نعتقد أن إحدى الإمكانات الإلكترونية لهذا الجهاز يمكن أن تكون اختيار قوة اقتران مدار الدوران في بئر كمومي من النوع p GaAs . يمكن أن يؤدي هذا إلى إنشاء عازل طوبولوجي ، وهو عازل من الداخل ولكنه موصل من الخارج. يمكن لمثل هذا العازل بدوره تمكين ما يسمى بالحساب الكمومي الطوبولوجي ، وهو نهج نظري للحوسبة الكمومية يمكن أن يكون أكثر قوة من الأساليب الحالية. لا توجد هذه القدرة في الجرافين الطبيعي أو أنظمة الجرافين الاصطناعية الأخرى. المصدر: .ieee لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
تشير هذه الورقة إلى ركائز نيتريد الغاليوم (GaN) بطول بوصتين مصنعة من بلورات الجاليوم السائبة المزروعة بطريقة التوازن القريب من الحرارة الأمونية. 2 `` رقائق GaNشرائح من بلورات GaN السائبة لها نصف عرض كامل كحد أقصى لمنحنى هزاز الأشعة السينية 002 بمقدار 50 قوسًا أو أقل ، وكثافة خلع تبلغ منتصف 105 سم − 2 أو أقل ، وكثافة إلكترون تبلغ حوالي 2 × 1019 سم − 3 . تُعزى كثافة الإلكترون العالية إلى شوائب الأكسجين في البلورة. من خلال التحضير المكثف للسطح ، يُظهر سطح Ga من الرقاقة بنية خطوة ذرية. بالإضافة إلى ذلك ، تم تأكيد إزالة الضرر تحت السطحي من خلال قياسات منحنى هزاز الأشعة السينية بزاوية الرعي من الحيود 114. نمت هياكل الصمام الثنائي p-n عالية الطاقة بترسيب البخار الكيميائي المعدني. أظهرت الأجهزة المصنعة جهد انهيار يزيد عن 1200 فولت مع مقاومة منخفضة بدرجة كافية للسلسلة. المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
لقد قمنا بالتحقيق في الخصائص الهيكلية والكهربائية لطبقات إزالة InAsxSb1 − x المزروعة على ركائز GaAs (0 0 1) بواسطة epitaxy الجدار الساخن . تمت زراعة آلات إزالة الشعر على طبقة InAsSb متدرجة وطبقة عازلة InSb . تم حساب تركيبة الزرنيخ (x) لطبقة إزالة الشعر InAsxSb1 − x باستخدام حيود الأشعة السينية ووجد أنها 0.5. نمت الطبقات المتدرجة مع تدرجات درجة حرارة 2 و 0.5 درجة مئوية دقيقة -1. لوحظ نمو الجزيرة ثلاثي الأبعاد (3D) بسبب عدم تطابق الشبكة الكبيرة بين InAsSb و GaAs عن طريق مسح المجهر الإلكتروني. كسمك للطبقة المتدرجة InAsSbويتم زيادة الطبقة العازلة InSb ، ويلاحظ الانتقال من نمو الجزيرة ثلاثية الأبعاد إلى نمو ثنائي الأبعاد يشبه الهضبة. تشير قياسات منحنى هزاز الأشعة السينية إلى أن العرض الكامل بنصف القيم القصوى لآلات إزالة الشعر قد انخفض باستخدام الطبقات المتدرجة والعازلة. لوحظ تحسن كبير في تنقل الإلكترون للطبقات المزروعة من خلال قياسات تأثير هول. المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
تزرع طبقات ZnSe بشكل متغاير المحور على ركائز مقطوعة من رقاقة GaAs شبه عازلة مزروعة بـ LEC وغير مثبته (100) على طول القطر الموازي للمحور [001]. تُظهر شدة اللمعان الضوئي الحر وحيود الأشعة السينية من طبقات ZnSe شكلًا جانبيًا على شكل M على طول قطر رقاقة GaAs ، وترتبط عكسيًا بتوزيع كثافة حفرة الحفر في رقاقة GaAs. تقدم هذه الملاحظة ، لأول مرة ، دليلًا تجريبيًا على أن جودة طبقات ZnSe غير المتجانسة المحورية التي نمت بواسطة تقنيات الفوق الفوقي الحديثة يمكن أن تكون محدودة بجودة ركائز GaAs . المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
تمت زراعة طبقات جرمانيوم ملساء ومرتاحة بالكامل ومُخدّر بالبورون مباشرةً على ركائز Si (001) باستخدام epitaxy بوساطة الكربون. تم قياس مستوى المنشطات بعدة طرق. باستخدام حيود الأشعة السينية عالي الدقة ، لاحظنا معلمات شعرية مختلفة للعينات الجوهرية والمُخدرة بدرجة عالية من البورون. تم حساب معلمة شعرية لـ Ge: B = 5.653 Å باستخدام النتائج التي تم الحصول عليها من خلال رسم خرائط متبادلة للمساحة حول الانعكاس (113) ونموذج التشويه الرباعي الزوايا. تم تكييف الانكماش الشبكي الملحوظ وجعله متوافقًا مع نموذج نظري تم تطويره للسيليكون عالي المستوى عالي البورون. تم إجراء التحليل الطيفي لرامان على العينات الجوهرية والمخدرة. لوحظ تحول في ذروة تشتت الفونون من الدرجة الأولى ونسب إلى ارتفاع مستوى المنشطات. تم حساب مستوى المنشطات بالمقارنة مع الأدبيات. لاحظنا أيضًا اختلافًا بين العينة الجوهرية والعينة المخدرة في نطاق تشتت الفونون من الدرجة الثانية. هنا ، تظهر ذروة مكثفة للعينات المخدرة. تُعزى هذه الذروة إلى الرابطة بين الجرمانيوم ونظير البورون 11 ب. المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
ترسبت طبقات الكادميوم على ركائز InP باستخدام تقنية نمو بخار (H2-CdS). تم الحصول على الطبقات البلورية المفردة لـ CdS السداسية على InP (111) و (110) و (100) مع العلاقات غير المتجانسة التالية ؛ (0001) CdS // (111) InP و [bar 12bar 10] CdS // [01bar 1] InP و (01bar 13) CdS // (110) InP و [bar 2110] CdS // [bar 110] InP ، (30bar 34) CdS // (100) InP و [bar 12bar 10] CdS // [01bar 1] InP. تم تحديد طبقات CdS المودعة على InP (شريط 1bar 1bar 1) من حيث البلورات السداسية التوأم ، حيث كان مستويان متوازيان تقريبًا مع (30bar 3bar 4) ومكافئاتها البلورية. لوحظت التدرجات التركيبية في واجهة الرواسب والركائز. المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
في هذا البحث ، نقدم نتائج بحث نظري وتجريبي في معامل الانكسار والامتصاص ، في درجة حرارة الغرفة ، لطبقة فوق محورية غير مغطاة بسمك 4 ميكرومتر من GaSb المترسبة على ركيزة GaAs . تم اشتقاق صيغة نظرية للإرسال البصري عبر etalon ، مع الأخذ في الاعتبار طول التماسك المحدود للضوء. تم استخدام هذه الصيغة لتحليل أطياف الإرسال المقاسة. تم تحديد معامل الانكسار في نطاق طيفي واسع ، بين 0.105 فولت و 0.715 فولت. تم تحديد الامتصاص لطاقات الفوتون بين 0.28 فولت و 0.95 فولت. لوحظ وجود ذيل Urbach في طيف الامتصاص ، بالإضافة إلى زيادة ثابتة في الامتصاص في المنطقة الطيفية فوق فجوة النطاق. المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
وظائف الكادميوم الشاغرة في بلورات تيلورايد الكادميوم والزنك (CdZnTe) لها تأثير مهم على خصائص البلورات. في هذا البحث ، تم التحقيق في توزيع الموضع وتغيير التركيز لشواغر الكادميوم في بلورات الكادميوم المغنطيسي المزروعة بواسطة نمو محلول التدرج الحراري (TGSG) بواسطة تقنية إبادة البوزيترون (PAT) ، والتي استندت إلى توزيع الطاقة الكامنة وكثافة احتمالية البوزيترون في البلورة. أظهرت النتائج أن كثافة الكادميوم زادت بشكل واضح من أولها إلى التجمد إلى نمو مستقر للسبائك ، بينما انخفضت على طول الاتجاه الشعاعي للسبائك. المصدر: IOPscience لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
