غم (نيتريد الغاليوم) القائم على بام-شيامن لرقاقة الفوقي الصمام هو سطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الباعثة للضوء الثنائيات (ليد) وثنائيات الليزر (لد) التطبيق.
موك :
1غان (نيتريد الغاليوم) على أساس رقاقة الفوقي الصمام
كما أدى رقاقة الصانع، نحن نقدم ليد رقاقة ل ليد و الليزر الثنائيات (لد) التطبيق، مثل ل مايكرو أو الصمام رقيقة جدا أو الأشعة فوق البنفسجية أدى البحوث أو الصمام المصنعين. إيت هو موكفد مع بس أو شقة الياقوت لد لد الضوء الخلفي، (الأشعة فوق البنفسجية)، مع انبعاثات زرقاء أو خضراء أو حمراء، بما في ذلك منطقة إنغان / غان النشطة وطبقات ألغان مع غان جيدا / ألغان حاجز لأحجام رقاقة مختلفة.
غان على al2o3-2 "إيبي رقاقة المواصفات (ليد الفوقي رقاقة)
|
الأشعة فوق البنفسجية الصمام: 365nm، 405nm |
|
أبيض : 445 ~ 460 نانومتر |
|
أزرق : 465 ~ 475 نانومتر |
|
أخضر : 510 ~ 530 نانومتر |
1. تقنية النمو - موكفد
2. قطر القطر: 50.8mm
3. الرصيف الرصيف المواد: الراتنج الياقوت منقوشة (al2o3)
4.wfer نمط الحجم: 3x2x1.5μm
هيكل 5.wfer:
|
طبقات الهيكل |
سمك (ميكرون) |
|
ف قان |
0.2 |
|
ف ألجان |
0.03 |
|
ingan / قان (نشط منطقة) |
0.2 |
|
ن قان |
2.5 |
|
u- غان |
3.5 |
|
AL2O3 (المادة المتفاعلة) |
430 |
المعلمات 6.wfer لجعل رقائق:
|
بند |
اللون |
حجم رقاقة |
مميزات |
مظهر خارجي |
وEMSP. |
|
|
pam1023a01 |
أزرق |
10mil x 23mil |
وEMSP. |
وEMSP. |
إضاءة |
|
|
ف = 2.8 ~ 3.4v |
اضاءه خلفيه ال سى دى |
|||||
|
بو = 18 ~ 25mw |
التليفون المحمول الأجهزة |
|||||
|
ود = 450 ~ 460nm |
مستهلك إلكتروني |
|||||
|
pam454501 |
أزرق |
45mil 45mil |
ف = 2.8 ~ 3.4v |
وEMSP. |
جنرال لواء إضاءة |
|
|
بو = 250 ~ 300mw |
اضاءه خلفيه ال سى دى |
|||||
|
ود = 450 ~ 460nm |
في الهواء الطلق عرض |
* إذا كنت بحاجة إلى معرفة المزيد من المعلومات التفصيلية من رقاقة ليد الأزرق، يرجى الاتصال مع إدارات المبيعات لدينا
7. أبليكاتيون من الصمام رقاقة إبيتايكسال:
إضاءة
اضاءه خلفيه ال سى دى
الأجهزة النقالة
مستهلك الكتروني
الرقاقات الفوقي المستندة إلى غان بام (شيبي) (ل إيبي رقاقة) هو لسطوع عالية جدا الأزرق والأخضر الثنائيات الباعثة للضوء (ليد)
غاس (غاليوم الزرنيخيد) مقرها رقاقة رقاقة:
بشأن غاس ليد رقاقة، أنها تزرع بواسطة موكفد، انظر أدناه الطول الموجي من غاس قاد رقاقة:
|
الأحمر: 585nm، 615nm، 620 ~ 630nm |
|
أصفر: 587 ~ 592nm |
|
الأخضر الأصفر: 568 ~ 573 |
لهذه التفاصيل غاس أدى المواصفات رقاقة، يرجى زيارة: غاس إيبي رقاقة ل ليد
* هيكل الليزر على 2 بوصة غان (0001) الركيزة أو الياقوت الركيزة هو متاح.
تتكون منتجات قوالب بام-شيامن من طبقات بلورية من نيتريد الغاليوم (غان)، نيتريد الألومنيوم (ألن)، نيتريد الغاليوم الألومنيوم (ألغان)، نيتريد الغاليوم الإنديوم (إنغان)، التي تودع على ركائز الياقوت، كربيد السيليكون أو منتجات قالب السيليكون. بام-شيامن تمكن 20-50٪ أقصر دورة دورة مرات وأعلى جودة الفوقي طبقات الجهاز، مع أفضل جودة الهيكلية والموصلية الحراري10
بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة رقاقة، وهو ل أوب بقيادة و لد. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة النضج (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان ديه كثافة عيب منخفضة.10
(غان) نيتريد (غان) هيمتس (عالية الترانزستورات التنقل الإلكترون) هي الجيل القادم من الترددات اللاسلكية التكنولوجيا الترانزستور السلطة. شكرا لتكنولوجيا غان، بام شيامن الآن تقدم ألغان / غان هيمت إيبي رقاقة على الياقوت أو السيليكون، و ألغان / غان على قالب الياقوت .10
شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).
يوفر بام-شيامن كاشفات تستند تشت من قبل التكنولوجيا كاشف الحالة الصلبة للأشعة السينية أو أشعة غاما، والتي لديها أفضل قرار الطاقة مقارنة مع التلألؤ الكريستال الكاشف القائم، بما في ذلك كاشف مستو كت، كشت بيكسيلاتد كاشف، تشت شارك في مستو غري10
و الحفر رقاقة لديه خصائص خشونة منخفضة، لمعان جيدة وتكلفة منخفضة نسبيا، وبدائل مباشرة رقاقة مصقولة أو رقاقة الفوقي التي لديها تكلفة عالية نسبيا لإنتاج العناصر الإلكترونية في بعض المجالات، للحد من التكاليف. هناك خشونة منخفضة، وانعكاسية منخفضة، وعكسة النقش عالية الانعكاسية.10
بام يقدم مواد أشباه الموصلات، الكريستال واحد (غي) الجرمانيوم رقاقة نمت بواسطة فغف / ليك
ونحن نقدم العرف رقيقة (كربيد السيليكون) سيك إبيتاكسي على 6H أو 4H ركائز لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يستخدم سيك إيبي رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، الترانزستورات أشباه الموصلات أكسيد المعادن أكسيد المجال، الترانزستورات تأثير حقل تقاطع، الترانزستورات تقاطع ثنائي القطب، الثايرستور، غتو، وبوابة معزولة القطبين.10
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
