في العقد الماضي، اجتذبت مركبات إي-n الكثير من الاهتمام بسبب تطبيقاتها في الإلكترونيات الضوئية الزرقاء والبنفسجية والأشعة فوق البنفسجية. ومعظم الأجهزة والبحوث استخدام الياقوت كركيزة لانتزاع نيتريدس. ومع ذلك، فإن هذه الهياكل إيبي تحتوي على كثافة خلع عالية جدا الناجمة عن عدم تطابق شعرية 16٪ بين قان والياقوت. في مختبرنا، ونحن تنمو بلورات واحدة من غان في الضغط الهيدروستاتيكي عالية من 10 كبار من النيترو...
بام شيامن ينمو عالية الجودة الغاليوم أنتيمونيد (غاسب) سبائك الكريستال واحدة. ونحن أيضا جولة، رأى قطع، اللفة والبولندية رقائق غاسب ويمكن توفير جودة سطح إيبي جاهزة. غاسب الكريستال هو مركب شكلت من قبل 6n غا النقي و سب عنصر ويتم زراعتها بواسطة السائل مغلفة تشوكرالسكي (ليك) طريقة مع إبد \u0026 لوت؛ 1000 سم -3. غاسب الكريستال لديها التوحيد عالية من المعلمات الكهربائية وانخفاض كثافة العيب، ومناسبة ل مبي ...
في هذه الورقة نستعرض التطورات في إنتاج غير القطبية (أي م- الطائرة والطائرة) وشبه القطبية (أي (20.1) -plane الرقائق بالطريقة أمونوثرمال. يتم وصف طريقة النمو وتلميع النتائج. نجحنا في إنتاج 26 مم × 26 ملم رقائق غير وشبه القطبية. هذه الرقائق تمتلك الخصائص الهيكلية والبصرية المتميزة، مع كثافة الخيط التفكك من أجل 104 سم -3. كما يتم عرض دراسات مفصلة للطبقات هوموبيتاكسيال، وكذلك هيتيروستركتورس ألغان، والت...
قمنا بفحص مستويات الطاقة الانتقالية لعيوب الشغور في نتريد الغاليوم عن طريق نهج نظرية وظيفية كثافة هجينة (dft). نظهر أنه ، على النقيض من التنبؤات من دراسة حديثة على مستوى dft محلي بحت ، فإن تثبيت التبادل المفحوص يثبت حالة الشحنة الموجبة الثلاثية لفرط النيتروجين لطاقات فيرمي القريبة من نطاق التكافؤ. من ناحية أخرى ، تهبط مستويات الخلل المرتبط بحالات الشحنة السالبة من شغور النيتروجين مع نطاق التوصيل ،...
www.semiconductorwafers.net تقنية الربط المباشر لرقاقة الويفر قادرة على دمج رقاقتين سلستين ، وبالتالي يمكن استخدامها في تصنيع الخلايا الشمسية متعددة الوصلات من النوع i – v مع عدم تطابق شعرية. من أجل الربط المترابط بين subp / gpas و ingaas / ingaas subcells ، يجب أن يكون gaas / inp heterojunction تقاطع أومية عالية التوصيل أو تقاطع نفق. تم تصميم ثلاثة أنواع من واجهات الترابط عن طريق ضبط نوع التوصيل ...
ألجين ميكروماشينيد / gan الترانزستور ذو الإلكترونات العالية ( HEMT ) على الركيزة الاشتراكية مع الكربون تشبه الماس / التيتانيوم (dlc / تي) تم التحقيق في طبقات تبديد الحرارة. الموصلية الحرارية العليا ومعامل التمدد الحراري مماثلة لتلك التي قان تمكين dlc / ti بكفاءة لتبديد حرارة هيمت السلطة gan من خلال الركيزة si عبر الثقوب. هذا همت مع تصميم dlc أيضا الحفاظ على كثافة التيار مستقرة في ظروف الانحناء (سل...
حالة النمو من رقيقة بشكل كبير ملغ قان تم دراسة الطبقة السدودة وتأثيرها على تكوين الأوم الأيوني من النوع p. من المؤكد أن تناول المنشطات بشكل مفرط يمكن أن يعزز بفعالية الاتصال بـ ni / au إلى P- قان بعد التلدين عند 550 درجة مئوية. عندما تكون نسبة معدل التدفق بين مصادر الغاز mg و ga 6.4٪ وعرض الطبقة 25 nm ، فإن طبقة التغطية التي تنمو عند 850 ° c تعرض أفضل خصائص اتصال أومية فيما يتعلق بالمقاومة النوعية...
ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
