إلى أكثر من 0.5 ميكرومتر / ساعة. والنتيجة هي vcsel على أساس gan-1.5 تجويف مع n من نوع n / gan عاكس bragg الموزعة n- التي لديها انعكاسية ذروة أكثر من 99.9٪ ، عتبة تيار 2.6 ma ، المقابلة لكثافة تيار عتبة 5.2 ka / CM2 ، وكان الجهد التشغيل 4.7V.

مصدر: phys.org

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ،

أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com