في هذه الورقة ، باستخدام محاكي جهاز حراري إليكتروني ثلاثي الأبعاد بالكامل ، ندرس آلية تدهور الكفاءة عند التشغيل المرتفع الحالي في المستو G ا الصمامات التي ينبعث منها ضوء ينبعث منها (يؤدى). على وجه الخصوص ، وقد ثبت تحسين تدهور الكفاءة باستخدام ركائز GaN موصل سمكا. أولا ، تم العثور على أن تسخين جول المحلي داخل ركائز غاينوميكية موصلة رقيقة يحط من كفاءة الكم الداخلية (IQE) ويزيد من مقاومة السلسلة. ثم ...
فحص التصوير الطبوغرافي و الكيميائي بالأشعة السينية لـ Si: Ge single crystal يحتوي على 1.2 في٪ و 3.0 عند٪ Ge ، مع قياسات معلمة لشبكة شعرية دقيقة. وقد لوحظت تباينات الانعراج في شكل "دوائر شبه مركزية" متراكزة (ربما بسبب التوزع غير المنتظم لذرات القشرة الأرضية) في طبوغرافية الإسقاط. كشفت أنماط النقش العصابات المقابلة للتضيقات والاختلالات مثل حفر الحفر. عرضت المنطقة المركزية "المركزية&qu...
نقدم طريقة عدم الاتصال لتحديد وقت الاستجابة الحرارية لأجهزة استشعار درجة الحرارة المضمنة في الرقاقات. في هذه الطريقة ، يضيء مصباح الفلاش بقعة على الرقاقة في النبضات الدورية ؛ المكان على الجانب الآخر من المستشعر قيد الاختبار. ثم يتم الحصول على ثابت الوقت الحراري للمستشعر من قياس الاستجابة الزمنية ، جنبا إلى جنب مع نموذج نظري لتدفقات الحرارة في كل من المستشعر وأخرى داخل الرقاقة. بيانات تجريبية عن كل...
باستخدام ترسيب البخار الكيميائي المحسّن البلازما (PECVD) عند 13.56 ميجاهيرتز ، يتم تصنيع طبقة البذور في مرحلة النمو الأولي من الجريزوفولفين المهدرج الجرمانيوم السيليكون (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. آثار عمليات البذر على نمو μc-Si1 − xGex: H i-layers وأداء μc-Si1 − xGex: H p — i— n خلايا شمسية مفصلية واحدة يتم التحقيق. من خلال تطبيق طريقة البذر هذه ، تظهر الخلية الشمسية μc-Si1 − xGex: H تحسناً كبيرا...
بالنسبة للمواد المتجانسة ، فإن طريقة الغمر بالموجات فوق الصوتية ، المرتبطة بعملية تحسين عددية تعتمد في الغالب على خوارزمية نيوتن ، تسمح بتحديد الثوابت المرنة لمختلف المواد المركبة الاصطناعية والطبيعية. ومع ذلك ، يحدث تقييد رئيسي لإجراءات التحسين الحالية عندما تكون المادة المدروسة في حدود الفرضية المتجانسة. هذه هي حالة مصفوفة كربيد المنسوجة ثنائية الاتجاه و ألياف SiC مادة مركبة. في هذه الدراسة ، قم...
خصائص lasing التي تعتمد على درجة الترابط - درجة الحرارة لـ 1.5 ميكرومتر دايود ليزر GaInAsP (LD) نمت على ارتباط مباشر InP الركيزة أو سي الركيزة تم الحصول عليها بنجاح. لدينا ملفقة البرنامج النووي العراقي المادة المتفاعلة أو ركيزة Si باستخدام تقنية ربط رقاقة الويدروفسك المباشر في درجات الترابط 350 و 400 و 450 درجة مئوية ، وتراكمت GaInAsP أو InP طبقات heterostructure مزدوجة على هذا الركيزة InP / Si. ت...
وقد تم تطوير مفاعل epi ذي جدران عمودية يجعل من الممكن تحقيق معدل نمو مرتفع وتوحيد مساحة كبيرة في نفس الوقت. يتم تحقيق أقصى معدل نمو 250 ميكرومتر / ساعة مع مورفولوجيا تشبه مرآة في 1650 درجة مئوية. تحت المعدل برنامج التحصين الموسع مفاعل إعداد ، تماثل سمك 1.1 ٪ وتوحيد المنشطات من 6.7 ٪ لمساحة نصف قطرها 65 ملم مع الحفاظ على معدل نمو مرتفع من 79 ميكرومتر / ساعة. يتم الحصول على تركيز منشط منخفض قدره 1 ×...
طريقة تصوير غير مدمرة بدون تلامس لتركيز الإشابة محلول مكانيًا ، [2.2] N d ، والمقاومة الكهربائية ، ، لرقائق السيليكون من النوع n و pباستخدام صور كاريوجرافي مثبتة في شدة إشعاع ليزر مختلفة. تم استخدام معلومات السعة والطور من مواقع الرقاقات ذات المقاومة المعروفة لاشتقاق عامل معايرة لتحديد معدل توليد الموجات الحاملة المطلقة بدقة. تم استخدام نموذج مجال التردد بناءً على الطبيعة غير الخطية للإشارات الراد...
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
