شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
زرنيد الإنديوم، إيناس، هو أشباه الموصلات تتألف من الإنديوم والزرنيخ. فإنه يحتوي على بلورات مكعب رمادي مع نقطة انصهار من 942 درجة مئوية [2] يستخدم الزرنيخ الإنديوم لبناء أجهزة الكشف عن الأشعة تحت الحمراء، لمدى الطول الموجي من 1-3.8 ميكرون. وعادة ما تكون الكاشفات الضوئية الضوئية. فإن أجهزة الكشف المبردة المبردة لديها ضوضاء أقل، ولكن يمكن استخدام أجهزة الكشف عن إيناس في تطبيقات الطاقة العالية عند درجة حرارة الغرفة أيضا. يستخدم الزرنيخ الإنديوم أيضا لصنع ليزر الصمام الثنائي.
زرنيخيد الإنديوم يشبه زرنيخيد الغاليوم وهو مادة فجوة مباشرة. يستخدم أحيانا زرنيخيد الإنديوم مع الفوسفيد الإنديوم. مع خليط من زرنيخيد الغاليوم يشكل إنديوم زرنيخيد الغاليوم - مادة مع فجوة الفرقة تعتمد على نسبة / غا، وهي طريقة مشابهة أساسا لسبائك الإنديوم نتريديويث نيتريد الغاليوم لإنتاج الغلة النتريد الغاليوم الإنديوم.
| مواصفات رقاقة | |
| بند | مواصفات |
| قطر الرقاقة | 2 "50.5 ± 0.5mm و 3 "76.2 ± 0.4MM |
| الكريستال التوجه | (100) ± 0.1 درجة |
| سماكة | 2 "500 ± 25um 3 "625 ± 25um |
| طول شقة الابتدائي | 2 "16 ± 2mm في 3 "22 ± 2mm في |
| الثانوية طول شقة | 2 "8 ± 1MM 3 "11 ± 1MM |
| صقل الأسطح | p / e، p / p |
| صفقة | إيبي جاهزة، حاوية واحدة رقاقة أو سف كاسيت |
| الكهربائية و المنشطات المواصفات | |||||
| نوع التوصيل | نوع ن | نوع ن | نوع ن | نوع ف | نوع ف |
| إشابة | undoped | منخفض الكبريت | الكبريت العالي | انخفاض الزنك | ارتفاع الزنك |
| e.d.p سم -2 | 2 " ≤ 15000 3 " ≤ 50000 |
||||
| التنقل cm² v -1 الصورة -1 | ≥ 23000 | 25000-15000 | 12000-7000 | 350-200 | 250-100 |
| الناقل تركيز سم -3 | ( 1-3 ) * 10 16 | ( 4-8 ) * 10 16 | ( 1-3 ) * 10 18 | ( 1-3 ) * 10 17 | ( 1-3 ) * 1018 |
شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10
شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100)
بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة رقاقة، وهو ل أوب بقيادة و لد. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة النضج (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان ديه كثافة عيب منخفضة.10
بام يقدم مواد أشباه الموصلات، الكريستال واحد (غي) الجرمانيوم رقاقة نمت بواسطة فغف / ليك
ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما و p نمت من قبل مبي أو موكفد. نحن توريد الهياكل المخصصة لتلبية مواصفات العملاء. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.10
ويرجع ذلك إلى الخصائص الفيزيائية والالكترونية سيك، كربيد السيليكون الجهاز القائم هي مناسبة بشكل جيد لالكهروضوئية الطول الموجي قصيرة، ارتفاع في درجة الحرارة، مقاومة للإشعاع، وعالية الطاقة / عالية التردد الأجهزة الإلكترونية، مقارنة مع سي و غاس الجهاز القائم.10
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
