خصائص lasing التي تعتمد على درجة الترابط - درجة الحرارة لـ 1.5 ميكرومتر دايود ليزر GaInAsP (LD) نمت على ارتباط مباشر InP الركيزة أو سي الركيزة تم الحصول عليها بنجاح. لدينا ملفقة البرنامج النووي العراقي المادة المتفاعلة أو ركيزة Si باستخدام تقنية ربط رقاقة الويدروفسك المباشر في درجات الترابط 350 و 400 و 450 درجة مئوية ، وتراكمت GaInAsP أو InP طبقات heterostructure مزدوجة على هذا الركيزة InP / Si. تم مقارنة ظروف السطح ، تحليل حيود الأشعة السينية (XRD) ، الأطياف الضوئية (PL) ، والخصائص الكهربائية بعد النمو في درجات حرارة الترابط هذه. تم تأكيد عدم وجود فروق ذات دلالة إحصائية في تحليل حيود الأشعة السينية والأطياف PL في هذه درجات الترابط. أدركنا أن lasing في درجة حرارة الغرفة من LD GaInAsP على الركيزة InP / Si المستعبدين في 350 و 400 درجة مئوية. بلغت الكثافة الحالية العتبة 4.65 kA / cm2 عند 350 درجة مئوية و 4.38 kA / cm2 عند 400 درجة مئوية. تم العثور على المقاومة الكهربائية لزيادة مع درجة حرارة الصلب.

المصدر: IOPscience

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت:www.semiconductorwafers.ne ر،

أرسل لنا البريد الإلكتروني علىangel.ye@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com