الصفحة الرئيسية / إنغاس فوتوديتكتورس /

InGaAs photodetectors

إنغاس فوتوديتكتورس

الاقسام

المنتجات الموصى بها

أحدث الأخبار

InGaAs photodetectors

2018-01-16

Material

X

Thickness (nm)

Dopant

Doping concentration

InP

1000

N (Sulfur)

3.00E+16

In(x)GaAs

0.53

3000

U/D

5.00E+14

InP

500

N (Sulfur)

3.00E+16

Substrate

SI (Fe)

اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
   
الدردشة الآن اتصل بنا & نبسب؛
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.