موك :
1شيامن بويرواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
فوسفيد الغاليوم (الفجوة)، وهو فوسفيد من الغاليوم، هو مادة أشباه الموصلات مركب مع فجوة الفرقة غير المباشرة من 2.26ev (300K). مادة الكريستالات لديها مظهر من قطع البرتقال شاحب. وندوبد رقائق الكريستال واحد تظهر البرتقال واضح، ولكن رقائق مخدر بقوة تظهر أكثر قتامة بسبب امتصاص الناقل الحر. فمن عديم الرائحة وغير قابلة للذوبان في water.sulfur أو تيلوريوم وتستخدم ك دوبانتس لإنتاج ن نوع أشباه الموصلات. ويستخدم الزنك كدوبانت ل p- نوع أشباه الموصلات. فاليوسفيد الكاليوم لديه تطبيقات في الأنظمة البصرية. معامل الانكسار بين 4.30 في 262 نانومتر (أوف)، 3.45 في 550 نانومتر (الأخضر) و 3.19 في 840 نانومتر (إر).
| مواصفات رقاقة رقاقة والركيزة | |
| نوع كوندوسيون | نوع ن |
| إشابة | s مخدر |
| قطر الرقاقة | 5 0.8 +/- 0.5mm و |
| الكريستال التوجه | (111) +/- 0.5 درجة |
| شقة التوجه | 111 |
| طول شقة | 17.5 +/- 2mm في |
| تركيز الناقل | (2-7) X10 ^ 7 / CM3 |
| ريسيستيفيتي أت رت | 0.05-0.4ohm.cm |
| إمكانية التنقل | u003e 100cm² / v.sec |
| حفر حفرة الكثافة | u003c 3 * 10 ^ 5 / سم ² |
| الليزر وسم | عند الطلب |
| سافاس فنيش | ع / ه |
| سماكة | 250 +/- 20um |
| إيبي جاهزة | نعم فعلا |
| صفقة | واحد حاوية رقاقة أو كاسيت |
شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10
شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100)
ويرجع ذلك إلى الخصائص الفيزيائية والالكترونية سيك، كربيد السيليكون الجهاز القائم هي مناسبة بشكل جيد لالكهروضوئية الطول الموجي قصيرة، ارتفاع في درجة الحرارة، مقاومة للإشعاع، وعالية الطاقة / عالية التردد الأجهزة الإلكترونية، مقارنة مع سي و غاس الجهاز القائم.10
يوفر بام-شيامن كاشفات تستند تشت من قبل التكنولوجيا كاشف الحالة الصلبة للأشعة السينية أو أشعة غاما، والتي لديها أفضل قرار الطاقة مقارنة مع التلألؤ الكريستال الكاشف القائم، بما في ذلك كاشف مستو كت، كشت بيكسيلاتد كاشف، تشت شارك في مستو غري10
غم (نيتريد الغاليوم) القائم على بام-شيامن لرقاقة الفوقي الصمام هو سطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الباعثة للضوء الثنائيات (ليد) وثنائيات الليزر (لد) التطبيق.
بوام تطوير وتصنيع ركائز مركب أشباه الموصلات-الكريستال الغاليوم زرنيخيد وافر.لقد استخدمت التكنولوجيا المتقدمة النمو الكريستال، وتجميد التدرج الرأسي (فغف) وتكنولوجيا معالجة غاس رقاقة، أنشأت خط إنتاج من نمو الكريستال، وقطع، وطحن لتلميع تجهيز وبناء غرفة نظيفة 100 درجة لتنظيف ويفر والتعبئة والتغليف. لدينا غاس رقاقة تشمل 2 ~ 6 بوصة سبيكة / رقائق ل ليد، ل10
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
