بام-شيامن العرض إنغان، عن، الياقوت ، في المحتوى في طبقات إنغان يتراوح من 10٪ إلى 40٪، الصورة المرفقة هي قالب إنغان مع في المحتوى 20٪، 30٪، 40٪ (من اليسار إلى اليمين)، يرجى الاطلاع أدناه الصورة إنغان:
انخفاض درجة الحرارة غاس (لوت-غاس) النتائج التجريبية، ونحن نقدم لوت-غاس / غاس، يرجى تحميل نتيجة اختبار لوت-غاس أدناه: http://www.semiconductorwafers.net/low-temperature-gaas-test-report/
شيامن بويرواي شركة متقدمة المواد المحدودة، المورد الرئيسي من غاس إيبي رقاقة وغيرها من المنتجات والخدمات ذات الصلة أعلنت توافر جديد من حجم 2 \"-4\" على الإنتاج الضخم في عام 2017. هذا المنتج الجديد يمثل إضافة طبيعية إلى بام -شيامن خط الانتاج. الدكتور. وقال شاكا، \"نحن سعداء لتقديم غاس إيبي رقاقة لعملائنا بما في ذلك العديد من الذين يطورون أفضل وأكثر موثوقية لعمودي تجويف سطح التي ينبعث منها الليزر. لدينا غاس إيبي رقاقة لديه خصائص ممتازة. فسلس لأطوال الموجات من 650 نانومتر إلى 1300 نانومتر تعتمد عادة على الغاليوم زرنيخيد (غاس) رقائق مع دبرس شكلت من غاس و أرسينيد الغاليوم الألومنيوم (ألكا (1-س) كما). ويفضل نظام غاس ألغاس لبناء فسلس لأن ثابت شعرية من المواد لا تختلف بقوة كما يتم تغيير التكوين، والسماح متعددة \"شعرية المتطابقة\" الفوقي طبقات لزرع على الركيزة غاس. ومع ذلك، فإن معامل الانكسار من ألغاس تختلف اختلافا قويا نسبيا مع زيادة الكسر، وتقليل عدد الطبقات المطلوبة لتشكيل مرآة براغ كفاءة مقارنة مع أنظمة المواد المرشحة الأخرى. وعلاوة على ذلك، في تركيزات عالية من الألومنيوم، ويمكن تشكيل أكسيد من ألغاس، وهذا أكسيد يمكن استخدامها لتقييد التيار في فسيل، مما يتيح عتبات منخفضة جدا. توفر توافر تحسينات نمو البول وعمليات الويفر \". و\" يمكن لعملائنا الاستفادة الآن من زيادة العائد الجهاز المتوقع عند تطوير الترانزستورات المتقدمة على الركيزة مربع. لدينا غاس إيبي رقاقة طبيعية من المنتجات من جهودنا المستمرة، حاليا نحن مكرسة لتطوير منتجات أكثر موثوقية باستمرار. \" وقد استفاد تحسين خط الانتاج غاس إيبي بام-شيامن بامتياز من التكنولوجيا القوية، والتي يتم دعمها من الجامعة الأصلية ومركز المختبرات. الآن يظهر مثال على النحو التالي: 1.2 بوصة n + غاس إيبي مع طبقة ألاس على ن + غاس الركيزة، والمواصفات على النحو التالي: الطبقة العليا: 2 أم n + شبه-- إجراء غاس إيبي طبقة، سي المنشطات مع \u0026 غ؛ e18 المنشطات التركيز الطبقة الثانية: 10 نانومتر ألاس أوندوبد (يجب أن تزرع طبقة ألاس باستخدام as2 [ديمر] وليس as4 [تيترامر])، الطبقة الثالثة: 300 نانومتر n + شبه-- إجراء طبقة عازلة غاس، سي المنشطات مع \u0026 غ؛ e18 المنشطات التركيز الطبقة السفلى: 350 أم n + شبه-- إجراء غاس الركيزة، سي-- المنشطات مع \u0026 غ؛ e18 المنشطات 2.2 بوصة p + غاس إيبي مع طبقة ألاس على p + غاس الركيزة، والمواصفات على النحو التالي: يتم سرد الهيكل المطلوب من أعلى إلى أسفل: الطبقة العليا: 2 أم p + شبه-- إجراء غاس إيبي طبقة، \u0026 غ؛ تركيز e18 المنشطات، أي نوع دوبانت الطبقة الثانية: 10 نانومتر ألاس أوندوبد (يجب أن تزرع طبقة ألاس باستخدام as2 [ديمر] وليس as4 [تيترامر])، الطبقة الثالثة: 300 نانومتر p + شبه-- إجراء طبقة عازلة غاس، \u0026 غ؛ تركيز e18 المنشطات، أي نوع دوبانت الطبقة السفلى: 350 أم p + شبه-- إجراء غاس الركيزة، و؛ e18 المنشطات، أي نوع دوبانت حول شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة وجدت في 1990، شيامن باورواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة (بام-- شيامن) هي الشركة الرائدة في مجال مواد أشباه الموصلات مجمع في الصين. بام-شيامن تطور المتقدمة النمو الكريستال والتكنولوجيات نبت، عمليات التصنيع، ركائز هندسية وأجهزة أشباه الموصلات. تتيح تقنيات بام-زيامن أداء أعلى وخفض تكلفة تصنيع رقاقة أشباه الموصلات. ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في...
شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة.، المورد الرئيسي من gaasp المواد وغيرها من المنتجات والخدمات ذات الصلة أعلنت توافر جديد من 2 \"-3\" حجم على الإنتاج الضخم في عام 2017. هذا المنتج الجديد يمثل إضافة طبيعية ل بام-شيامن المنتج line.dr. وقال شاكا، \"نحن سعداء لتقديم gaasp والرقائق لعملائنا بما في ذلك العديد من الذين يطورون أفضل وأكثر موثوقية للأجهزة الحمراء التي ينبعث منها ضوء. لنا gaasp المواد لديها خصائص ممتازة، كما موحدة في تكوين و / أو موحدة في كفاءة الكم الخارجية. توفر توافر تحسينات نمو البول وعمليات الويفر \". و\" يمكن لعملائنا الاستفادة الآن من زيادة العائد الجهاز المتوقع عند تطوير الترانزستورات المتقدمة على الركيزة مربع. لنا gaasp ماتريالار الطبيعية من المنتجات من جهودنا المستمرة، حاليا نحن مكرسة لتطوير منتجات أكثر موثوقية باستمرار. \" تحسنت بام-شيامن gaasp وقد استفاد خط الانتاج من التكنولوجيا القوية. ودعم من الجامعة الأصلية ومركز المختبرات. الآن يظهر مثال على النحو التالي: المعلمات رقاقة كونكتيون نوع نوع ن المقاومة، سم * ONM 0.008 اتجاه (100) disoriention (1-3) ° الفوقي gaasp كونكتيون نوع نوع ن إشابة الشركة المصرية للاتصالات الناقل التركيز سم 3 (0،2-3،0) * 10 ^ 17 معان ضوئي الطول الموجي، نانومتر 645-673 سمك طبقة إيبي، أم ≥ 30 برنامج التحصين الموسع هيكل سمك، أم 360-600 منطقة، سم ^ 2 ≥ 6،5 حول شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة وجدت في 1990، شيامن باورواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة (بام-- شيامن) هي الشركة الرائدة في مجال مواد أشباه الموصلات مجمع في الصين. بام-شيامن تطور المتقدمة النمو الكريستال والتكنولوجيات نبت، عمليات التصنيع، ركائز هندسية وأجهزة أشباه الموصلات. تتيح تقنيات بام-زيامن أداء أعلى وخفض تكلفة تصنيع رقاقة أشباه الموصلات. حول gaasp (gaas1-زكس) هو مادة أشباه الموصلات، وهي سبيكة من زرنيخيد الغاليوم وفوسفيد الغاليوم. وهو موجود في نسب تكوين مختلفة المشار إليها في صيغته من قبل جزء يستخدم x.gallium أرسينيد الفوسفات لتصنيع الثنائيات الحمراء والبرتقالية والأصفر الباعثة للضوء. وغالبا ما تزرع على ركائز الفوسفات الغاليوم لتشكيل الفجوة / غاسب هيتيروستروكتور. من أجل ضبط خصائصها الإلكترونية، قد يكون مخدر مع النيتروجين (غاسب: n). لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني في angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com ....
شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة.، المورد الرئيسي من ingaas ويفر وغيرها من المنتجات والخدمات ذات الصلة أعلنت توافر جديد من حجم 2 \"على الإنتاج الضخم في عام 2017. هذا المنتج الجديد يمثل إضافة طبيعية لخط الانتاج بام شيامن. الدكتور. وقال شاكا، \"نحن سعداء لتقديم ingaas رقاقة لعملائنا بما في ذلك العديد من الذين يطورون أفضل وأكثر موثوقية للكشف عن الأشعة تحت الحمراء وأجهزة هيمت باستخدام ingaas القنوات. لنا ingaa رقاقة لديه خصائص ممتازة، واحد الكريستال الأفلام الفوقي من ingaas يمكن أن تودع على الركيزة الكريستال واحد من أشباه الموصلات إي-V وجود معلمة شعرية على مقربة من أن سبيكة زرنيخ الغاليوم الإنديوم محددة لتوليفها. ثلاثة ركائز يمكن استخدامها: غاس، إيناس و إنب. توفر توافر تحسينات نمو البول وعمليات الويفر \". و\" يمكن لعملائنا الاستفادة الآن من زيادة العائد الجهاز المتوقع عند تطوير الترانزستورات المتقدمة على الركيزة مربع. لنا ingaas رقاقة طبيعية من المنتجات من جهودنا المستمرة، حاليا نحن مكرسة لتطوير منتجات أكثر موثوقية باستمرار. \" تحسنت بام-شيامن ingaas وقد استفاد خط الانتاج من التكنولوجيا القوية، والتي يتم دعمها من جامعة الأم ومركز المختبر. الآن يظهر مثال على النحو التالي: وEMSP. س / ص منشطات الناقل اضرب. [سم 3] سمك [أم] طول الموجة [أم] عدم تطابق شعرية إيناس (ص) ص 0.25 لا شيء 5.00e + 15 1.0 - - في (خ) الغاليوم 0.63 لا شيء العلامة \u0026 lt؛ 3.0e15 3.0 1.9 - 600 العلامة \u0026 lt؛ \u0026 GT؛ 600 إيناس (ص) ص 0.25 الصورة 1.00e + 18 2.5 - - إيناس (ص) ص 0.05 و GT، 0.25 الصورة 1.00e + 18 4.0 - - الشرطة الوطنية العراقية - الصورة 1.00e + 18 0.25 - - الركيزة: الشرطة الوطنية العراقية وEMSP. الصورة 4.30e + 18 ~ 350 وEMSP. وEMSP. حول شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة وجدت في 1990، شيامن باورواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة (بام-- شيامن) هي الشركة الرائدة في مجال مواد أشباه الموصلات مجمع في الصين. بام-شيامن تطور المتقدمة النمو الكريستال والتكنولوجيات نبت، عمليات التصنيع، ركائز هندسية وأجهزة أشباه الموصلات. تتيح تقنيات بام-زيامن أداء أعلى وخفض تكلفة تصنيع رقاقة أشباه الموصلات. حول ingaas رقاقة زرنيخيد الغاليوم الإنديوم ( ingaas ) (بدلا من الزرنيخ الغاليوم الإنديوم) هو سبيكة ثلاثية (مركب كيميائي) من الإنديوم، الغاليوم والزرنيخ. الإنديوم والگاليوم على حد سواء من مجموعة البورون (المجموعة الثالثة) من العناصر بينما الزرنيخ هو عنصر بنيكتوجن (المجموعة الخامسة). وبالتالي فإن السبائك المصنوعة من هذه المجموعات الكيميائية يشار إليها بمركبات \"إي-v\". لأنهم من نفس المجموعة، الإنديوم والگاليوم لها أدوار مماثلة في الترابط الكيميائي. ingaas ويعتبر سبيكة من زرنيخيد الغاليوم و زرنيخيد الإنديوم مع خصائص وسيطة بين اثنين اعتمادا على نسبة الغاليوم إلى الإنديوم. ingaas هو أشباه الموصلات مع التطبيقات في مجال الالكترونيات والإلكترونيات الضوئية حول q \u0026 أمب؛ ا ف: الطبقة العازلة إيناسب متدرج (طبع 1-5um)، ن + مخدر، ما هو تركيز المنشطات .: 0.1-1.0e18 a: لا مشكلة س: ingaas طبقة، 2-3um - 1.9um قطع ما هو سمك بالضبط؟ 3.0um a: لا مشكلة q: إيناسب طبقة، 0.5-1um - شعرية المتطابقة مع ingaas طبقة أدناه، انظر بلدي البريد الإلكتروني الماضي، إيناسب طبقة عازلة كما الوظيفة الرئيسية للحد من كثافة التفكك في المواد، وينبغي أن تتبع سماكة من العمل الداخلي الخاص بك a: لا م...
شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة.، المورد الرئيسي من ingaasn ويفر وغيرها من المنتجات والخدمات ذات الصلة أعلنت توافر جديد من حجم 2 \"على الإنتاج الضخم في عام 2017. هذا المنتج الجديد يمثل إضافة طبيعية لخط الانتاج بام شيامن. الدكتور. وقال شاكا، \"نحن سعداء لتقديم ingaasn رقاقة لعملائنا بما في ذلك العديد من الذين يطورون أفضل وأكثر موثوقية ليزر ديود. خصائص فوتولومينيسانس ingaasn تم فحص الآبار الكمومية كوسيلة لتحسين أداء الليزر القائم على غاس 1300 نانومتر. بين المعلمات التي تؤثر بشكل كبير على نوعية هذه المواد ودرجة حرارة النمو ونسبة / ن من سبيكة لها آثار عميقة بشكل خاص. فإن درجات حرارة النمو المنخفضة بدرجة كبيرة عن تلك المستخدمة عادة في مواد غاس أو إنغاس تظهر أنها تعزز جودة هذه السبيكة، في حين أن الكسور من 0.3-0.35 تؤدي إلى حل وسط مقبول بين سلالة الكم الكمومية والجودة البصرية. توفر توافر تحسينات نمو البول وعمليات الويفر \". و\" يمكن لعملائنا الاستفادة الآن من زيادة العائد الجهاز المتوقع عند تطوير الترانزستورات المتقدمة على الركيزة مربع. لنا ingaasn رقاقة طبيعية من المنتجات من جهودنا المستمرة، حاليا نحن مكرسة لتطوير منتجات أكثر موثوقية باستمرار. \" تحسنت بام-شيامن ingaasn وقد استفاد خط الانتاج من التكنولوجيا القوية، والتي يتم دعمها من جامعة الأم ومركز المختبر. الآن يظهر مثال على النحو التالي: طبقة منشطات سمك (أم) آخر الغاليوم undoped ~ 350 رقاقة المادة المتفاعلة ingaasn * undoped 0.15 فجوة النطاق \u0026 لوت؛ 1 إيف آل (0.3) جا (0.7) كما undoped 0.50 وEMSP. الغاليوم undoped 2.00 وEMSP. آل (0.3) جا (0.7) كما undoped 0.50 وEMSP. حول شيامن بويرواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة وجدت في 1990، شيامن باورواي المتقدمة المواد المشترك.، المحدودة (بام-- شيامن) هي الشركة الرائدة في مجال مواد أشباه الموصلات مجمع في الصين. بام-شيامن تطور المتقدمة النمو الكريستال والتكنولوجيات نبت، عمليات التصنيع، ركائز هندسية وأجهزة أشباه الموصلات. تتيح تقنيات بام-زيامن أداء أعلى وخفض تكلفة تصنيع رقاقة أشباه الموصلات. ونحن تصنيع أنواع مختلفة من إيبي رقاقة إي-V السيليكون مخدر ن نوع أشباه الموصلات المواد على أساس غا، آل، في، كما و p نمت من قبل مبي أو موكفد. نحن توريد الهياكل المخصصة لتلبية مواصفات العملاء. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات المنتج أو مناقشة بنية طبقة إيبي محددة. حول ingaasn رقاقة الإنديوم نيتريد الغاليوم زرنيخيد، أشباه الموصلات الرواية. طبقات واحدة وآبار الكم متعددة مصنوعة من ingaasn وقد تم التحقيق. فقد وجد أن بعض النيتروجين يمكن أن يدمج في إنغا، ولكن يبدو أن دمج النيتروجين يقتصر على تركيزات منخفضة جدا من النيتروجين (^ 0.2٪). وهذا التركيز لا يكفي للوصول إلى الطول الموجي الانبعاثات من 1.3 / زم. لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، ترسل لنا البريد الإلكتروني في angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com ....
ستعرض شركة إبيغان نف، المزود العالمي لحلول المواد الفوقية من إي-نيتريد لتصنيع أشباه الموصلات المتقدمة، أحدث التحسينات على نيتريد الغاليوم على عائلة رقاقة إيبي-سيفر التي تفي بالمواصفات الصناعية لأجهزة ترانزستور التنقل همت (إلكترون عالي الحركة) عند 650 فولت في يسيم أوروبا عام 2017 في نورمبرغ، ألمانيا، (قد 16- 18، 2017) كما في كسمانتيش في الآبار الهندية، كاليفورنيا، الولايات المتحدة الأمريكية (22-14 مايو، 2017). في بسيم أوروبا 2017، سوف إبيغان المعرض في القاعة 6، كشك 432. (إيماج: إبيغان) استنادا إلى مكانتها الرائدة في مجال التكنولوجيا في غان-أون-سي المتقدمة ومواد غان-أون-سي لتحويل الطاقة عالية الأداء وأجهزة طاقة الترددات اللاسلكية لتطبيقات الموجات المليمترية، فإن إبيغان تقود الطريق لتحديد جودة مواد إيبي-ويفر لخصائص الجهاز وخفض خسائر التحويل وزيادة الموثوقية. مع تقنية غان-سي-سي ذات الكفاءة من حيث التكلفة، مكنت إبيغان ابتكارات مسار الكبح في إدارة الطاقة 650 فولت وأنظمة الطاقة رف، مثل توسيع تكنولوجيا غان / سي حتى 200 مم لاقتصادات الحجم لدخول خطوط تصنيع كموس السائدة في سي على أساس إدمس والمسابك. وقد استغرقت ابيجان وتتقن بنجاح هذا التحدي التصنيع وتطوير إصدارات 200MM من hv650v لها و هفف غان-سي-إبيوافرز. من بين الإنجازات المميزة للمنتجات الطاقة hv650v رف إبيغان هي سلوك ديناميكي جيد لأجهزة الطاقة وأدنى الخسائر رف (\u0026 لوت؛ 0.5db / مم تصل إلى 50ghz) لأسرة المنتج هفف. ميزة تنافسية هامة ومفهوم أساسي من غبيان / سي التكنولوجيا إيبي رقاقة رقاقة هو في الموقع الخطيئة السد طبقة. هذه الميزة الخاصة، كما هو رائد من قبل إبيغان، يوفر التخميل سطح متفوقة وموثوقية الجهاز، وأنه يتيح معالجة خالية من التلوث في البنية التحتية القياسية إنتاج سي-كموس. في الموقع الخطيئة الهيكلة يسمح أيضا استخدام طبقات ألن نقية كما مواد حاجز، مما يؤدي إلى انخفاض خسائر التوصيل و / أو يسمح تصميم رقائق أصغر حجما لنفس التصنيف الحالي. \"بدأت تكنولوجيا غان لدخول العديد من التطبيقات، سواء في تبديل السلطة أو في التضخيم السلطة رف\"، ويقول مؤسس إبيغان و سيو الدكتور ماريان جيرمان. \"نحن توريد الرائدة في صناعة 200MM غان-أون-سي رقائق إيبي لصناعة أشباه الموصلات العالمية، ونحن فخورون بشكل خاص لتطوير غان-أون-سي رقائق إيبي التي تظهر أدنى رف خسارة تصل إلى 100ghz. وهذا هو الرد في الوقت المناسب على الطلبات المتزايدة في الاتصالات اللاسلكية مثل إدخال 5G وإنترنت الأشياء. \" في بيم أوروبا، سوف جيرمان المشاركة في حلقة نقاش رفيعة المستوى \"غان - تصميم، إمك والقياس\" في منتدى فا، التي نظمتها أنظمة الطاقة بودو (17 مايو). الدكتور ماركوس بيهيت، إبيغان كمو، سيقدم عرضا بعنوان \"من الضجيج إلى الواقع: غان / سي - أين نحن اليوم؟\" في منتدى العارضين أوروبا (18 مايو) ومنتدى كسمانتيش العارضين (23 مايو). الكلمات الرئيسية: إبيغان؛ غان-أون-سي؛ غان-أون-سيك؛ رقائق إيبي مصدر: ledinside لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، ترسل لنا البريد الإلكتروني في angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com ....
على الرغم من خصائص غرافين المدهشة وجميع الهندسة التي ذهبت في إعطاء المواد عجب فجوة الفرقة، وآفاقها للمنطق الرقمي تبقى كما في شك كما كانت من أي وقت مضى.
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
