لقد قمنا بتحسين كفاءة الهوائيات الضوئية (PCAs) باستخدام GaAs ذات درجات الحرارة المنخفضة (LT-GaAs). لقد وجدنا أن الخصائص الفيزيائية للطبقات الضوئية LT-GaAs تؤثر بشكل كبير على خصائص التوليد والكشف عن موجات التيراهيرتز (THz). في جيل THz ، يعد التنقل العالي للحامل الضوئي ووجود عدد قليل من المجموعات في LT-GaAs عاملين مهمين. في الكشف ، قصر عمر الموجة الحاملة وغياب بنية متعددة البلورات في LT-GaAsهي عوامل مهمة. من خلال تحسين هذه الخصائص الفيزيائية ، قمنا بتحسين النطاق الديناميكي الإجمالي لتوليد THz والكشف بمقدار 15 ديسيبل عن ذلك الذي تم الحصول عليه بواسطة PCA التقليدية المتاحة تجاريًا. بالإضافة إلى ذلك ، قمنا باستبدال الركيزة شبه العازلة GaAs (SI-GaAs) بركيزة Si ، والتي تتميز بامتصاص منخفض في منطقة THz. اقترحنا فكرة جديدة لتضمين طبقة عازلة عالية العزل Al0.5Ga0.5As على الركيزة Si. أخيرًا ، أكدنا جدوى تصنيع PCA باستخدام ركائز Si.

المصدر: IOPscience

لمزيد من المعلومات ، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت:  www.semiconductorwafers.ne t ،

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على  sales@powerwaywafer.com  و  powerwaymaterial@gmail.com