نمت شرائح inas على قمة جزر gaas ، التي تم إنشاؤها في البداية عن طريق epitaxy قطيرات على الركيزة السيليكون. قمنا بشكل منهجي باستكشاف مساحة معلمات النمو لترسب الأسماء ، وتحديد شروط النمو الانتقائي الغاليوم ونمو محوري بحت. تم تشكيل شرائح inas axial مع جوانبها التي تم تدويرها بـ 30 $ ^ {{} ^ circ} $ مقارنة بجزر gaas الأساسية أسفلها. أوضح تجارب انعراج أشعة إكس سنكروترون أن إيناس تزرع شرائح الاسترخاء عل...
جزيئات nanostructures الفرعية ذات الشد الأحادي للغاية gasb وقد نمت من قبل epitaxy شعاع الجزيئية ودرس بواسطة الفحص المجهري فائقة فراغ المسح النفقي المجهري. يتم تحقيق أربعة معدلات تغطية مختلفة من البنى النانوية ge على gasb والتحقيق فيها. تم العثور على نمو جنرال الكتريك على gasb يتبع وضع نمو 2D. الشبكة البلورية للأحادي الطبقة الفرعية شركة جنرال الكتريك النانو متناسقة مع ذلك من gasb ، استنتاج كبير مثل...
يقترح هذا الورقة ثلاثية الأبعاد الجديدة (3D) الليثوغرافيا الضوئية التكنولوجيا لعملية micropatterning عالية الدقة على ركيزة الألياف. كما تم تقديم استعراض موجز لتكنولوجيا الطباعة الحجرية للسطح غير المستوي. تشتمل التقنية المقترحة بشكل أساسي على التصنيع الدقيق لوحدة التعرض ثلاثية الأبعاد وترسيب الأفلام الرقيقة المقاومة على الألياف. يتم إعداد وحدة التعرض 3D بنجاح من خلال النقش الرطب لركيزة الكوارتز وطر...
يتم دراسة بلورات أحادية البلورة من نوع (GaSb) من خلال قياس تأثير القاعة ، وأطقم الأشعة تحت الحمراء (IR) ، والأطياف الضوئية (PL). وجد أنه يمكن الحصول على GaSb من النوع n مع نفاذية IR بنسبة تصل إلى 60٪ بواسطة التحكم الحرج في تركيز Te-doping والتعويض الكهربائي. يبدو أن تركيز العيوب المرتبطة بالمستقبل المحلي منخفض في الـ Te-doped GaSb مقارنة مع تلك في GaSb غير المحبوب و بشدة. يتم تحليل آلية النفاذية ا...
ال تطوير سوق SiC و GaN الطاقة أشباه الموصلات الحالة الراهنة لسوق التكنولوجيا والسوق ، و اتجاه التنمية في السنوات القليلة المقبلة. سوق جهاز كربيد واعدة. مبيعات حاجز شوتكي تنضج الثنائيات ومن المتوقع أن تزداد شحنات MOSFET إلى حد كبير على مدى السنوات الثلاث المقبلة. وفقا لمحللي Yole Développement ، كربيد هو ناضجة جدا من حيث الثنائيات ، و GaN لا يوجد لديه أي تحد على الإطلاق لدوائر كربيد السيليكون مع ال...
في هذه الورقة ، باستخدام محاكي جهاز حراري إليكتروني ثلاثي الأبعاد بالكامل ، ندرس آلية تدهور الكفاءة عند التشغيل المرتفع الحالي في المستو G ا الصمامات التي ينبعث منها ضوء ينبعث منها (يؤدى). على وجه الخصوص ، وقد ثبت تحسين تدهور الكفاءة باستخدام ركائز GaN موصل سمكا. أولا ، تم العثور على أن تسخين جول المحلي داخل ركائز غاينوميكية موصلة رقيقة يحط من كفاءة الكم الداخلية (IQE) ويزيد من مقاومة السلسلة. ثم ...
تجارب متعامدة لنمو أفلام GaSb على الركيزة GaAs وقد تم تصميمها وتنفيذها باستخدام نظام ترسيب بالبخار الكيميائي الفلزي العضوي منخفض الضغط (LP-MOCVD). تم تحليل البلورات والبنى الدقيقة للأغشية المنتجة بشكل نسبي لتحقيق معايير النمو المثلى. لقد تم إثبات أن الغشاء الرفيع GaSb المُحسَّن لديه عرض كامل ضيق عند نصف الحد الأقصى (358 arc sec) لمنحنى هزاز (004) and ، وسطح أملس ذو خشونة منخفضة متوسطة الجذور تبلغ ...
لقد قمنا بتحسين كفاءة الهوائيات الضوئية (PCAs) باستخدام GaAs ذات درجات الحرارة المنخفضة (LT-GaAs). لقد وجدنا أن الخصائص الفيزيائية للطبقات الضوئية LT-GaAs تؤثر بشكل كبير على خصائص التوليد والكشف عن موجات التيراهيرتز (THz). في جيل THz ، يعد التنقل العالي للحامل الضوئي ووجود عدد قليل من المجموعات في LT-GaAs عاملين مهمين. في الكشف ، قصر عمر الموجة الحاملة وغياب بنية متعددة البلورات في LT-GaAsهي عوامل...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
