العديد من المواد المركبة تظهر تعدد الأشكال ، أي أنها يمكن أن توجد في بنى مختلفة تسمى متعددات الأشكال. إن كربيد السيليكون (sic) فريد من نوعه في هذا الصدد حيث تم التعرف على أكثر من 250 نوع polymorphs من كربيد السيليكون في عام 2006 ، مع بعض منها ثابت ثابت طالما طوله 301.5 نانومتر ، أي حوالي ألف مرة من المباعدة الشبكية التقليدية. تتضمن الأشكال متعددة الأشكال للمركب عدة مراحل غير متبلرة تمت ملاحظتها في الأفلام الرقيقة والألياف ، بالإضافة إلى عائلة كبيرة من بنى بلورية مشابهة تسمى polytypes مناطق من البلورات الرقاقية التي هي الكريستالات أو من مادة polytype مختلفة عن ما تبقى من الرقاقة ، مثل 6h مختلطة مع ركيزة نوع 4H. مناطق polytype الخارجية تعرض بشكل متكرر تغيرات ملونة أو خطوط حدود مميزة ، ويتم الحكم عليها من حيث المساحة المئوية تحت إضاءة منتشرة.
فهي واجهات تلتقي فيها بلورات ذات اتجاهات مختلفة. حدود الحبيبات هي عبارة عن واجهة أحادية الطور ، حيث تكون البلورات على كل جانب من الحدود متطابقة ما عدا في الاتجاه. مصطلح "حدود البلورة" في بعض الأحيان ، على الرغم من أنه نادر الاستخدام. تحتوي مناطق حدود الحبوب على تلك الذرات التي انزعجت من مواقعها الشبكية الأصلية ، والاضطرابات ، والشوائب التي هاجرت إلى حدود حدود الطاقة المنخفضة للطاقة.
يتم وضع خدش كخلف مفرد أو أخدود في سطح رقاقة الضفيرة الأمامية مع نسبة طول إلى عرض أكبر من 5 إلى 1 ، ومرئية تحت إضاءة كثافة هايت.
المواد الصلبة البلورية تحمل بنية بلورية دورية. تحدث مواقف الذرات أو الجزيئات عند تكرار المسافات الثابتة ، والتي تحددها معلمات الخلية الوحدة. ومع ذلك ، فإن ترتيب الذرة أو الجزيئات في معظم المواد البلورية ليست مثالية. تنقطع الأنماط المنتظمة عن طريق التشوهات البلورية للعيوب في كربيد السيليكون التي يتم تحديدها كعيوب بلورية خطية تمتد من سطح الرقاقة والتي قد تمر أو لا تمر عبر سمك الرقاقة بأكمله ، وتتبع عمومًا الطائرات البلورية على طولها .
الطرح التراكمي لجميع المناطق المعيبة المشار إليها من منطقة جودة الرقاقات ذات الواجهة الأمامية داخل منطقة الحافة الحافة. تشير القيمة المئوية المتبقية إلى نسبة سطح frontside إلى أن تكون خالية من كافة العيوب المذكورة (لا تتضمن استثناء الحافة).
تقصير في كثير من الأحيان إلى خشونة ، هو مقياس للنسيج من السطح. يتم قياسه بواسطة الانحرافات الرأسية لسطح حقيقي من شكله المثالي. إذا كانت هذه الانحرافات كبيرة ، يكون السطح خشنًا ؛ إذا كانت صغيرة على سطح أملس.
micropipe ، والذي يشار إليه أيضًا باسم \"micropore\" أو \"microtube\" أو \"العيب الشعري\" أو \"عيب الثقب\" ، هو عيب بلوري في طبقة بلورية واحدة. وهو معلمة مهمة لمصنّعي ركائز كربيد السيليكون (sic) التي وتستخدم في مجموعة متنوعة من الصناعات مثل أجهزة أشباه الموصلات الطاقة للمركبات وأجهزة الاتصالات عالية التردد. ومع ذلك ، أثناء إنتاج هذه المواد ، يخضع البلور للضغوط الداخلية والخارجية مما يسبب نمو العيوب ، أو الاضطرابات ، داخل الشبكة الذرية. اختلال لولبي هو خلع شائع يقوم بتحويل الطائرات الذرية المتتالية ضمن شبكة كريستالية إلى شكل حلزون. بمجرد انتشار خلع برغي من خلال الجزء الأكبر من العينة خلال عملية نمو رقاقة ، يتم تشكيل micropipe. فإن وجود كثافة عالية من micropipes داخل رقاقة سوف يؤدي إلى فقدان العائد في عملية تصنيع الجهاز. تستمد عادة micropipes والاختراق المسمار في الطبقات الفوقي من الركائز التي يتم تنفيذ epitaxy. micropipes تعتبر اختلالات لولبية فارغة مع طاقة إجهاد كبيرة (بمعنى أنها تحتوي على ناقلات كبيرة من البرجر) ؛ يتبعون اتجاه النمو (محور ج) في كرات كربيد السيليكون والركائز التي تنتشر في طبقات الفوقي المودعة. العوامل التي تؤثر على تشكيل micropipes (وغيرها من العيوب) هي عوامل النمو مثل درجة الحرارة ، supersaturation ، stoichiometry بخار المرحلة ، الشوائب وقطبية سطح الكريستال البذور. كثافة الميكروفايب (mpd) هي معلمة حاسمة لركائز كربيد السيليكون (sic) التي تحدد جودة وثبات وعائد أجهزة أشباه الموصلات المبنية على هذه الركائز. يتم التأكيد على أهمية mpd من خلال حقيقة أن جميع المواصفات الحالية للركائز 6h و 4h-sic تحدد الحدود العليا لذلك.
تزرع الويفر من بلورة لها بنية بلورية منتظمة ، مع السيليكون يحتوي على هيكل مكعب مكعب مع تباعد شعرية من 5.430710 Å (0.5430710 نانومتر) .عندما يتم تقطيعه إلى رقائق ، يتم محاذاة السطح في واحد من عدة اتجاهات نسبيّة تعرف باسم اتجاهات الكريستال. يتم تحديد الاتجاه من خلال مؤشر ميلر مع [100] أو [111] الوجوه الأكثر شيوعًا للسيليكون. فالأهمية مهمة نظرًا لأن العديد من الخصائص الهيكلية والإلكترونية لكبل واحد تكون متباينة للغاية. تعتمد أعماق غرس الأيونات على اتجاه بلورات الويفر ، حيث أن كل اتجاه يوفر مسارات متميزة للنقل. وعادة ما يحدث الانقسام الشفاف فقط في عدد قليل من الاتجاهات المحددة جيدا. إن تسجيل الرقاقة على طول مستويات الانشطار يسمح بتقطيعها بسهولة إلى شرائح فردية (\"يموت\") بحيث يمكن فصل مليارات عناصر الدائرة الفردية على رقاقة متوسط إلى العديد من الدوائر الفردية. في كربيد السيليكون ، ومستوى نمو كربيد السيليكون البلورية. يتم وصف التوجهات باستخدام مؤشرات ميلر مثل (0001) إلخ. تختلف اتجاهات وتوجهات النمو المختلفة للترتيبات المختلفة للذرات أو الشبكات كما يتم عرضها من زاوية معينة.
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
