يتم استعراض التقدم الأخير في نمو الأفلام الفوق صوتي si على si. تمت مناقشة الأساليب الكلاسيكية الأساسية المستخدمة حاليًا في نمو الأفلام السينمائية ويتم استكشاف مزاياها وعيوبها. يتم إعطاء الفكرة الأساسية والخلفية النظرية لطريقة جديدة لتوليف أفلام sic الفوقي على si. سيتبين أن الطريقة الجديدة تختلف اختلافاً كبيراً عن التقنيات الكلاسيكية لنمو الأغشية الرقيقة حيث يتم استغلال تبخر الذرات على سطح الركيزة....
ما زال يشكل تحديًا كبيرًا للأجهزة القائمة على أشباه الموصلات الحصول على تأثير كبير للمقاومة المغنطيسية (mr) تحت مجال مغناطيسي منخفض في درجة حرارة الغرفة. في هذه الورقة ، يتم التحقيق في آثار السيد photoinduced تحت شدة مختلفة من الإضاءة في درجة حرارة الغرفة في زرنيخيد الغاليوم شبه العازلة ( سي-الغاليوم ) على أساس ag / si – gaas / ag device. يخضع الجهاز للإشعاع الضوء الذي يتم توفيره من قبل حبات المصب...
وقد تم فحص إشعاع الحزم الأيوني كطريقة لإنشاء دعامة أشباه الموصلات النانوية وبُنى مخروطية ، ولكن له عيب في وضع البنية النانوية غير الدقيقة. نحن تقرير عن طريقة لإنشاء و teman nanoscale إيناس المسامير من خلال التركيز شعاع الأيونات (FIB) تشعيع كلا من الأفلام Inaepitaxial InAs و InAs heteroepitaxial على ركائز InP. يتم إنشاء هذه "nanospikes" كما في قطرات ، شكلت بسبب تشعيع FIB ، بمثابة أقنعة حف...
ال تطوير سوق SiC و GaN الطاقة أشباه الموصلات الحالة الراهنة لسوق التكنولوجيا والسوق ، و اتجاه التنمية في السنوات القليلة المقبلة. سوق جهاز كربيد واعدة. مبيعات حاجز شوتكي تنضج الثنائيات ومن المتوقع أن تزداد شحنات MOSFET إلى حد كبير على مدى السنوات الثلاث المقبلة. وفقا لمحللي Yole Développement ، كربيد هو ناضجة جدا من حيث الثنائيات ، و GaN لا يوجد لديه أي تحد على الإطلاق لدوائر كربيد السيليكون مع ال...
في هذه الورقة ، باستخدام محاكي جهاز حراري إليكتروني ثلاثي الأبعاد بالكامل ، ندرس آلية تدهور الكفاءة عند التشغيل المرتفع الحالي في المستو G ا الصمامات التي ينبعث منها ضوء ينبعث منها (يؤدى). على وجه الخصوص ، وقد ثبت تحسين تدهور الكفاءة باستخدام ركائز GaN موصل سمكا. أولا ، تم العثور على أن تسخين جول المحلي داخل ركائز غاينوميكية موصلة رقيقة يحط من كفاءة الكم الداخلية (IQE) ويزيد من مقاومة السلسلة. ثم ...
نقدم طريقة عدم الاتصال لتحديد وقت الاستجابة الحرارية لأجهزة استشعار درجة الحرارة المضمنة في الرقاقات. في هذه الطريقة ، يضيء مصباح الفلاش بقعة على الرقاقة في النبضات الدورية ؛ المكان على الجانب الآخر من المستشعر قيد الاختبار. ثم يتم الحصول على ثابت الوقت الحراري للمستشعر من قياس الاستجابة الزمنية ، جنبا إلى جنب مع نموذج نظري لتدفقات الحرارة في كل من المستشعر وأخرى داخل الرقاقة. بيانات تجريبية عن كل...
تجارب متعامدة لنمو أفلام GaSb على الركيزة GaAs وقد تم تصميمها وتنفيذها باستخدام نظام ترسيب بالبخار الكيميائي الفلزي العضوي منخفض الضغط (LP-MOCVD). تم تحليل البلورات والبنى الدقيقة للأغشية المنتجة بشكل نسبي لتحقيق معايير النمو المثلى. لقد تم إثبات أن الغشاء الرفيع GaSb المُحسَّن لديه عرض كامل ضيق عند نصف الحد الأقصى (358 arc sec) لمنحنى هزاز (004) and ، وسطح أملس ذو خشونة منخفضة متوسطة الجذور تبلغ ...
لقد قمنا بتحسين كفاءة الهوائيات الضوئية (PCAs) باستخدام GaAs ذات درجات الحرارة المنخفضة (LT-GaAs). لقد وجدنا أن الخصائص الفيزيائية للطبقات الضوئية LT-GaAs تؤثر بشكل كبير على خصائص التوليد والكشف عن موجات التيراهيرتز (THz). في جيل THz ، يعد التنقل العالي للحامل الضوئي ووجود عدد قليل من المجموعات في LT-GaAs عاملين مهمين. في الكشف ، قصر عمر الموجة الحاملة وغياب بنية متعددة البلورات في LT-GaAsهي عوامل...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
