الصفحة الرئيسية / مدونة /

تطوير تقنية النمو الفوقي 4H – SiC لتحقيق معدل نمو مرتفع وتوحيد كبير في المساحة

مدونة

تطوير تقنية النمو الفوقي 4H – SiC لتحقيق معدل نمو مرتفع وتوحيد كبير في المساحة

2019-02-19

وقد تم تطوير مفاعل epi ذي جدران عمودية يجعل من الممكن تحقيق معدل نمو مرتفع وتوحيد مساحة كبيرة في نفس الوقت. يتم تحقيق أقصى معدل نمو 250 ميكرومتر / ساعة مع مورفولوجيا تشبه مرآة في 1650 درجة مئوية. تحت المعدل برنامج التحصين الموسع مفاعل إعداد ، تماثل سمك 1.1 ٪ وتوحيد المنشطات من 6.7 ٪ لمساحة نصف قطرها 65 ملم مع الحفاظ على معدل نمو مرتفع من 79 ميكرومتر / ساعة. يتم الحصول على تركيز منشط منخفض قدره 1 × 1013 سم 3 في منطقة نصف قطرها 50 ملم. يبين الطيف الضوئي الضوئي المنخفض (LTPL) غلبة قمم الإكستون الحرة مع قليل من القمم ذات الصلة بالشوائب فقط وذروة L1 دون حد الاكتشاف. يُظهر القياس الطيفي العابر (DLTS) ذي المستوى العميق لطبقة epilayer التي تنمو عند 80 ميكرومتر / ساعة تركيزات منخفضة في مصيدة Z1 / 2: 1.2 × 1012 و EH6 / 7: 6.3 × 1011 سم 3. ا epilayer 280-ميكرون سميكة مع خشونة RMS تبلغ 0.2 نانومتر ويتم الحصول على عمر الناقل من ~ 1 µs.


العلامات ذات الصلة: 280 epymayer سميكة ، Epi سي ، SIC Epitaxy

لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الانترنت:www.semiconductorwafers.net ،
أرسل لنا البريد الإلكتروني علىsales@powerwaywafer.com أوpowerwaymaterial@gmail.com .


اتصل بنا

إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.
   
إذا كنت ترغب اقتباس أو مزيد من المعلومات حول منتجاتنا، يرجى ترك لنا رسالة، وسوف الرد عليك في أقرب وقت ممكن.