نقدم بيانات متكاملة جديدة في الوقت الحالي عن أطياف الانبعاثات الضوئية لبلازما الجرمانيوم المنتجة بالليزر باستخدام ليزر nd: yag: 1064 nm ، وكثافة طاقة تصل إلى حوالي 5x10 w cm − 2 بالتزامن مع مجموعة من خمسة مطياف تغطي نطاق طيفي من 200 نانومتر إلى 720 نانومتر. بنية حسنة بسبب 4p5s → 4p2 تحولت مجموعة انتقالية من الجرمانيوم المحايدة وبضع نبضات من الجرمانيوم المتأين منفردة. تم تحديد درجة حرارة البلازما في المدى (9000–11000) ك باستخدام أربعة أساليب مختلفة ؛ طريقة اثنين من خط الخط ، ومؤامرة boltzmann ، saha – boltzmann مؤامرة وتقنية marotta في حين تم استنباط كثافة الإلكترونات من ملامح خط واسعة النطاق في نطاق (0.5-5.0) × 1017 سم − 3 ، اعتمادا على طاقة نبض الليزر لإنتاج البلازما الجرمانيوم. وقد تم استخراج عرض كامل في النصف كحد أقصى (fwhm) لعدد من خطوط الجيرمانيوم المحايدة والمفردة بشكل فردي من خلال ملائمة لورنتزيان لمحات خطية تمت ملاحظتها تجريبياً. بالإضافة إلى ذلك ، قمنا بمقارنة شدة خط النسق المحسوبة تجريبيًا لمضاعفات 4p5s 3p0،1،2 → 4p2 3p0،1،2 مع تلك المحسوبة في مخطط ls-coupling والتي تكشف أن مخطط الاقتران الوسيط أكثر ملاءمة لتخصيصات المستوى في الجرمانيوم. المصدر: iopscience لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com .
ingaas / inp epi ويفر للدبوس يمكننا أن نقدم 2 \"ingaas / inp epi ويفر للدبوس على النحو التالي: الركيزة inp: اتجاه inp: (100) مخدر مع fe ، شبه عازلة حجم رقاقة: 2 \"قطر المقاومة: \u0026 GT؛ 1X10 ^ 7) ohm.cm epd: \u0026 lt؛ 1x10 ^ 4 / cm ^ 2 جانب واحد مصقول. طبقة epi: inxga1-XAS nc \u0026 gt؛ 2x10 ^ 18 / cc (باستخدام si as dopant) ، سمك: 0.5 um (+/- 20٪) خشونة طبقة epi ، ra \u0026 lt؛ 0.5 نانومتر المصدر: semiconductorwafers.net لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com .
شيامن باور واي (pam-xiamen) ، وهي شركة رائدة في مجال تطوير وتصنيع الرقائق الفوقي لأشباه الموصلات المركبة التي توفر 780 نانومتر من رقائق الغيناز / الغااس للهيكل الليزري. طبقة مواد س يجهد التسامح رر سماكة اكتب مستوى وEMSP. وEMSP. وEMSP. وEMSP. (جزء في المليون) (ل.ع) (أم) وEMSP. (سم 3) 8 الغاليوم وEMSP. وEMSP. وEMSP. وEMSP. 0.1 ص وGT، 2.00e19 7 الربح (خ) ع 0.49 وEMSP. +/- 500 وEMSP. 0.05 ص وEMSP. 6 [سورة (خ) الجا] في (ص) ص 0.3 0.49 +/- 500 وEMSP. 1 ص وEMSP. 5 الربح (خ) ع 0.49 وEMSP. +/- 500 وEMSP. 0.5 ش / د وEMSP. 4 الغاليوم (خ) ع 0.77 وEMSP. وEMSP. 770 وEMSP. ش / د وEMSP. 3 الربح (خ) ع 0.49 وEMSP. +/- 500 وEMSP. 0.5 ش / د وEMSP. 2 [سورة (خ) الجا] في (ص) ص 0.3 0.49 +/- 500 وEMSP. 1 ن وEMSP. 1 الغاليوم وEMSP. وEMSP. وEMSP. وEMSP. 0.5 ن وEMSP. gaas الركيزة وEMSP. وEMSP. وEMSP. وEMSP. وEMSP. ن وEMSP. المصدر: semiconductorwafers.net لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com .
رقائق diamand الصف الحراري وشرائح الماس يعرض أعلى الموصلية الحرارية بين جميع المواد. لها الحرارية الموصلية تصل إلى 2000 واط / م ك وهي أعلى بكثير من النحاس. وبالتالي رقائق الماس وشرائح تصبح أكثر وأكثر شعبية في الإدارة الحرارية كما خافضات الحرارة ، خافضات حرارة ، معدنة نمطيا ، عزل كهربائي بين المعدنين العلوية والسفلية ، والتخفيف من التوتر الشقوق من أجل التركيب الخالي من الإجهاد الخ. موزعات حرارة الماس cvd في الأشكال المختلفة، والمعلمات النموذجية هي كما يتبع: الموصلية الحرارية المادية و GT ؛ 1000 ث / م ك قطر يصل إلى 70 مم سطح مصقول ، اللف ، قص سمك 100 - 1500 ميكرومتر معامل الشباب 1000-1100gpa كثافة 3.5g / cm3 رقائق الماس البصري الصف رقائق الماس البصري الصف تستخدم كنافذة لشرائح شعاع الأشعة تحت الحمراء ، والعدسات ل terahertz spectroscopy and co2 laser surgery، brewster windows for multi-spectral تطبيقات مثل ليزر الإلكترون الحر ، ليزر الأشعة تحت الحمراء ذات الطول الموجي المتعدد أو بصري تيراهيرتز نظم ، للوحدات مجموع الانعكاس الكلي) التحليل الطيفي ، للخلايا السائلة الماس. الركيزة الماس كبيرة الحجم منذ فترة طويلة معروفة كواحدة من كبار موردي أجزاء المجوهرات الصناعية ، ونحن مستمرون في تحسين تكنولوجيا تصنيع ركائز الجواهر عندما تنتج كتلة ركائز الماس واحد 14mm * 14mm الماس لأشباه الموصلات ما بعد si التي تبني أجزاء بصرية ، رش الحرارة ، وقطع الصوت و الكمبيوتر الكم. في الوقت الحاضر ، ونحن قادرون على تصنيع ركائز في حجم حوالي 1 بوصة مربعة مع تكنولوجيا النمو microneedle الحصري ، حاصل على براءة اختراع تمكن من إنتاج مستقر من الركيزة الماس كبيرة خالية من الكراك. مع التكنولوجيا ، وعدنا بزيادة حجم منتجات الركيزة إلى 50mm * 50mm (2 بوصة مربعة). الكلمات الرئيسية: رقائق الماس ، رقاقة الماس المصدر: semiconductorwafers.net لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com ....
يوفر pam-xiamen شرائح Inas (indium arsenide) لصناعة الإلكترونيات البصرية بقطر يصل إلى 2 بوصة. إناس كريستال عبارة عن مركب يتكون من 6 نقية في وكونه عنصر ويزرع بطريقة czochralski المغلفة السائلة مع epd \u0026 lt؛ 15000 سم -3. إناس كريستال لديه توحيد عالي للمعلمات الكهربائية وكثافة منخفضة للعيوب ، ومناسبة للنمو الفطري mbe أو mocvd. لدينا منتجات إيناس \"epi ready\" مع خيار واسع في الاتجاه الدقيق أو إيقاف ، تركيز مخدر منخفض أو عالي و إنهاء السطح. يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات عن المنتجات. 1) 2 إيناس \" نوع / إشابة: ن / ق التوجه: [111b] ± 0.5 درجة سمك: 500 ± 25um برنامج التحصين الموسع جاهزة SSP 2) 2 إيناس \" نوع / إشابة: ن / undoped التوجه: (111) ب سمك: 500um ± 25um SSP 3) 2 إيناس \" type / dopant: n un-doped الاتجاه: أ ± 0.5 درجة سمك: 500um ± 25um برنامج التحصين الموسع جاهزة را العلامة \u0026 lt؛ = 0.5nm تركيز الناقل (cm-3): 1e16 ~ 3e16 التنقل (سم -2): \u0026 gt؛ 20000 epd （cm -2）: \u0026 lt؛ 15000 SSP 4) 2 إيناس \" نوع / إشابة: ن / undoped الاتجاه: مع [001] o.f. سمك: 2mm في كما قطع 5) 2 إيناس \" نوع / إشابة: ن / ع التوجه ： (100) ، تركيز الناقل (سم 3) ： (5-10) e17 ، سمك ： 500 أم SSP جميع الرقائق تقدم مع تشطيب جاهز عالي الجودة. تتميز الأسطح بتقنيات المترولوجيا البصرية المتطورة في المنزل والتي تشمل الضجيج وضبط الجسيمات الضوئية وقياس الاهتزازات الطيفي وقياس تداخل حجوم الرعي. تم دراسة تأثير درجة حرارة التلدين على الخواص البصرية لطبقات تراكم الإلكترون السطحي في الرقائق من النوع n (1 0 0) من خلال مطيافية رامان. فإنه يدل على أن ذروات رامان بسبب التشتت من قبل الفونونات لو غير مختفية تختفي مع ارتفاع درجة الحرارة ، مما يدل على أن يتم القضاء على طبقة تراكم الإلكترون في سطح إيناس بالصلب. تم تحليل الآلية المعنية عن طريق التحليل الطيفي للأشعة السينية بالأشعة السينية ، حيود الأشعة السينية و المجهر الإلكتروني النافذ عالي الاستبانة. تظهر النتائج أن أطوار غير متبلورة in2o3 و as2o3 تتشكل عند السطح الداخلي أثناء التلدين ، وفي الوقت نفسه ، يتم توليد بلورة رقيقة كطبقة عند السطح البيني بين الطبقة المؤكسدة والرقاقة مما يؤدي إلى انخفاض سمك تراكم الإلكترونات السطحية منذ طبقة كما أدوماتز إدخال حالات سطح نوع المتقبل. المنتجات النسبية: ايناس ويفر insb رقاقة inp ويفر gaas wafer الغاز رقاقة الويفر المصدر: semiconductorwafers.net لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com ....
شيامن باور واي مواد متقدمة ، المحدودة (بام- xiamen) تقدم رقاقات وضوح كريستال حتى 3 \"في القطر التي تزرع بطريقة czochralski المعدلة من سبائك البلوريات عالية النقاء ، المنطقة المكررة. 1) 2 \"INSB التوجه: (100) نوع / إشابة: ن / undoped قطر: 50.8mm سمك: 300 ± 25μm؛ 500um نورث كارولاينا: العلامة \u0026 lt؛ 2e14a / CM3 البولندية: SSP 2) 2 \"INSB التوجه: (100) نوع / إشابة: ن / الشركة المصرية للاتصالات قطر: 50.8mm تركيز الناقل: 0.8 - 2.1 × 1015 سم 3 سمك: 450 +/- 25 أم ؛ 525 ± 25µm epd \u0026 lt؛ 200 سم -2 البولندية: SSP 3) INSB 2 \" التوجه ： (111) + 0.5 درجة سمك: 450 +/- 50 um نوع / إشابة: ن / undoped تركيز الناقل: \u0026 lt؛ 5 × 10 ^ 14 سم 3 epd \u0026 lt؛ 5 × 103 سم -2 خشونة السطح: \u0026 lt؛ 15 أ القوس / الالتفاف: \u0026 lt؛ 30 ام البولندية: SSP 4) 2 \"INSB التوجه ： (111) + 0.5 درجة نوع / إشابة: ع / شركة جنرال الكتريك البولندية: SSP 5) INSB 2 \" سمك: 525 ± 25μm، التوجه: [111a] ± 0.5 درجة نوع / إشابة: ن / الشركة المصرية للاتصالات ريال عماني = (0،020-0،028) ohmcm، نورث كارولاينا = (4-8) e14cm-3 / سم مكعب، ش = (4.05e5-4.33e5) سم ² / مقابل، EPD العلامة \u0026 lt؛ 100 / سم ²، التنقل: 4e5cm2 / مقابل حافة جانب واحد في (a) الوجه: مصقول نهائيًا كيميائيًا وميكانيكيًا إلى 0.1µm (طلاء نهائي) ، sb (b) face: مصقول نهائيًا كيميائيًا وميكانيكيًا إلى \u0026 lt؛ 5µm (lasermark) ، ملاحظة: nc والتنقل هي في 77ºk. البولندية: SSP، حزب اليسار الديمقراطى 6) 2 \"gasb سمك: 525 ± 25μm، التوجه: [111b] ± 0.5 درجة، نوع / إشابة: ع / undoped، ن / undoped البولندية: SSP، حزب اليسار الديمقراطى حالة السطح وغيرها من المواصفات يمكن تقديم رقاقة أنتيمونيد الإنديوم (insb) على شكل رقائق بقطع نهائية مقوسة أو محفورة أو مصقولة مع نطاق واسع من تركيز المنشطات وسمكها. يمكن أن يكون الرقاقة عبارة عن تشطيب عالي الجودة من epi-ready. مواصفات التوجيه يتم توفير اتجاهات سطح الرقاقة إلى دقة +/- 0.5 درجة باستخدام نظام مقياس إنكسار الأشعة السينية ثلاثي المحور. ويمكن أيضا أن يتم توفير ركائز مع سوء دقة دقيق في أي اتجاه من مستوى النمو. يمكن لل orientiton المتاحة تكون (100) ، (111) ، (110) أو غيرها من التوجه أو درجة سوء. حالة التعبئة والتغليف رقاقة لامعة: بشكل فردي مختومة في حقيبتين خارجيتين في جو خامل. تتوفر شحنات الكاسيت إذا لزم الأمر). قطع على شكل رقاقة: شرائط كاسيت. (كيس زجاجية متاحة عند الطلب). كلمات ويكي رقاقة أنتيمونيد الإنديوم (إن بي سي) هي مركب بلوري مصنوع من عناصر الإنديوم (in) و الأنتيمون (sb). وهي عبارة عن مادة شبه موصلة ذات فجوة ضيقة من مجموعة iii-v المستخدمة في أجهزة الكشف بالأشعة تحت الحمراء ، بما في ذلك كاميرات التصوير الحراري ، وأنظمة flir ، ودوائر الصواريخ الموجهة بالأشعة تحت الحمراء ، وفي علم الفلك تحت الأحمر. حساسات antimonide الانديوم حساس بين 1 - 5 ميكرومتر الطول الموجي. وكان antimonide الإنديوم مكشاف شائع جدا في أنظمة التصوير الحراري القديمة ، واحدة للكشف عن المسح الضوئي ميكانيكيا. تطبيق آخر هو بمثابة مصدر إشعاعي terahertz لأنها باعث قوي photo-dember. المنتجات النسبية: ايناس ويفر insb رقاقة inp ويفر gaas wafer الغاز رقاقة الويفر المصدر: semiconductorwafers.net لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@pow...
إن فوسفيد الإنديوم (inp) هو مادة رئيسية لأشباه الموصلات التي تمكن الأنظمة البصرية من توفير الأداء المطلوب لمراكز البيانات والوصلات المحمولة والمترو والتطبيقات طويلة المدى. تعمل أشعة الليزر والضوئيات الضوئية وموجهات الموجة التي يتم تصنيعها على inp في نافذة النقل المثالية للألياف الزجاجية ، والتي تتيح اتصالات ألياف فعالة. تتيح تقنية pam-xiamen الخاصة بالمسامير المحايدة (eft) اختبارًا على مستوى البسكويت مماثلًا لتصنيع أشباه الموصلات التقليدي. eft تمكن عالية الغلة والأداء العالي والليزرات موثوقة. 1) 2 \"inp ويفر التوجه: ± 0.5 درجة اكتب / إشابة: ن / ثانية؛ ن / برنامج الأمم المتحدة للمخدر سمك: 350 ± 25MM التنقل: \u0026 GT، 1700 تركيز الناقل: (2 ~ 10) e17 EPD: العلامة \u0026 lt؛ 50000cm ^ -2 مصقول: SSP 2) 1 \"، 2\" inp ويفر التوجه: ± 0.5 درجة نوع / إشابة: ن / برنامج الأمم المتحدة للمخدر سمك: 350 ± 25MM التنقل: \u0026 GT، 1700 تركيز الناقل: (2 ~ 10) e17 EPD: العلامة \u0026 lt؛ 50000cm ^ -2 مصقول: SSP 3) 1 \"، 2\" inp ويفر التوجه: أ ± 0.5 درجة اكتب / إشابة: ن / ثانية؛ ن / برنامج الأمم المتحدة للمخدر سمك: 350 ± 25MM مصقول: SSP 4) 2 \"inp ويفر الاتجاه: ب ± 0.5 درجة اكتب / إشابة: ن / الشركة المصرية للاتصالات، ن / undoped سمك: 400 ± 25MM، 500 ± 25MM مصقول: SSP 5) 2 \"inp ويفر الاتجاه: (110) ± 0.5 درجة نوع / إشابة: ع / الزنك، ن / ق سمك: 400 ± 25MM مصقول: SSP / حزب اليسار الديمقراطى 6) 2 \"inp ويفر الاتجاه: (211) ب، (311) ب نوع / إشابة: ن / الشركة المصرية للاتصالات سمك: 400 ± 25MM مصقول: SSP / حزب اليسار الديمقراطى 7) 2 \"inp ويفر الاتجاه: (100) 2 ° قبالة +/- 0.1 درجة t.n. (110) نوع / إشابة: سي / الحديد سمك: 500 ± 20MM مصقول: SSP 8) 2 \"حجم ingaas / inp epitaxial رقاقة ، ونحن نقبل المواصفات المخصصة. الركيزة: (100) inp الركيزة epi layer 1: in0.53ga0.47as layer، unoped، thickness 200 nm epi layer 2: in0.52al0.48as layer، unoped، thickness 500 nm epi layer 3: in0.53ga0.47as layer، unoped، thickness 1000 nm الطبقة العليا: in0.52al0.48as طبقة ، unoped ، سمك 50 نانومتر شيامن باور واي مواد متقدمة ، المحدودة (بام - شيامن) تقدم أعلى النقاوة ingaas / inp الفوقي رقائق في الصناعة اليوم. تم وضع عمليات تصنيع متطورة لتخصيص وإنتاج رقائق فوسفيد الإنديوم عالية الجودة حتى 4 بوصات بأطوال موجية تتراوح من 1.7 إلى 2.6 ميكرون ، ومناسبة بشكل مثالي للسرعة العالية والتصوير الطويل الموجي وسرعة عالية hbt وهيمتس و apds والتناظرية الدوائر الرقمية المحول. يمكن أن تتعدى التطبيقات التي تستخدم مكونات قائمة على inp إلى حد كبير معدلات الإرسال مقارنة بالمكونات المماثلة المهيكلة على الأنظمة الأساسية المعتمدة على gaas أو sige. المنتجات النسبية: ايناس ويفر insb رقاقة inp ويفر gaas wafer الغاز رقاقة الويفر المصدر: semiconductorwafers.net لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت: http://www.semiconductorwafers.net ، أرسل لنا البريد الإلكتروني على angel.ye@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com ....
منتجات بفضل تكنولوجيا mocvd و mbe ، pam-xiamen ، مورد فطائر الويفي ، تقدم منتجات رقاقة الفوقي ، بما في ذلك رقاقة الفوقي gan ، و gaas الفوقي رقاقة ، الرقاقات الفوقي sic ، رقاقة inp الفوقي ، والآن نقدم مقدمة موجزة على النحو التالي: 1) gan epitaxial النمو في قالب ياقوت. نوع التوصيل: si doped (n +) سمك: 4um، 20um، 30um، 50um، 100um التوجه: c-axis (0001) ± 1.0 ° المقاومة: \u0026 lt؛ 0.05 أوم. cm كثافة الخلع: \u0026 lt؛ 1x108cm-2 هيكل الركيزة: gan على الياقوت (0001) سطح الواجهة الأمامية (ga-face): نمت الانتهاء من السطح الخلفي: ssp أو dsp منطقة صالحة للاستعمال: ≥ 90 ٪ المقاسات المتوفرة: 2 بوصة (50.8 مم) ، 3 بوصة (76.2 ملم) و 4 بوصة (100 مم) الدرجات المتاحة: الإنتاج ، والبحث ، والمتسابق 2) النمو الفوقي على قالب ياقوت. نوع التوصيل: شبه العازلة سمك: 50-1000nm +/- 10٪ الاتجاه: c-axis (0001) +/- 1o الاتجاه شقة: طائرة xrd fwhm of (0002): \u0026 lt؛ 200 arcsec هيكل الركيزة: ألن على الياقوت الانتهاء من السطح الخلفي: SSP أو DSP ، جاهز للاستخدام منطقة صالحة للاستعمال: ≥ 90 ٪ المقاسات المتوفرة: 2 بوصة (50.8 مم) ، الدرجات المتاحة: الإنتاج ، والبحث ، والمتسابق 3） algan epitaxial growth on sapphire، including hemt structure؛ نوع التوصيل: شبه العازلة سمك: 50-1000nm +/- 10٪ الاتجاه: c-axis (0001) +/- 1o الاتجاه شقة: طائرة xrd fwhm of (0002): \u0026 lt؛ 200 arcsec هيكل الركيزة: algan على الياقوت الانتهاء من السطح الخلفي: SSP أو DSP ، جاهز للاستخدام منطقة صالحة للاستعمال: ≥ 90 ٪ المقاسات المتوفرة: 2 بوصة (50.8 مم) ، الدرجات المتاحة: الإنتاج ، والبحث ، والمتسابق 4） lt-gaas epi layer on gaas substrate diamater (مم): Ф 50.8mm ± 1mm سمك: 1-2um أو 2-3um كثافة عيوب marco: ≤ 5 سم -2 المقاومة (300 كيلوبايت): \u0026 gt؛ 108 أوم-سم الناقل: \u003c0.5ps كثافة الخلع: \u0026 lt؛ 1x106cm-2 المساحة السطحية الصالحة للاستخدام: ≥80٪ تلميع: جانب واحد مصقول الركيزة: gaas الركيزة 5） gaas شوتكي ديود رقائق فطرية الفوقي بناء لا. مواد تكوين سماكة الهدف (أم) سمك تاو. 1 ± 10٪ \u003e 5.0e18 ن / أ سي ن ++ 3 الغاليوم وEMSP. الجا 1-س الله س مثل س = 0.50 1 ± 10٪ - ن / أ - - 1 الغاليوم وEMSP.
معلومات الاتصال
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
