وقد تم التحقيق في مجموعة مثيرة للاهتمام من منهجيات نمو epitaxial sic ، تتراوح بين الطور السائل المرحلة ، وشعاع الحزمة الجزيئية ، وترسيب البخار الكيميائي (cvd). يتم قبول تقنية نمو cvd بشكل عام باعتبارها الطريقة الواعدة لتحقيق استنساخ epilayer والجودة والمعدلات المطلوبة للإنتاج بالجملة. في أبسط المصطلحات ، يتم إجراء تغييرات في cd sic من خلال تسخين sic substrates في غرفة \"مفاعل\" مع تدفق الغازات المحتوية على السليكون والكربون التي تتحلل وترسب si و c على الرقاقة مما يسمح ل epilayer بالنمو في بئر أمر واحد الكريستال في ظل ظروف تسيطر عليها بشكل جيد. يتم تنفيذ عمليات النمو الفوقي svd cvd التقليدية في درجات حرارة نمو الركيزة بين 1400 درجة مئوية و 1600 درجة مئوية عند ضغوط من 0.1 إلى 1 atm مما يؤدي إلى معدلات نمو لترتيب عدد قليل من الميكرومتر في الساعة. درجة حرارة أعلى (تصل إلى 2000 درجة مئوية) عمليات نمو svd cvd ، بعضها يستخدم كيمياء النمو القائم على الهاليد ، هي أيضا رائدة للحصول على معدلات نمو أعلى من sep epilayer لترتيب مئات الميكرومتر في الساعة التي تبدو كافية لنمو الجزء الأكبر من sic بوولس بالإضافة إلى طبقات الفوقية الكثيفة اللازمة للأجهزة ذات الجهد العالي.

على الرغم من حقيقة أن درجات الحرارة النمو تتجاوز درجات حرارة النمو الفوقي المستخدمة في معظم أشباه الموصلات الأخرى ، فقد تم تطوير مجموعة متنوعة من تكوينات مفاعل نمو الفوق الفوقي sic cdi وتسويقها. على سبيل المثال ، تستخدم بعض المفاعلات تدفق الغاز الأفقي المتفاعل عبر الرقاقة sic ، في حين يعتمد البعض الآخر على التدفق العمودي للغازات المتفاعلة ؛ تحتوي بعض المفاعلات على رقاقات محاطة بتكوينات \"جدار ساخن\" ساخنة أو \"جدران دافئة\" ، بينما تسخن مفاعلات أخرى ذات جدار بارد فقط مستقبلاً مقيماً مباشرة تحت الرقاقة. معظم المفاعلات المستخدمة للإنتاج التجاري للإلكترونيات sic تدور العينة لضمان التوحيد العالي لمعلمات epilayer عبر الرقاقة. وقد مكنت أنظمة svd cvd القادرة على زيادة عدد الشعيرات على الرقاقات المتعددة في وقت واحد من زيادة إنتاجية الويفر لتصنيع الأجهزة الإلكترونية.