عملية جيل thz في lt-gaas

التحويل الخفيف البصري هو التقنية التجارية الأكثر نجاحًا في الجيل الثاني باستخدام gaas التي تنمو في درجات الحرارة المنخفضة LT-الغاليوم ). وغالبا ما تعرف هذه التقنية باسم الطيف الزمني تيراهيرتز تيراهيرتز (THZ-TDS). هذه التقنية تعمل عن طريق إثارة النبضة الضوئية لمفتاح تبديل ضوئي. هنا ، يضيء نبضة ليزر فيمتوثانية فجوة بين قطبين (أو هوائي) مطبوعة على الركيزة أشباه الموصلات ، انظر الشكل 1. نبضة ليزر يخلق الإلكترونات والثقوب التي يتم تسريعها بعد ذلك من خلال التحيز المطبق بين الأقطاب ، وهذا photocurrent عابر ، والذي يقترن إلى الهوائي ، ويحتوي على مكونات التردد التي تعكس مدة النبض ، وبالتالي توليد موجة الكهرومغناطيسية التي تحتوي على مكونات thz. في إعداد thz-tds ، يتم الكشف عن الإشعاع thz باستخدام جهاز استقبال متطابق مع الباعث الضوئي للتبديل الضوئي ، وبه نفس النبضة البصرية.

للشكل 1 ، يرجى النقر أدناه:

السبب الرئيسي وراء استخدام lt-gaas هو الخصائص الجذابة لهذه المواد للتطبيقات الضوئية فائقة السرعة. يحتوي lt-gaas على مجموعة فريدة من الخصائص الفيزيائية بما في ذلك: عمر ناقل قصير (\u0026 lt؛ 200 fs) ، ومقاومة عالية ، وحركة إلكترون عالية ، وحقل تكسير عالي. انخفاض درجة حرارة نمو gaas (بين 190-350؟ ج) يسمح للزرنيخ الزائد ليتم دمجه كنقاط عيوب: مضادات الزرنيخ (التي تمثل الغالبية العظمى من العيوب) ، والوظائف الخلوية الزرنيخ والغاليوم. العيوب المضادة للمضادات المتأينة التي تعمل كمتبرعين عميقين ، ما يقرب من 0.7 ev خوار الفرقة التوصيل ، وتوفر محاصرة سريعة للإلكترونات من نطاق التوصيل إلى دول الفجوة المتوسطة (0.7ev). بسبب هذا الإمساك السريع للإلكترونات عن طريق عيوب atisite الزرنيخ ، فإن lt-gaas المزروعة قد يكون لها عمر ناقل قصير يصل إلى 90 fs. هذا يعزز إعادة تركيب الإلكترون ثقب مما يؤدي إلى انخفاض كبير في عمر الإلكترون ، وبالتالي جعل lt-gaas مناسبة لجيل thz.for الشكل 2 ، يرجى النقر أدناه:

اخبار من سمير ريحاني

ملاحظة: يمكن أن يقدم powerway رقاقة lt-gaas ، حجم من 2 \"إلى 4\" ، يمكن أن تكون طبقة epi تصل إلى 3um ، يمكن أن تكون كثافة عيب مايكرو \u0026 lt؛ 5 / cm2 ، يمكن أن يكون عمر الناقل \u0026 lt؛ 0.5ps