نقدم عملية جديدة لدمجها الجرمانيوم مع رقائق السيليكون على العوازل (صوا). يزرع الجرمانيوم في صوا وهو مؤكسد ثم يحصر الجرمانيوم بين طبقتين من الأكسيد (أكسيد النواة والأكسيد المدفون). مع التحكم الدقيق في ظروف الزرع والأكسدة هذه العملية يخلق طبقة رقيقة (التجارب الحالية تشير إلى 20-30nm) من الجرمانيوم النقي تقريبا. يمكن استخدام الطبقة على الأرجح لتصنيع كشافات ضوئية متكاملة حساسة للأطوال الموجية للأشعة ت...
ألجين ميكروماشينيد / gan الترانزستور ذو الإلكترونات العالية ( HEMT ) على الركيزة الاشتراكية مع الكربون تشبه الماس / التيتانيوم (dlc / تي) تم التحقيق في طبقات تبديد الحرارة. الموصلية الحرارية العليا ومعامل التمدد الحراري مماثلة لتلك التي قان تمكين dlc / ti بكفاءة لتبديد حرارة هيمت السلطة gan من خلال الركيزة si عبر الثقوب. هذا همت مع تصميم dlc أيضا الحفاظ على كثافة التيار مستقرة في ظروف الانحناء (سل...
تم فحص heterojunction inas / si الذي تم تكوينه بواسطة طريقة رابطة الرطب الرطب مع درجة حرارة التلدين عند 350 درجة مئوية بواسطة المجهر الإلكتروني النافذ (tem). وقد لوحظ أن inas و si مرتبطان بشكل موحد دون أي فراغات في مجال عرض 2 -mm طويل في صورة درجة المجال المشرق. كشفت صورة عالية الدقة تيم ، بينإيناسو هناك صور ذات شكل شبكي ، توجد طبقة انتقالية ذات بنية شبيهة بالبلوريوس 10-12 نانومتر سميك ، والتي كان...
يتم استعراض التقدم الأخير في نمو الأفلام الفوق صوتي si على si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو الأفلام السينمائية ويتم استكشاف مزاياها وعيوبها. يتم إعطاء الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتوليف أفلام sic الفوقي على si. سيتبين أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافاً كبيراً عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة....
ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
نمت شرائح inas على قمة جزر gaas ، التي تم إنشاؤها في البداية عن طريق epitaxy قطيرات على الركيزة السيليكون. قمنا بشكل منهجي باستكشاف مساحة معلمات النمو لترسب الأسماء ، وتحديد شروط النمو الانتقائي الغاليوم ونمو محوري بحت. تم تشكيل شرائح inas axial مع جوانبها التي تم تدويرها بـ 30 $ ^ {{} ^ circ} $ مقارنة بجزر gaas الأساسية أسفلها. أوضح تجارب انعراج أشعة إكس سنكروترون أن إيناس تزرع شرائح الاسترخاء عل...
كثافة وتشتت الضوء كثافة الأكسجين تترسب في cz السيليكون يتم قياس بلورات بواسطة الأشعة المقطعية الأشعة نثر الضوء. وتناقش البيانات العددية الموضحة من خلال القياسات فيما يتعلق كمية الأوكسجين المترسب. تتوافق النتائج التي تم الحصول عليها هنا مع التحليل النظري لأن رواسب الأكسجين تسبب تشتت الضوء. تشرح المعلومات التي تم الحصول عليها عن طريق الأشعة المقطعية ir تشتت الضوء بشكل جيد جدا عملية الترسيب من الأكسج...
وقد تم فحص إشعاع الحزم الأيوني كطريقة لإنشاء دعامة أشباه الموصلات النانوية وبُنى مخروطية ، ولكن له عيب في وضع البنية النانوية غير الدقيقة. نحن تقرير عن طريقة لإنشاء و teman nanoscale إيناس المسامير من خلال التركيز شعاع الأيونات (FIB) تشعيع كلا من الأفلام Inaepitaxial InAs و InAs heteroepitaxial على ركائز InP. يتم إنشاء هذه "nanospikes" كما في قطرات ، شكلت بسبب تشعيع FIB ، بمثابة أقنعة حف...