يتم تنفيذ المنشطات في الموقع خلال نمو epitaxial cvd في المقام الأول من خلال إدخال النيتروجين (عادة) لنوع n والألمنيوم (عادة ثلاثي ميثيل أو triethylaluminum) ل epilayers ع نوع. وقد تم أيضًا دراسة بعض أنواع الدوبتات البديلة مثل الفوسفور والبورون في الصفيحتين n-and p-type ، على التوالي. في حين يمكن إجراء بعض التباينات في المنشطات epilayer بدقة عن طريق تغيير تدفق الغازات المنشطات ، وقد مكنت منهجية المنشطات المنافسة في الموقع مجموعة أوسع بكثير من المنشطات sic أن يتحقق. بالإضافة إلى ذلك ، جعلت منافسة الموقع أيضًا من معتاد epilayer أكثر موثوقية وقابلة للتكرار. تعتمد تقنية dopantcontrol للمنافسة في الموقع على حقيقة أن العديد من dopants من sic تفضيليًا تدمج إما في مواقع الشبكة الشبكية أو مواقع c lattice. وكمثال على ذلك ، فإن النتروجين يدمج بشكل تفضيلي في المواقع الشبكية التي تشغلها عادة ذرات الكربون. عن طريق زيادة التركيز الفائق تحت ظروف الكربون الغنية ، يمكن استبعاد معظم النيتروجين الموجود في نظام cvd (سواء كان ملوثًا متبقيًا أو تم إدخاله عن قصد) من الدمج في بلورة sic النامية. وبالعكس ، من خلال النمو في بيئة تعاني من نقص الكربون ، يمكن تعزيز دمج النيتروجين لتشكيل طبقات عالية جدا من الشعيرات الملامسة للاتصالات الأومنية. ويفضل الألومنيوم ، الذي هو عكس النيتروجين ، موقع si الخاص بـ sic ، كما تم التحكم في dopants أخرى من خلال منافسة الموقع عن طريق تغيير نسبة si / c بشكل مناسب أثناء نمو البلورات. sick epilayer dopings تتراوح بين 9 × إلى 1 × متاحة تجاريا ، وقد أبلغ الباحثون عن الحصول على مشتقات أكثر من عامل 10 أصغر حجما وأقل من هذا النطاق للنوعين n و p. الاتجاه السطحي للرقاقة يؤثر أيضا على كفاءة تأسيس المنشطات خلال نمو epilayer. وحتى كتابة هذه السطور ، فإن الصلاحيات المتاحة للمستهلكين لتحديدها وشرائها لتلبية احتياجات تطبيقات الأجهزة الخاصة بهم لها تفاوتات في السماكة والتعاطي تبلغ ± 25٪ و ± 50٪ ، على التوالي. ومع ذلك ، فإن بعض epilayers sic المستخدمة لإنتاج جهاز كبير الحجم هي أكثر بكثير الأمثل ، والمعروضات \u0026 lt ؛ التغير 5 ٪ في المنشطات وسمك.