وقد تم فحص إشعاع الحزم الأيوني كطريقة لإنشاء دعامة أشباه الموصلات النانوية وبُنى مخروطية ، ولكن له عيب في وضع البنية النانوية غير الدقيقة. نحن تقرير عن طريقة لإنشاء و teman nanoscale إيناس المسامير من خلال التركيز شعاع الأيونات (FIB) تشعيع كلا من الأفلام Inaepitaxial InAs و InAs heteroepitaxial على ركائز InP. يتم إنشاء هذه "nanospikes" كما في قطرات ، شكلت بسبب تشعيع FIB ، بمثابة أقنعة حفر ل INAs الأساسية. من خلال وضع نماذج مسبقة للتأثير على InAs للتأثير في حركة القطيرات ، يمكن التحكم في مواقع nanospike على أجهزة Inaepitaxial pda ذات الدقة المحدودة. يوفر إنشاء nanospikes باستخدام بنية Inas / InP heterostructure مقياسًا إضافيًا للتحكم في المكان الذي تتشكل فيه المسامير لأن نانوسبايكس لن تتشكل في المناطق المعرضة من InP. قد يتم استغلال هذا التأثير للتحكم الدقيق في موضع nanospike من خلال وضع نسق مسبق على بنية heterostarure InAs / InP للتحكم في موقع واجهة InAs / InP. باستخدام طريقة التركيب المتغاير هذه ، من الممكن وضع نانوسبكس بدقة في صفائف منتظمة قد تكون مفيدة لمجموعة متنوعة من التطبيقات.

المصدر: IOPscience

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت:www.semiconductorwafers.net ،

أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com