5. كربيد السيليكون التكنولوجيا

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

5-4-1 نقص تاريخي في رقائق الويفر

2018-01-08

الرقاقات استنساخها من الاتساق المعقول والحجم والجودة والتوافر هي شرط أساسي ل

الإنتاج التجاري الضخم للإلكترونيات أشباه الموصلات. يمكن انصهر العديد من المواد شبه الموصلة

وتعيد بلورة استنساخها في بلورات واحدة كبيرة مع مساعدة من الكريستال البذور ، كما هو الحال في

طريقة czochralski المستخدمة في تصنيع جميع رقائق السيليكون تقريبا ، وتمكين كبير معقول

رقائق لانتاج كميات كبيرة. ومع ذلك ، لأن scic sublimes بدلا من ذوبان في معقول يمكن بلوغه

الضغوط ، لا يمكن أن تنمو كذا بواسطة تقنيات نمو الذوبان التقليدية. قبل عام 1980 ، التجريبية

اقتصرت الأجهزة الإلكترونية sic على الصفائح البلورية الصغيرة (عادة ~ 1) ، غير منتظمة الشكل الكريستال

نمت كمنتج ثانوي لعملية اكسيسون لتصنيع المواد الكاشطة الصناعية (على سبيل المثال ، ورق الصنفرة)

أو من خلال العملية الليلي. في عملية lely ، sic sublimed من مسحوق sodium polycrystalline في

يتم تكثيف درجات الحرارة بالقرب من 2500 درجة مئوية بشكل عشوائي على جدران تجويف تكون صغيرة ، سداسية

الصفائح الدموية على شكل. في حين أن هذه البلورات الصغيرة غير القابلة للإنتاج سمحت ببعض الإلكترونيات الأساسية

البحث ، من الواضح أنها ليست مناسبة لإنتاج كتلة أشباه الموصلات. على هذا النحو ، أصبح السيليكون

أشباه الموصلات المهيمنة التي تغذي ثورة التكنولوجيا في الحالة الصلبة ، في حين الاهتمام في الالكترونيات الدقيقة القائمة على sic

كان محددا.

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
   
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.