الصفحة الرئيسية / منتجات / مجمع أشباه الموصلات /

غاسب ويفر

منتجات

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

غاسب ويفر غاسب ويفر

غاسب ويفر

شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100)

  • موك :

    1
  • تفاصيل المنتج

شيامن بويرواي يقدم غاسب رقاقة - غاليوم أنتيمونيد التي تزرع بواسطة ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).


أنثيمونيد الغاليوم (غاسب) هو مركب شبه موصل من الغاليوم والأنتيمون من الأسرة إي-V. لديها ثابت شعرية من حوالي 0.61 نانومتر. غاسب يمكن استخدامها للكشف عن الأشعة تحت الحمراء، ومصابيح الأشعة تحت الحمراء والليزر والترانزستورات، وأنظمة ثيرموفتوفولتايك.


مواصفات رقاقة
بند مواصفات
قطر الرقاقة 2 "50.5 ± 0.5mm و
3 "76.2 ± 0.4MM
(4) "1000.0 ± 0.5mm و
الكريستال التوجه (100) ± 0.1 درجة
سماكة 2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4 "25um 1000 ±
طول شقة الابتدائي 2 "16 ± 2mm في
3 "22 ± 2mm في
4 "32.5 ± 2.5MM
الثانوية طول شقة 2 "8 ± 1MM
3 "11 ± 1MM
4 "18 ± 1MM
صقل الأسطح p / e، p / p
صفقة إيبي جاهزة، حاوية واحدة رقاقة أو سف كاسيت


الكهربائية و المنشطات المواصفات
نوع التوصيل نوع ف نوع ف نوع ن نوع ن نوع ن
إشابة undoped زنك معدن لامع ذو صفائح منخفض التيلوريوم عالية التيلوريوم
e.d.p سم -2 2 " 2000
3 "
5000
2 " 2000
3 "
5000
2 "، 3" 1000
4 "
2000
2 " 1000
3 "، 4"
2000
2 "، 3"، 4 " 500
التنقل cm² v -1 الصورة -1 ≥500 450-200 3500-2000 3500-2000 3500-2000
الناقل تركيز سم -3 2 * 10 17 1 * 10 18 ( 91-900 ) * 10 17 2 * 10 17 5 * 10 17




العلامات الساخنة :

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
موضوع : غاسب ويفر

منتجات ذات صله

الركيزة إنسب

إنزب الويفر

شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

إنب الركيزة

إنب رقاقة

شيامن بويرواي يقدم إنب رقاقة - فوسفيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) أو فغف (تجميد التدرج العمودي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو ( 100).10

إيناس الركيزة

إيناس ويفر

شيامن بويرواي يقدم إيناس رقاقة - زرنيخيد الإنديوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

الفجوة الركيزة

الفجوة رقاقة

شيامن باورواي يقدم فجوة رقاقة - فوسفيد الغاليوم التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع ن نوع، نوع p أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

غان على السيليكون

قائما بذاته غان الركيزة

بام-شيامن أنشأت تكنولوجيا التصنيع ل قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) غان الركيزة رقاقة، وهو ل أوب بقيادة و لد. التي نمت بها هيدريد بخار مرحلة النضج (هفب) التكنولوجيا، لدينا الركيزة غان ديه كثافة عيب منخفضة.10

الركيزة إنسب

إنزب الويفر

شيامن بويرواي يقدم إنسب الويفر - انديوم أنتيمونيد التي تزرع من قبل ليك (السائل مغلفة تشوكرالسكي) كما إيبي جاهزة أو الميكانيكية الصف مع نوع ن، ص نوع أو شبه عازلة في اتجاه مختلف (111) أو (100).

nanofabrication

قناع الصورة

بام شيامن العروض الأقنعة قناع الصورة هو طلاء رقيقة من المواد اخفاء بدعم من الركيزة سمكا، والمواد امتصاص يمتص الضوء بدرجات متفاوتة ويمكن أن تكون منقوشة مع تصميم مخصص. يتم استخدام نمط لتعديل الضوء ونقل نمط من خلال عملية الضوئية التي هي العملية الأساسية المستخدمة لبناء تقريبا كل من الأجهزة الرقمية اليوم.10

غان هيمت

غان هيمت الفوقي رقاقة

(غان) نيتريد (غان) هيمتس (عالية الترانزستورات التنقل الإلكترون) هي الجيل القادم من الترددات اللاسلكية التكنولوجيا الترانزستور السلطة. شكرا لتكنولوجيا غان، بام شيامن الآن تقدم ألغان / غان هيمت إيبي رقاقة على الياقوت أو السيليكون، و ألغان / غان على قالب الياقوت .10

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
   
الدردشة الآن اتصل بنا & نبسب؛
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.