من نحن

كشركة رائدة في مجال تصنيع مواد أشباه الموصلات المركبة في الصين. بام-شيامن تطور النمو البلوري المتقدم وتكنولوجيات النضج، وتتراوح بين الجيل الأول من رقاقة الجرمانيوم والجيل الثاني من زرنيخيد الغاليوم مع نمو الركيزة والتجسس على إي-V السيليكون مخدر ن من نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما10
اقرأ أكثر
بعد أكثر من 20 سنوات من تراكم والتنمية، شركتنا لديها ميزة واضحة في الابتكار التكنولوجي والمواهب تجمع. في المستقبل، نحن بحاجة إلى تسريع وتيرة العمل الفعلي لتزويد العملاء مع أفضل المنتجات والخدمات
الطبيب تشان -سيو من شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة

منتجاتنا

الليزر الأزرق

قوالب غان

تتكون منتجات قوالب بام-شيامن من طبقات بلورية من نيتريد الغاليوم (غان)، نيتريد الألومنيوم (ألن)، نيتريد الغاليوم الألومنيوم (ألغان)، نيتريد الغاليوم الإنديوم (إنغان)، التي تودع على ركائز الياقوت، كربيد السيليكون أو منتجات قالب السيليكون. بام-شيامن تمكن 20-50٪ أقصر دورة دورة مرات وأعلى جودة الفوقي طبقات الجهاز، مع أفضل جودة الهيكلية والموصلية الحراري10

غان على السيليكون

قائما بذاته غان الركيزة

بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة رقاقة، وهو ل أوب بقيادة و لد. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة النضج (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان ديه كثافة عيب منخفضة.10

غاس الكريستال

غاس (الغاليوم الزرنيخ) رقائق

بوام تطوير وتصنيع ركائز مركب أشباه الموصلات-الكريستال الغاليوم زرنيخيد وافر.لقد استخدمت التكنولوجيا المتقدمة النمو الكريستال، وتجميد التدرج الرأسي (فغف) وتكنولوجيا معالجة غاس رقاقة، أنشأت خط إنتاج من نمو الكريستال، وقطع، وطحن لتلميع تجهيز وبناء غرفة نظيفة 100 درجة لتنظيف ويفر والتعبئة والتغليف. لدينا غاس رقاقة تشمل 2 ~ 6 بوصة سبيكة / رقائق ل ليد، ل10

سيك كريستال

سيك إبيتاكسي

ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10

سيك كريستال

الركيزة سيك

بام شيامن تقدم رقائق أشباه الموصلات كربيد السيليكون، 6H سيك و 4 H سيك في درجات الجودة المختلفة للباحث والمصنعين الصناعة. قمنا بتطوير تكنولوجيا النمو الكريستالية الكريستال الكريستالي وكذا الكريستال رقاقة تكنولوجيا معالجة، أنشأت خط الإنتاج إلى الصانع الركيزة سيك، والذي يتم تطبيقه في الجهاز غان نبتاكسي، وأجهزة السلطة، جهاز درجة الحرارة العالية والأجهز10

غان إكسيتاكسي

غان مقرها ليد الفوقي رقاقة

غم (نيتريد الغاليوم) القائم على بام-شيامن لرقاقة الفوقي الصمام هو سطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الباعثة للضوء الثنائيات (ليد) وثنائيات الليزر (لد) التطبيق.

غان هيمت

غان هيمت الفوقي رقاقة

(غان) نيتريد (غان) هيمتس (عالية الترانزستورات التنقل الإلكترون) هي الجيل القادم من الترددات اللاسلكية التكنولوجيا الترانزستور السلطة. شكرا لتكنولوجيا غان، بام شيامن الآن تقدم ألغان / غان هيمت إيبي رقاقة على الياقوت أو السيليكون، و ألغان / غان على قالب الياقوت .10

سيك كريستال

سيك رقاقة استصلاح

بام-شيامن قادرة على تقديم خدمات استرداد رقاقة سيك التالية.

لماذا أخترتنا

  • دعم التكنولوجيا الحرة والمهنية

    يمكنك الحصول على خدمة التكنولوجيا المجانية من التحقيق إلى بعد الخدمة على أساس لدينا 25+ الخبرات في خط أشباه الموصلات.

  • خدمة جيدة المبيعات

    هدفنا هو تلبية جميع الاحتياجات الخاصة بك، مهما كانت أوامر الصغيرة و كيف الأسئلة الصعبة قد تكون، للحفاظ على نمو مستدام ومربح لكل عميل من خلال منتجاتنا المؤهلة وخدمة مرضية.10

  • 25+ سنوات الخبرات

    مع أكثر من 25 + سنوات خبرة في مجمع مجال أشباه الموصلات المواد والتصدير الأعمال، فريقنا يمكن أن أؤكد لكم أننا يمكن أن نفهم الاحتياجات الخاصة بك والتعامل مع مشروعك مهنيا.10

  • نوعية موثوق بها

    الجودة هي الأولوية الأولى لدينا. كان بام-شيامن ISO9001: 2008 ، تمتلك وتشارك أربعة الأوعية الحديثة التي يمكن أن توفر مجموعة كبيرة جدا من المنتجات المؤهلة لتلبية الاحتياجات المختلفة لعملائنا، وكل أمر يجب أن يتم التعامل معها من خلال نظام الجودة الصارم لدينا. يتم توفير تقرير الاختبار لكل شحنة، وكل رقاقة10

"لقد تم استخدام رقائق إيبي الطريق السريع لبعض من عملنا. نحن معجبون جدا مع نوعية برنامج التحصين الموسع"
جيمس s.speck، قسم المواد جامعة كاليفورنيا
2018-01-25
"عزيزي بام-شيامن فرق، أشكركم على مهنتكم الرأي، تم حل المشكلة، نحن سعداء جدا ليكون شريك حياتك"
رامان k. تشوهان، الضوئيات سيرين
2018-01-25
"أشكركم على الرد السريع من أسئلتي وبأسعار تنافسية، فمن المفيد جدا بالنسبة لنا، ونحن سوف تأمر مرة أخرى قريبا"
ماركوس سيجر، جامعة أولم
2018-01-25
"لقد وصلت رقاقات كربيد السيليكون اليوم ، ونحن سعداء بها حقًا! يصل إلى طاقم الإنتاج!"
دينيس ، جامعة اكستر
2018-01-25

في العالم الأكثر شهرة الجامعات والشركات تثق بنا

أحدث الأخبار

Density Functional Theory Calculations of Atomic Configurations and Bandgaps of C-, Ge-, and Sn-Doped Si Crystals for Solar Cells

2020-03-17

Poly-Si crystals are mainly used in solar cells because of their low cost. Here, the zones of sensitivity to wavelengths in sunlight should be expanded to increase the engineering efficiency of solar cells. Group IV compound semiconductors films, e.g., Si (Ge) films doped with C, Ge (C, Si), and/or Sn atoms with contents of several %, on a Si or Ge substrate have been identified as potential solutions to this technical problem. In this study, we calculated the formation energy of each atomic configuration of C, Ge, and Sn atoms in Si by using density functional theory. The "Hakoniwa" method proposed by Kamiyama et al. [Materials Science in Semiconductor Processing, 43, 209 (2016)] was applied to a 64-atom supercell of Si including up to three atoms of C, Ge, and/or Sn (up to 4.56%) in order to obtain the ratio of each atomic configuration and the average value of the Si bandgaps. Not only the conventional generalized gradient approximation (GGA) but also the screened-exchange local-den...

اقرأ أكثر

Electrical Conductivity of Direct Wafer-Bonded GaAs/GaAs Structures for Wafer-Bonded Tandem Solar Cells

2020-03-09

Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

اقرأ أكثر

Optical Transmission, Photoluminescence, and Raman Scattering of Porous SiC Prepared from p-Type 6H SiC

2020-03-05

The optical transmission, temperature-dependence of the photoluminescence (PL), and Raman scattering of porous SiC prepared from p-type 6H-SiC are compared with those from bulk p-type 6H-SiC. While the transmission spectrum of bulk SiC at room temperature reveals a relatively sharp edge corresponding to its band gap at 3.03 eV, the transmission edge of porous SiC (PSC) is too wide to determine its band gap. It is believed that this wide edge might be due to surface states in PSC. At room temperature, the PL from PSC is 20 times stronger than that from bulk SiC. The PL PSC spectrum is essentially independent of temperature. The relative intensities of the Raman scattering peaks from PSC are largely independent of the polarization configuration, in contrast to those from bulk SiC, which suggests that the local order is fairly random. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com&...

اقرأ أكثر

Optical Transmission, Photoluminescence, and Raman Scattering of Porous SiC Prepared from p-Type 6H SiC

2020-03-05

The optical transmission, temperature-dependence of the photoluminescence (PL), and Raman scattering of porous SiC prepared from p-type 6H-SiC are compared with those from bulk p-type 6H-SiC. While the transmission spectrum of bulk SiC at room temperature reveals a relatively sharp edge corresponding to its band gap at 3.03 eV, the transmission edge of porous SiC (PSC) is too wide to determine its band gap. It is believed that this wide edge might be due to surface states in PSC. At room temperature, the PL from PSC is 20 times stronger than that from bulk SiC. The PL PSC spectrum is essentially independent of temperature. The relative intensities of the Raman scattering peaks from PSC are largely independent of the polarization configuration, in contrast to those from bulk SiC, which suggests that the local order is fairly random. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com&...

اقرأ أكثر

Upgrading of CdZnTe by annealing with pure Cd and Zn metals

2020-02-25

1−y alloy as the annealing source.

اقرأ أكثر

Fabrication of InP/SiO2/Si Substrate using Ion-Cutting Process and Selective Chemical Etching

2020-02-18

In this study, an InP layer was transferred onto a Si substrate coated with a thermal oxide, through a process combining ion-cutting process and selective chemical etching. Compared with conventional ion-cutting of bulk InP wafers, this layer transfer scheme not only takes advantage of ion- cutting by saving the remaining substrates for reuse, but also takes advantage of selective etching to improve the transferred surface conditions without using the chemical and mechanical polishing. An InP/InGaAs/InP heterostructure initially grown by MOCVD was implanted with H+ ions. The implanted heterostructure was bonded to a Si wafer coated with a thermal SiO2 layer. Upon subsequent annealing, the bonded structure exfoliated at the depth around the hydrogen projected range located in the InP substrate. Atomic force microscopy showed that after selective chemical etchings on the as-transferred structure, a final structure of InP/SiO2/Si was obtained with a relatively smooth surface. Source:IOPsc...

اقرأ أكثر

A review on MBE-grown HgCdSe infrared materials on GaSb (211)B substrates

2020-02-12

We review our recent efforts on developing HgCdSe infrared materials on GaSb substrates via molecular beam epitaxy (MBE) for fabricating next generation infrared detectors with features of lower production cost and larger focal plane array format size. In order to achieve high-quality HgCdSe epilayers, ZnTe buffer layers are grown before growing HgCdSe, and the study of misfit strain in ZnTe buffer layers shows that the thickness of ZnTe buffer layer needs to be below 300 nm in order to minimize the generation of misfit dislocations. The cut-off wavelength/alloy composition of HgCdSe materials can be varied in a wide range by varying the ratio of Se/Cd beam equivalent pressure during the HgCdSe growth. Growth temperature presents significant impact on the material quality of HgCdSe, and lower growth temperature leads to higher material quality for HgCdSe. Typically, long-wave infrared HgCdSe (x=0.18, cut-off wavelength of  at 80 K) presents an electron mobility as high as&nbs...

اقرأ أكثر

The Electrochemical Society Wet Etching Technology for Semiconductor and Solar Silicon Manufacturing: Part 2 - Process, Equipment and Implementation

2020-01-20

Wet etching is an important step in the manufacturing of semiconductor and solar wafers and for the production of MEMS devices. While it has been replaced by the more precise dry etching technology in advanced semiconductor device fabrication, it still plays an important role in the manufacture of the silicon substrate itself. It is also used for providing stress relief and surface texturing of solar wafers in high volume. The technology of wet etching silicon for semiconductor and solar applications will be reviewed. Impact on this step for wafer properties and critical parameters (flatness, topology and surface roughness for semiconductor wafers, surface texture and reflectance for solar wafers) will be presented. The rationale for the use of a etching technology and etchant for specific applications in semiconductor and solar wafer manufacturing will be presented. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at&nbs...

اقرأ أكثر

Characterization of 4H-SiC Homoepitaxial Films on Porous 4H-SiC from Bis(trimethylsilyl)methane Precursor

2020-01-13

4H-SiC homoepitaxial films were grown on 8° off-axis porous 4H-SiC (0001) faces in the temperature range of  by chemical vapor deposition from bis(trimethylsilyl)methane (BTMSM) precursor. The activation energy for growth was 5.6 kcal/mol, indicating that the film growth is dominated by the diffusion-limited mechanism. Triangular stacking faults were incorporated in the SiC thin film grown at low temperature of 1280°C due to the formation of 3C-SiC polytype. Moreover, super-screw dislocations appeared seriously in the SiC film grown below 1320°C. Clean and featureless morphology was observed in the SiC film grown below 25 standard cubic centimeters per minute (sccm)  carrier gas flow rate of BTMSM at 1380°C while 3C-SiC polytype with double positioning boundaries grew at 30 sccm flow rate of BTMSM. The dislocation density of the epi layer was strongly influenced by the growth temperature and flow rate of BTMSM. Double axis crystal X-ray diffraction and optical micro...

اقرأ أكثر

Density Functional Theory Study of the Stress Impact on Formation Enthalpy of Intrinsic Point Defect around Dopant Atom in Ge Crystal

2020-01-07

During the last decade, the use of single crystal germanium (Ge) layers and structures in combination with silicon (Si) substrates has led to a revival of defect research on Ge. In Si crystals, dopants and stresses affect the intrinsic point defect (vacancy V and self-interstitial I) parameters and thus change the thermal equilibrium concentrations of V and I Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

اقرأ أكثر

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
   
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.