ما نقدمه:

سيك رقاقة

يتم قطع الكريستال sic في شرائح ، وتلميع ، ويأتي رقاقة سيك. للمواصفات والتفاصيل ، يرجى زيارة: مواصفات sic رقاقة

sic بلورة النمو

نمو البلورات السائبة هي تقنية لتصنيع ركائز بلورية واحدة ، مما يجعلها قاعدة لمزيد من معالجة الأجهزة. ولتحقيق تقدم كبير في تكنولوجيا sic من الواضح أننا بحاجة إلى إنتاج ركيزة sic مع عملية استنساخ قابلة للإنبعاث t6. وتزرع البلورات 4h في البوت الجرافيت في درجات حرارة عالية تصل إلى 2100-2500 درجة مئوية. يتم توفير درجة حرارة التشغيل في بوتقة إما عن طريق حثي (RF) أو التدفئة مقاوم. النمو يحدث على بذور sic رقيقة. المصدر يمثل تهمة مسحوق الكريستالات sic. يتكون بخار sic في غرفة النمو بشكل رئيسي من ثلاثة أنواع ، وهي si و si2c و sic2 ، والتي يتم تخفيفها بواسطة الغاز الناقل ، على سبيل المثال ، الأرجون. ويشمل تطور المصدر كلاً من تباين الوقت للمسامية وقطر الحبيبات و graphitization من حبيبات المسحوق.

sic epi ويفر

هيكل البلورة

sic crystal لديها العديد من الهياكل البلورية المختلفة ، والتي تسمى polytypes. إن أكثر أنواع polytypes شيوعًا في sic الذي يتم تطويره حاليًا للإلكترونيات هو 3c-sic المكعب ، و 4 h-sic و sh 6 و sic ، و rhombohedral 15r-sic. تتميز هذه النوعية المتعددة من تسلسل التراص للطبقات biatom من هيكل sic.for مزيد من التفاصيل ، الرجاء الضغط هيكل البلورة

خصائص الكريستال وحيدة sic

هنا نقارن خاصية كربيد السيليكون ، بما في ذلك sic سداسية ، sic مكعب ، sic كريستال واحد.لمزيد من التفاصيل ، الرجاء الضغط: خصائص كذا

هكذا عيوب الكريستال

وقد لوحظ أيضا معظم العيوب التي لوحظت في sic في المواد البلورية الأخرى. مثل الاضطرابات وتراكم الأخطاء (sfs) وحدود الزاوية المنخفضة (المختبرات) والتوائم. يظهر البعض الآخر في المواد التي تحتوي على مزيج زينغ أو بنية wurtzite ، مثل الأجسام. micropipes ومشتملات من المراحل الأخرى تظهر أساسا في sic.

اتفاقية استكهولم تطبيق الكريستال

يعرف العديد من الباحثين تطبيق sic العام: ترسيب nitride iii-v ؛ أجهزة إلكترونية ضوئية ؛ أجهزة طاقة عالية ؛ أجهزة درجة حرارة عالية ؛ أجهزة طاقة عالية التردد.لكن عدد قليل من الأشخاص يعرفون تطبيقات التفاصيل ، نقوم بسرد بعض التطبيقات التفصيلية وتقديم بعض التفسيرات ، يرجى النقر أدناه : تطبيق التفاصيل من كربيد السيليكون