تم إجراء سلسلة من تجارب استرداد الصدمات على بلورات InSb المفردة على طول (100) أو (111) محورًا حتى 24 جيجا باسكال باستخدام تأثير لوحة النشر. تميزت هياكل العينات المسترجعة بانحراف الأشعة السينية(XRD) تحليل. وفقًا لضغوط الذروة ودرجات الحرارة المحسوبة ، ومخطط الطور لـ InSb ، يمكن أن تخضع العينة لتحولات طور من هيكل مزيج الزنك إلى مراحل الضغط العالي. ومع ذلك ، فإن تتبع XRD لكل عينة يتوافق مع نمط مسحوق InSb بهيكل مزيج الزنك. كشف تتبع XRD لكل عينة عن عدم وجود مكونات إضافية بما في ذلك الأطوار الثابتة ومراحل الضغط العالي لـ InSb باستثناء العينات التي صدمت حوالي 16 جيجا باسكال. عند 16 جيجا باسكال ، بالإضافة إلى هيكل مزيج الزنك ، تم الحصول على قمم إضافية. قد تتوافق إحدى هذه القمم مع طور Cmcm أو Immm في InSb ، ولم يتم تحديد القمم الأخرى.
المصدر: IOPscience
لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
